ＭＲＡＭ：內(nèi)存的新潮流（上）
2007-01-01 00:00:00ＨａｒｌａｎＭｃＧｈａｎ
電子產(chǎn)品世界
2007年1期
摘要：Freescale運(yùn)用自旋電子技術(shù)制作了新的非易失性RAM，本文對此進(jìn)行了詳細(xì)介紹。
關(guān)鍵詞：MRAM；自旋電子；位線；字線
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