腦深部刺激電極的結(jié)構(gòu)優(yōu)化及其模擬分析

摘要：為了進一步揭示腦深部電刺激術(shù)中微腦電極的結(jié)構(gòu)與電刺激參數(shù)之間的關(guān)聯(lián)作用對神經(jīng)活動的抑制機理，利用有限元方法，研究微腦電極刺激觸點結(jié)構(gòu)對其作用區(qū)域的刺激范圍和刺激程度，分析結(jié)果表明，電極觸點陣列，特別是觸點長度和觸點間距是微腦電極結(jié)構(gòu)尺寸中的關(guān)鍵因素，也是對腦電極作用區(qū)域影響最大的結(jié)構(gòu)尺寸，電極觸點長度或觸點間距的增加將會增大對腦部的刺激強度和刺激范圍，同時觸點長度2倍于觸點間距將使得腦部的刺激更加平穩(wěn)、有效，電極觸點長度和觸點間距不僅直接影響其作用位置，而且影響其對腦部作用區(qū)域的刺激強度和刺激范圍的變化規(guī)律，研究結(jié)果為微腦電極的構(gòu)建提供了新的設(shè)計依據(jù)。

關(guān)鍵詞：腦深部刺激；電極；模擬分析；結(jié)構(gòu)優(yōu)化

中圖分類號：TN821；R742.5 文獻標識碼：A 文章編號：0253-987X(2008)12-1537-04