摘要:采用固態燒結工藝制備了位于反鐵電/鐵電相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反鐵電陶瓷樣品。通過測定樣品在快速單脈沖電壓激勵下的電子發射特性,得到了激勵電壓對發射電流的影響規律,發射電流隨激勵電壓增加而增加,當激勵電壓大于1.5kV時,發射電流趨于飽和。在單脈沖激勵下進行電子發射實驗,得到如下結果:在激勵電壓為800V、抽取電壓為0V的條件下,發射電流密度為1.27A/cm2;當抽取電壓增加到4kV時,獲得了1700 A/cm2的大發射電流密度。研究結果表明,室溫下PLZST的反鐵電陶瓷可在較低激勵電壓下實現電子發射,發射電流密度大,能夠工作于4Pa的低真空環境中。
關鍵詞:反鐵電陶瓷;電子發射;發射電流密度
中圖分類號:TN384;TN104 文獻標志碼:A 文章編號:0253—987X(2008)08—0977—05