云散天高秋月明

馬宇川

在本刊2009年7月下，我們已經搶先對Intel即將發布的Lynnfield核心處理器進行了詳細測試，并對其配套芯片組P55也進行了相關評測，相信大家從中感受到了Intel下一代主流平臺的強大威力。不過稍顯遺憾的是，由于測試時間較早，測試中的主板與處理器都屬于工程樣品，并不能代表產品的最終形態。那么實際上市的P55主板是怎樣的呢?處理器在加入PCI—E控制器后，超頻性能是否受到影響?還能支持Braidwood Support閃存加速技術嗎?為了讓各位讀者了解P55主板的真實狀況，本刊此次特別對華碩電腦送測的一款接近上市標準的P55主板進行了體驗。下面就讓我們撥開籠罩在P55主板上的神秘云霾，看看P55主板帶給我們的到底是驚喜還是失望?不過在體驗開始之前，還是先讓我們回顧一下P55芯片組的技術特性，以及上次測試中P55主板所暴露的問題。

優勢與問題并存

P55芯片組是Intel為下一代Lynnfield核心處理器設計的使用平臺。由于PCI-E 2.0總線控制器、內存控制器已經全部集成在處理器中，因此，P55芯片組的主要功能是起控制存儲、音頻與網絡設備的作用，并提供一定的擴展插槽。其作用僅相當于傳統意義上的南橋，所以P55芯片組采用簡潔的單芯片設計方案來實現以上功能。與此同時，考慮到主板芯片組在系統中作用的變化，該芯片組的名稱也由北橋MCH以及南橋ICH變為了PCH(Platform Controller Hub)，中文名稱叫做“平臺控制中心”。

規格方面，P55 PCH為用戶提供了14+USB 2.0接口、8個PCI-E 2.0通道、6組SATA 2.0存儲設備接口，并擁有Rapid Storage Technology~術，可組建RAID 011／5110磁盤陣列。需要特別指出的是，P55芯片提供的SATA接口中，有兩個接口是采用了FIS(FrameInformation Structure，幀信息結構)切換機制的端口倍增器，也就是說一個接口可以連接多個存儲設備，這些設備可以同時工作并進行數據傳輸。

在上次測試中，P552工程主板表現出了不俗的性能，其磁盤性能、USB'勝能的表現都相當突出，P55平臺功耗也有一定程度的降低。不過由于測試時間較早，測試中的主板與處理器都屬于工程樣品，因此在測試中我們發現P55SK程主板存在以下一些問題：

1首先是布局不合理，在上次測試中使用的P55主板上，P55 PCH的安放位置與顯卡插槽的位置較近，并使用較高的散熱器，導致第一根PCI-E x16顯卡插槽無法使用雙插槽設計的大型顯卡，第二根PCI-E x16顯卡插槽無法使用。

2BIOS中沒有調節處理器頻率的項目，無法進行超頻。

3在P55主板上出現了Braidwood Support力口速技術使用的閃存盤插槽，然而根據InteI的官方資料，只有定位更高的P57芯片組才能支持此技術，那么P55主板是否支持Braidwood Support呢?

接下來就讓我們通過對華碩P55主板的深度體驗，看看以上問題是否能得到解決。

顛峰設計華碩P7P55D EVO主板

與以往華碩主板命名有所不同，此次這款華碩P55主板型號后多了一個D，并增加了一個EVO后綴。其中D是英文“Xtreme Design”顛峰設計的縮寫，意味著主板在性能、安全、穩定性上都采用了優秀的設計。而EVO則是英文Evolution進化、演變的縮寫。采用這個后綴顯然想凸顯P55芯片組出現后主板將在形態、功能上發生巨大的變化。那么該主板的實際狀況如何呢?

設計布局更合理

這款主板采用標準的ATX大板設計、六層PCB，并在處理器供電部分使用了在P5Q、P5Q PRO等華碩P45主板上出現過的V型散熱片。揭開主板上的各種散熱片，可以看到P55 PCH被安置在了靠近主板左下角的位置，與各種存儲接口的距離很近。因此不論是從功能還是布局來說，PCH看起來更像一顆南橋芯片。同時PCH采用了扁平外形的散熱器，也令雙槽設計的大型顯卡插拔更加容易，不會受散熱器所影響。我們上次測試中碰到的顯卡安裝問題在華碩P7P55D EVO主板上得到了很好的解決。

強大的擴展能力

值得注意的是，這款主板為用戶提供了三根PCI—E x1 6顯卡插槽。由于Lynnfield核心的處理器只能提供16個PCI—E 2，O通道，因此主板上的第三根PCI-E x16插槽的帶寬是由P55 PCH提供，其實際帶寬為PCI—E x4 2，O。所以這塊主板具備組建x8+x8+x4三路CrossFireX的能力，與上一代P45主板相當。除此之外，主板還為用戶提供了2個PCI—E x1 2，O與2個PCI插槽，以及6個SATA 2存儲接口外，其中2個淺藍色接口為采用FIS切換機制的端口倍增器。值得一提的是，主板還通過集成Marvell的88SE9123磁盤控制芯片為主板提供T--個PATA并行存儲設備接口與兩個SATA 3，O接口。當前主板與存儲設備的SATA接口主要采用2，0標準，只能提供外部傳輸率3Gbps的傳輸速度，而SATA 3，0標準將傳輸速度提升到了6Gbps，并增加了新的NCQ串行指令，改進了電源管理功能。因此這也意味著華碩P7P55 EVO主板能夠連接未來速度更陜的存儲設備，并發揮出最大性能，從而為用戶提供更大的升級空間。

此外需要提及的是，這塊主板的I／O擋板采用了防EMI電磁干擾設計，能更好地保障用戶的健康。同時該主板還為USB接口配備了特有的ESD防靜電芯片，可以有效抵御靜電對主板芯片組的損害，提升了產品的安全系數。

豪華的處理器供電設計

雖然Lynnfield核心處理器采用了先進的45nm工藝制造，但由于內存控制器、PCI—E控制器全部集成在處理器內部，處理器架構較Core i7系列處理器也沒有明顯變化，因此如果加壓超頻后處理器也會產生較大的功耗。所以為了讓主板在超頻后可以穩定工作，為用戶提供更好的性能，這款主板采用了比較夸張的等效14市目供電設計。其中12相主要為處理器內核核心服務，另外2相則主要為處理器外圍核心電路如內存控制器、PCI-E控制器工作。每相配備一個全封閉電感與兩顆瑞薩科技的MOSFET(--顆K0355作為上橋、一顆K0353并聯組成下橋)。同時為了讓EPU PwM芯片獲得12相PWM信號，主板在供電部分還配~rT--顆名為PEM的3路單刀雙擲開關芯片。此外，得益于EPU PWM芯片的自適應能力，處理器供電電路還可以根據處理器負載大小進行4、8、12相的切換，以達到合理使用能源的目的。

豐富的功能

除了提供威盛VTl828s 7，1+2聲道高保真音頻芯片(DAC信噪比達1lOdB)、兩顆Realtek的PCI—E千兆網絡芯片外，這塊主板還集成了威盛VT6308P IEEEl394芯片，并為用戶提供兩個IEEE 1394接口(其中一個需從機箱前面板引出)。此外該主板還具備一些華碩產品的特色功能。在主板電源接口附近我們可以看到一個外形類似CMOS清空按鈕，但名為MemOK的內存重置按鍵。相信大家在超頻時都遇到這樣的問題，調高處理器外頻后導致內存頻率被隨動超頻，從而導致內存無法工作，系統無法點亮。在華碩P7P55EVO主板上，如果出現這種情況，只需要按--TMemOK，主板就會自動調節處理器外頻與內存比例，將內存的頻率及延遲參數直接下調到可以正常開機的水平，從而保證用戶不會被內存問題所困擾。

其它方面，從主板板載的EPUPwM芯片、Express Gate芯片，我們可以了解到，華碩主板的EPU一6節能技術、內嵌式操作系統等傳統特色技術在這塊P55主板上均一一得到了繼承。而且值得稱贊的是，此次華碩還集成了專為實現一鍵超頻功能的Turbo V硬件芯片，這樣無需進行軟件設定，只要通過外部控制器進行調節就可以實現實時超頻，從而為用戶帶來更好的性能。

性能實測

由于Intel要在9月份才會發布Lvnnfield的正式上市版處理器，因此我們現在只能采用未屏蔽超線程技術的Lynnfield工程版處理器對主板進行測試。考慮到打開超線程技術后會加大系統的功耗與發熱量，因此為考察主板在高壓環境下的表現，我們在測試中特別打開了超線程技術。從測試成績來看，配合Radeon HD 4890顯卡、雙通道DDR3 1333內存，系統發揮出了較好的性能表現。其中PCMark Vantage系統性能輕易地突破了6000分大關。游戲測試中，不論是CAPCOM最新發布的《生化危機5》還是流行的《鷹擊長空》，在1920×1080分辨率、最高畫質的設定下，系統都能獲得平均幀速超過60fps的成績。

而在溫度與功耗測試上，可以看出盡管P55主板省去了北橋芯片，但由于系統的“實質內容”(如內存、PCI-E的控制器并沒得到省略)，因此仍然具備較高的功耗。在滿載狀態下系統功耗達到了385W，所以如果要讓P55平臺在默認頻率下穩定工作，一臺500W的電源顯然是必要配置。發熱量上，由于Lynnfield處理器較以往產品集成度更高，因此即便采用12相供電設計，處理器供電電路在滿載狀態下也會產生很大的發熱量，MOSFET散熱片的溫度達到5"47，5℃。而P55 PCH雖然功能與南橋相比基本相同，并采用65nmW-藝生產，但在實際測試中我們發現，它的發熱量也不低，在滿載狀態下達到了52，5℃。

超頻測試

由于Lynnfield處理器相對于Core i7處理器來說只是簡化了內存控制器、集成了PCI，E控制器，并沒有實質上的變化。因此從理論上來說，Lynnfield處理器的超頻方法與Core i7處理器類似，即調高BCLK處理器外頻，并盡可能地降低內存、處理器QPI總線與處理器Uncore外圍核心頻率。而在實測中，我們發現，可能是由于BIOS還不完善的緣故，華碩P7P55 EVO主板BIOS里還未提供QPI與Uncore頻率調節項目，因此我們只有依靠調低內存頻率、提升處理器外頻的方法對處理器進行超頻。最終，在1，4V處理器電壓下，Lynnfield處理器可以穩定工作在195MHz×20=3，9GHzT，并可完成各類多線程測試，其CINEBENCH R10多核渲染性能提升到了18388分、《生化危機5》在1920x 1080分辨率、最高畫質設定下的平均幀速提升到T71，2fps，表現出了主板不錯的超頻能力。

需要注意的是，由于處理器在滿載狀態下的默認電壓只有1，08v'因此在大幅加壓后，系統的功耗與發熱量都大大提升。僅僅運行90秒的OCCT電源負載測試后，主板的MOSFET散熱片溫度就達到了59℃，同時系統的滿載功耗也提升到了555W。對于想在P55平臺上玩超頻的發燒友來說，—定要注意做好散熱工作，并購買600W以上的大功率電源。

再次體驗P55有感

1通過此次對華碩P55主板的深度體驗，我們可以發現這款接近上市形態的主板設計布局明顯改善，PCH“遷移”至傳統主板的南橋位置，并使用外形更加科學的散熱器，能為用戶提供三根PCI-E x16插槽，以及組建三路CrossFireX的能力。

2坦率地說，除了提供具備FIS切換機制的端口倍增器外，P55芯片組本身并沒有帶來太多的新功能。不過由于P55芯片組將具備較長的生命周期，對于主板廠商來說十分重要。因此從此次對華碩P55主板的體驗可以發現，主板廠商通過集成第三方芯片，為P55主板提供了像SATA 3，0、一鍵超頻、EPU一6等附加功能。可以預計，未來具備USB 3，0等新技術的P55主板也將出現。

3通過此次體驗，我們也可看出北橋在主板上的消失并不能為系統帶來功耗的大幅下降。PCI-E控制器、內存控制器繼續在處理器內部發揮著它們的作用，對于想對P55平臺進行超頻的發燒友來說，600W以上的大功率電源仍是必要裝備。

4在華碩P55主板上我們沒有發現Braidwood Support閃存盤的插槽。這顯示出，盡管之前在P55SE程主板上出現了閃存盤插槽或集成了閃存芯片，但它們都只是作測試之用，正式上市的P55主板是不會為用戶提供這一功能的。