低功耗管理特性讓Ｍｏｂｉｌｅ ＲＡＭ受歡迎

盡管Flash作為非易失性存儲能滿足特定的存儲需求，但相對SDRAM它的成本更高，并且需要更長的存取時間。Mobile RAM是SDRAM的擴展產(chǎn)品，得益于工藝的進步和特殊的芯片設(shè)計，與同等密度的標準SDRAM相比，Mobile RAM提供了更低的工作電壓、工作電流和待機電流，低功耗架構(gòu)設(shè)計可通過溫度補償自刷新(TCSR)和有效存儲空間部分陣列自刷新(PASR)兩種方式，進一步降低在自刷新模式下的電流，耗電量可節(jié)省80％。Mobile RAM可以取代NOR Flash運行操作系統(tǒng)和應用軟件，或者部分代替NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲功能。

新型Mobile RAM通常采用非常有彈性的設(shè)計概念，將DDR與SDR接合以及x16和x32兩種界面放入同一個芯片設(shè)計，在后端封裝測試前采用bond option技術(shù)決定產(chǎn)品最終的接合(DDR或SDR)和界面(x16或x32)；具備單/雙面焊墊(pad out)接合版本，能配合任何組件級封裝、多重芯片封裝(MCP)或系統(tǒng)級封裝(SIP)。

手機等移動設(shè)備是Mobile RAM最大應用領(lǐng)域，特別是智能手機因為采用了應用處理器和嵌入式操作系統(tǒng)，對內(nèi)存的需求高達256M，甚至更高，Mobile RAM可為這些便攜式設(shè)備提供經(jīng)濟的高密度存儲方案。功能手機和智能手機一般采用NOR+LPDDR(Mobile RAM)的組合。在有些功能手機中，SLC型NAND和Mobile RAM的組合開始流行起來。3合1(SLC+Mobile+MLC)MCP封裝需求現(xiàn)在更加受手機制造商的青睞。