打破零延遲神話

tRAS參數(shù)簡介

tRAS，MinRAS#Active Timing，在BIOS中作為一項內(nèi)存參數(shù)，控制內(nèi)存最小的行地址激活時鐘周期數(shù)(tRAS)，表示一個行地址從激活到復(fù)位的時間。通常主板上提供的設(shè)置范圍是1至18，可通過MEMSET軟件最低設(shè)置為0。在說明內(nèi)存參數(shù)時，tRAS是排在第四位的數(shù)值，例如4—3—2 5@500MHz，表示tRAS為5。tRAS的作用會輕微影響帶寬，在部分內(nèi)存上會影響穩(wěn)定性。tRAs過長，會嚴(yán)重降低性能。減少tRAS可以使得被激活的行地址更快復(fù)位，然而，tRAS太短也會造成完成突發(fā)傳輸時間不夠，數(shù)據(jù)會丟失或者覆蓋。最佳設(shè)置通常是越低越好。

如何設(shè)置tRAS參數(shù)

tRAS是極具爭議的一個數(shù)值。很多人認(rèn)為00(目前需要借助軟件調(diào)節(jié))、01、05或者10是最快最穩(wěn)定的。但這也未必對每個用戶都適用，它根據(jù)內(nèi)存體質(zhì)有所不同。在實際應(yīng)用中我們發(fā)現(xiàn)，此項參數(shù)對于一些內(nèi)存(如采用爾必達(dá)顆粒)來說非常影響其極限頻率下的穩(wěn)定性，但是有些內(nèi)存(如采用鎂光顆粒)可以調(diào)整至0都穩(wěn)定如初。

讓我們通過刪試來看看tRAS在設(shè)置為“0”和“4”時的各項性能變化。為的只是說明一點：“零”延遲并不完美，合理優(yōu)化才是硬道理。對于tRAS的設(shè)置，筆者做了對比測試。通常情況下，一般主板BIOS中提供的最小值僅為4～5，也有些可以到1。但是“0”這個特別的數(shù)值就需要借助軟件來搞定了。

在測試軟什的選用上，我們使用3．50．782板的Everest測試軟件。在保證小參不變的前提下，我們將tCL、tRCD和tRP均設(shè)置為4，而此時內(nèi)存的頻率為DDR2-1100。為了對比tRAS對系統(tǒng)性能的影響，筆者單獨進(jìn)行了tRAS在“0”和“4”時的對比測試，看看在內(nèi)存讀取、內(nèi)存寫入、內(nèi)存復(fù)制及內(nèi)存潛伏這幾項中誰的成績更加突出。

分析與總結(jié)

從上面的測試數(shù)據(jù)可以看出，當(dāng)tRAS調(diào)節(jié)到“0”時，其實際內(nèi)存效能較“4”時均有不同程度的下降，內(nèi)存潛伏：Low is better)。而且內(nèi)存復(fù)制一項的影響最大，排除軟件Bug的原因后。筆者分析了一下，MinRAS#Active Timing這個選項控制內(nèi)存最小的行地址激活時鐘周期數(shù)(tRAS)，表示一個行地址從激活到復(fù)位的時間。如果設(shè)置為“0”那么可以等同于激活或無復(fù)位。因此在內(nèi)存復(fù)制測試時會因tRAS太短而造成完成突發(fā)傳送時間不夠，數(shù)據(jù)會丟失或者覆蓋。這樣來說，有效的復(fù)制區(qū)域就金相應(yīng)減少。與設(shè)置為“4”時相差甚遠(yuǎn)。

總的來說，大家在將內(nèi)存延遲降低的基礎(chǔ)上小要過于迷信超低延遲甚至“0”延遲能帶來性能上的大幅度提升。還是要根據(jù)電腦搭配的內(nèi)存現(xiàn)狀來多做實際效能測試，否則只會在不穩(wěn)定的基礎(chǔ)上浪費了你的硬件性能。

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