中科院上海微系統與信息技術研究所硅基光子學研究獲突破性進展
2011-02-14 09:32:04
中國材料進展 2011年6期
中科院上海微系統與信息技術研究所硅基光子學研究獲突破性進展
日前，中科院上海微系統與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室SOI課題組在光子學研究方面取得突破性進展，研究結果發表在2011年5月20日出版的《Physical Review Letters》上(作者為:杜駿杰、王曦、鄒世昌、甘甫烷等)，并作為每期最亮點的工作之一，被選為Editors Suggestion。該工作已經引起國際同行的廣泛關注，美國物理學會在《Physics Aps Org》上作了專題報道。
光束的片上操控具有重要的理論意義和實際應用價值。傳統光學理論認為，光束彎曲時，路徑的曲率半徑不可以小于波長。已有研究者提出利用表面等離子體激元、高折射率粒子排列等近場方式突破這一限制。對于傳播中的光束，需要更加復雜的結構來實現這種亞波長偏轉。本研究成果利用了單個粒子在共振時共振模式的不同對稱性，在通過僅有幾個粒子組成的單層排列后，光束就可以發生90°彎曲(零曲率半徑)，且彎曲后的光與入射光在法線的同一側，發生了負折射現象。
上海微系統所信息功能材料國家重點實驗室SOI課題組致力于硅基光子器件、光電單片集成技術、硅基片上光互連技術等硅基光子學研究。在PRL發表的這一研究成果可望在高密度集成的硅基光子學中取得重要應用，為相關研究提供了新穎的光操控原理。這是繼2010年3月該課題組利用標準CMOS工藝平臺，在國內首次開發出10 Gbps速率的硅光調制器芯片之后，在光子學研究中取得的又一重大突破。
(摘自上海微系統與信息技術研究所)
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