采用PowerPAK 1212-8封裝的30VP溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology，Inc.推出采用 PowerPAK 1212－8封裝的 30 V P溝道第三代 TrenchFET功率 MOSFETSi7625DN。在這種電壓等級(jí)和3.3 mm×3.3 mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。

新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開(kāi)關(guān)。適配器開(kāi)關(guān)（在適配器、墻上電源和電池電源之間切換）通常是開(kāi)啟并且吸收電流。Si7625DN更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗，節(jié)省能源，延長(zhǎng)兩次充電之間的電池壽命，同時(shí)還可以減少發(fā)熱，減小PCB焊盤(pán)的面積。對(duì)于工業(yè)/通用系統(tǒng)中的電壓達(dá)24 V的負(fù)載切換和熱插拔應(yīng)用，該MOSFET的低導(dǎo)通電阻還可以減小電壓降。

Si7625DN在10 V和4.5 V下的導(dǎo)通電阻低至7 mΩ和11 mΩ，這些數(shù)值比此前3.3 mm×3.3 mm占位面積的30 V器件在10和4.5 V下的導(dǎo)通電阻分別低30%和39%。

新款MOSFET采用了Vishay此前發(fā)布的30 V P溝道第三代TrenchFET Si7145DP所采用的PowerPAK SO－8封裝。為滿足工業(yè)應(yīng)用的要求，第三代TrenchFET封裝讓設(shè)計(jì)者可在具有最大漏電流和功率耗散的PowerPAK SO－8（分別比SO－8高85%和79%）或節(jié)省空間的PowerPAK 1212－8之間進(jìn)行選擇。由于占位只有3.3 mm×3.3 mm，該器件的占位面積只有PowerPAK SO－8或 SO－8型封裝的 1/3。

MOSFET進(jìn)行了完備的Rg和UIS測(cè)試，符合ROHS指令2002/95/EC，符合IEC 61249－2－21的無(wú)鹵素規(guī)范。

咨詢(xún)編號(hào)：2010061015