電子束直寫模版電沉積制備圖案化磁記錄介質

鈔書哲　丁玉成　葉向東　李滌塵

摘要：以電子束直寫光刻圖形為模版，采用直流電沉積和數值模擬的方法，研究了鎳納米柱陣列圖案化磁記錄介質的制備工藝和模版電沉積過程中的沉積不均勻問題，研究結果表明，在加速電壓、曝光電流確定的條件下，電子束直寫光刻模版孔徑由曝光時間決定，模版的孔徑和孔距在10nm量級精確可調，在納米孔陣列模版中進行電沉積時，適當增大孔距，降低陰極電解電勢，可以減小電沉積過程中相鄰孔之間的相互干擾，提高電沉積的均勻性，從而為圖案化磁記錄介質的電沉積制備提供了一種新的方法。