全球代工為什么爭相擴充８英寸產能

兩則消息引起業界興趣。一則是無錫海力士一意法半導體(Hynix－STSemiconductor)于07年9月6日宣布，與中國華潤(集團)有限公司就出售200mm晶圓的生產線“C1-FAB”簽訂了正式協議。韓國海力士半導體為競爭力已達到極限的200mm晶圓生產線采取各種處理方案。盡管華潤與海力士均未透露具體交易金額。不過，從一位業內人士處得知，華潤為該生產線付出了3.8億美元。

另一則消息是全球代工廠中，臺積電，中芯國際，特許及世界先進皆積極擴充8英寸產能。其中臺積電購買Atmel的8英寸舊設備，用于擴充松江廠；中芯國際更是一馬當先，一方面在成都布局“成芯”8英寸舊線，目前已進入量產水平。另一方面又宣布近期將于深圳再建8英寸生產線；臺積電投資的世界先進購并華邦的8英寸舊線以及近期特許以2.33億美元買下日立于新加坡的8英寸舊線，月產能達2.4萬片等。

正當全球12英寸節節向上，呈主流狀態時，全球代工卻一反常態，爭相擴充8英寸產能。其實以上兩則消息并無矛盾。表明在存儲器領域中8英寸的局限性逐漸顯露，紛紛退出而轉向12英寸。而在全球代工中，由于0.13至0.35微米段的市場需求旺盛，而相對90及65納米段的訂單弱，再次選擇8英寸舊線，從經濟上也合乎情理。因此不同事物有不同策略在市場經濟中是正常的選擇。

市場競爭的新格局

從06年開始全球半導體業中存儲器的地位再次引起業界極大的關注。由于存儲器的特征，競爭實力主要依靠采用更小的尺寸及規模取勝。在DRAM中07年時主流的先進制程為70納米。

全球DRAM廠花大量的投資于70納米制程，卻因DRAM價格下跌遠快于DRAM制程技術所產生成本下跌速度，使70納米制程成為DRAM產業有史以來最短命技術。通常一個制程技術大多使用2年，有的3年，此次70納米制程技術僅使用1年，恐是DRAM產業有史以來最不劃算的投資。其中臺灣力晶07年第二季開始導入70納米制程，將在08年的第二季投入下一代65納米制程技術。三星于07年Q2(第二季)導入68納米制程，而08年將轉入58納米制程；海力士07年時采用66納米制程，至08年Q2時將導入54納米制程。

而在NAND中會采用比DRAM更先進的制程。預計08年全球NAND將有60％的產能采用50納米及以下制程。如美光將于08年采用35納米制程生產64G及128G NAND閃存為計算機使用。

因此。在存儲器業中由于制程技術大部分已跨入70納米以下，通常的8英寸生產線都是己運行近10年左右時間，光刻制程及規模都無法滿足要求。所以業界預計全球共有43條8英寸存儲器生產線。每年將以30％的速度淘汰或升級成12英寸。

在這種趨勢下。全球代工業為什么紛紛擴充8英寸產能。可從中芯國際07年的財報中看出端倪，如其邏輯電路中90納米的訂單干07年Q4中占7.7％；07年Q3中占13.7％及06Q4中占14.7％I相應的0.13微米分別占24.4％、28.6％及14％；0.18微米分別占28.3％、28.8％及33.3％；0.35微米分別占22.7％、18.5％及9.5％，反映0.35微米產品的市場需求正在逐步上升。

業界深有感慨，之前有近70％的新產品會采用最先進的制程，而目前已大幅下降至20％。

高端代工出現減緩投資的征兆

以前代工業固有的弱勢是，凡先進的、量大面廣的產品，如英特爾的CPU、三星的存儲器及東芝的NAND等幾乎不可能將訂單釋出給代工。一則怕技術外泄，另外豐厚的利潤也不愿與別人分享。所以頂級的IDM擁有最先進的制程及最大的規模是必然發展趨勢。

然而，在全球代工業中，隨著先進制程的研發費用呈火箭狀上升，一定會面臨投資的回報率矛盾。一個方面確有如TI、NXP等頂級IDM廠紛紛采用fablite(輕制造)策略，將訂單轉出給臺積電。

但是，如果代工業得不到數量足夠大的訂單，也會面臨同樣的窘境。目前來看，至少在08年中全球代工的投資普遍下降，如臺積電于07年投資為26億美元，而08年下降為18億美元，幅度下降達30％，并預計未來5年的資本支出占營收的比重將進一步下降。所以業界已預言“全球代工已落后于摩爾定律”。雖然這僅是短暫的動作，將來的發展仍不可預期。但是價值規律是推動全球產業鏈變化的根本原因。

IDM廠采用fablite策略，將訂單釋出，但同時將投資的風險轉移給代工，在此期間代工執行得好。繼續發展壯大。反過來，如果代工業退縮，有可能迫使那些IDM以新的方式重新建廠。這就是市場經濟，供需關系的不斷的變化。

結語

全球代工處在關鍵轉折時期，利益與風險共存。近期擴充8英寸產能或許暫時能有利。關鍵在時間段及程度的把握。任何模式都有利弊。取決于不斷創新及提升價值。