半導體產業新挑戰

之前推動半導體工業進步是兩個輪子，一個是特征尺寸不斷地縮小，另一個是硅片直徑擴大，而且總是以縮小尺寸為優先。但是，CMOS技術中的SiO₂基柵介質在經過近40年的不斷等比縮小之后，到2002年左右終于達到了極限，即只有1.2納米，5個硅原子厚度。如果再繼續縮小，將導致漏電流迅速增大。這也就是為什么英特爾之前一直推崇CPU以主頻高低來分擋，而至奔騰4主頻達4GHz后放棄的原因。所以盡管工業界對于45納米是否一定要采用高k介質及金屬柵工藝，尚未完全統一認識，但是下一步走材料創新是必由之路己達共識。近期英特爾公司首先在45納米工藝中采用高k及金屬柵工藝的成功，尤如為通向32及22納米工藝架起一座橋梁，具有里程碑的意義。歸納起來，如果大家還堅信每兩年工藝制程會跨上一個臺階，那半導體工業于09年時32納米，及2011年時22納米，再往下可能已很難準確預言。未來將面臨高k材料及金屬柵及光刻技術的兩方面挑戰。未來全球半導體業將形成微處理器，存儲器及代工加fabless三足鼎立局面。尤其是存儲器的超級大廠(月產12英寸硅片達15萬片，投資達50億美元以上)會盛行。

下一步PC及手機仍是半導體業中兩個最大的消費市場。據預測，全球低價PC在未來5年中可能有10億臺的增量；手機在新興市場的中國、印度、俄羅斯及巴西也有每年超過兩位數以上的增長。未來無線及節能產品將成為兩大熱點，接下來有可能是涉及人健康的巨大的醫療電子產品市場。可以相信，電子產品中半導體的含量會越來越來越高。因而，放在工業界面前的任務，繼續擴大半導體的應用范圍。讓新產品的性價比，為消費者吸引而產生購買欲望。