飛思卡爾:使智能計量更加高效和安全

三款新MCU服務電表和流量計量

飛思卡爾半導體日前推出針對電表和流量計量的三個高級微控制器(MCU)解決方案，同時還推出了綜合智能表參考設計解決方案。飛思卡爾微控制器讓智能表的設計具有篡改檢測機制和實時使用情況監控功能，為客戶提供安全性更高的智能表產品。

隨著全球領先的企業改革過時的電網并建立智能電網，智能計量繼續表現出強勁的增長態勢。智能計量產品實現了與電力公司和消費者的雙向通信，以消除浪費，優化電力，并鼓勵減少耗能。

“我們的目標是向開發人員提供綜合的目口插即用解決方案，旨在降低成本，減少上市時間，同時讓每個人都更加貼近統一的智能電網，”飛思卡爾工業和多元市場微控制器部市場總監TeffBock表示。“飛思卡爾的智能能源技術能夠滿足整個電網中的智能計量和智能電網應用的需求，向全球客戶提供安全的下一代能源管理解決方案。”

飛思卡爾的先進器件有多項重要功能匯聚在一個芯片上，這是迄今為止在所有單一解決方案中最先實現的。借助飛思卡爾計量解決方案上的實時時鐘(KTC)，電力公司能夠根據一天中的時段、最大需求和負荷可用性等實施不同的費率。此外，KTC有篡改檢測機制，檢測偷電情況，檢測到篡改時向電力公司發送觸發或錯誤通知。如果發生主電源故障，它還能夠用其自有電池電源獨立運行，這又增加了安全性，以防止斷電時發生篡改情況。閃存的兩個獨立塊允許在一個閃存庫用新固件進行更新時，計量儀繼續在男一個閃存庫上運行，避免代價高昂的宕機。

智能表提供了一種經濟高效的方式測量能耗，按需實時定價，并最大程度地減少高峰負荷時的能耗，減少增加更多發電能力的需要。根據ABI Kesearch公司預測，到2015年全球將安裝大約2,12億智能電表一一五年內增加大約1.30億。全世界的政府正在快速執行策略實施項目，加快在家庭和辦公室里部署智能計量系統。

飛思卡爾智能表產品亮點

使用MCF51 EM256的多相電表解決方案

MCFSlEM256參考設計的突出優勢是：為多相位電表提供了完整的軟硬件參考設計，包括測量、校準和GUI軟件：并且優化了成本的高端單相位電表參考設計。

MCF51EM256的具體特點是：

·具有一個32位ColdFire V1 MCU內核，帶有乘法累積單元；

·包括針對美國110v和dEMEA／亞洲234 v的多相軟件和硬件參考設計；

·對流行標準(如國際電工委員會(IEC))的預認證；

·四個集成的16位SAKADC模塊和相位補償可編程時延塊，實現3相電能計量；

·帶有篡改檢測功能的獨立實時時鐘；

·靈活的LCD控制器能夠在超低功耗模式下運行，支持最多288個分段。

使用MC9S08LH64的低成本單相電表和能源監控的解決方案

9S08中央處理單元的優勢是：高達40MHz一足夠執行計算計量，比如RMS計算、有效功率和能源消耗：在低電壓下為電池驅動的應用提供高性能。

MC9S08LH64具體特點如下：

·具有8位S08內核：

·帶有靈活的、低能耗集成LCD驅動器的低成本單相電表解決方案：

·嵌入式超低能耗振蕩器實現低功耗模式下的準確時基：

·集成的16位SARADC能夠驅動低成本電能計量或用于電能監控：

·可按需提供成本優化的單相電表參考設計。

使用MC9S08GW64的單相電表、氣表和水表的解決方案

GW64參考設計是低成本單相參考設計，包含無線功能和完整的軟硬件；是優化后的煤氣表設計。MC9S08GW64的特點是：

·具有8位S08內核；

·集成的天然氣和水計量脈沖計數器提供產品處于停止模式時的自動的傳感器解碼和流管理功能，對于流量計量應用非常重要；

·電能計量模擬前端，提供兩個獨立的16位SAR ADC和相位補償可編程時延塊；

·正在開發中的多個參考硬件和軟牛設計，包括帶有集成的AFE的單相電表、以及天然氣和水表參考設計。

飛思卡爾計劃今年公布一系列適用于智能電網不同點的計量解決方案。

供貨情況

飛思卡爾針對單、三相電表的MCF51EM256器件目前已供貨，10，000件批量的建議零售價是3.97美元。MC9S08LH64器件已供貨，10,000件的建議零售價為2.79美元。MC9S08GW64產品的供貨情況將在今年內公布。

開發工具

飛思卡爾提供一流的針對智能表應用的硬件和軟件開發工具，幫助降低開發成本，簡化設計復雜性，加快上市時間。如需獲取在線培訓、視頻、網上演示、技術文檔及應用指南等，可登錄WWW.freescale.com／

飛思卡爾：RF功放專為中國TD—SCDMA打造

據ABI 2009年的調查表明，在無線基礎架構功率晶體管領域，Freescale的市場份額為63％市場。但這個市場專為中國TD-SCDMA設計的功放還不多。

2010年5月，飛思卡爾半導體公司發布兩款LDMOS射頻功率晶體管，為TD-SCDMA量身定制。MRF8P20160HSIL3晶體管和MRF8P20100HSR3器件均采用飛思卡爾最新的高壓第八代(HV8)LDMOS技術，性能水平位居業界前列。兩器件都提供對寬帶的固有支持，所以能夠在專為TD-SCDMA的運行而分配的兩個頻帶(1880—1920 MHz及2010—2025MHz)上提供它們的額定性能。這讓一個單獨的器件能夠為兩個頻帶提供服務。

TD-SCDMA基站中的特殊性在于放大器均采用Doherty架構，該架構包含兩個放大器。這通常要求在載波以及功放的末級功峰值路徑中配置單獨的RF功率晶體管。然而，飛思卡爾的LDMOS晶體管均采用“雙路徑”設計，其中，Doherty末級放大器的實施所要求的兩個放大器被集成在一個單獨的封裝內，可把所需器件的數量減少一半。

20160HSR3具有37W的平均射頻輸出功率(PldB壓縮下連續波(cw)輸出功率為160W)。45.8％的漏級效率，16.5 dB的增益。20100HSR3具有20W的平均射頻輸出功率(PldB壓縮下的連續波(cw)輸出功率為126W)，44.3％的漏級效率，16dB的增益。