三維晶體管震撼登場 摩爾定律仍將延續(xù)

三維晶體管意義非凡

3-D Tri-Gate使用超薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)二維晶體管上的平面柵極，就好比是讓原本平躺著的晶體管站立了起來。硅鰭片的三個面都安排了一個柵極，其中兩側各一個，頂上一個，用于輔助電流控制，而2-D二維晶體管只在頂部有一個。由于這些硅鰭片都是垂直的，晶體管可以更加緊密地靠在一起，從而大大提高晶體管密度。

這種設計可以在晶體管開啟狀態(tài)時通過盡可能多的電流，同時在晶體管關閉狀態(tài)(節(jié)能)將電流降至幾乎為零，而且能在兩種狀態(tài)之間極快切換。Intel還計劃今后繼續(xù)提高硅鰭片的高度，從而獲得更高的性能和效率。

Intel對22nm的3-D Tri-Gate三維晶體管非常有信心，預計它較之32nm平面晶體管可帶來最多37％的性能提升，而且同等性能下的功耗減少一半。也就是說同等體積的晶圓將能夠切割出更多的芯片核心，有效控制成本，同時使用三維晶體管的芯片也將更適應對體積、功耗有更高要求的小型掌上設備的需求。Intel也將很快大量投產(chǎn)代號Ivy Bridge的22nm芯片。

同行表現(xiàn)冷淡

雖然Intel將三維晶體管譽為革命性的技術，同時也希望通過它繼續(xù)延續(xù)摩爾定律，但同行業(yè)的其他廠商對此表現(xiàn)略顯冷淡。

盡管包括同行以及業(yè)內(nèi)分析師在內(nèi)的各種聲音都指出Intel過度拔高了三維晶體管，但作為業(yè)界的絕對巨頭，Intel的實力自然是值得信任的。而且Ivy Bridge也將很快問世，三維晶體管也將在這一代產(chǎn)品上證明自己的實力。當然，三維晶體管的目標并不僅是桌面平臺，移動和手持設備平臺將會是更刺激的挑戰(zhàn)。

Intel總裁兼CEO

Paul Otellini

Intel總裁兼CEO Paul Otellini稱：“英特爾科學家和工程師通過采用3-D結構，再一次實現(xiàn)了晶體管革命。隨著摩爾定律推進到新的領域，3-D結構將幫助人們打造令人驚嘆且能改變世界的設備。”

ARM市場部執(zhí)行

副總裁 Ian Drew

ARM市場部執(zhí)行副總裁Ian Drew表示，事實上這則消息并不那么讓人意外，3D技術已經(jīng)談論10年了。目前是Intel率先宣布該項技術，但相信隨后各家業(yè)者都會迎頭趕上。Intel的最新晶體管實際運行還有待觀察，但相信尚不至于威脅到ARM的未來幾季獲利。

臺積電研發(fā)部

資深副總裁 蔣尚義

臺積電研發(fā)部資深副總裁蔣尚義表示，自2003年以來公司一直在研發(fā)3D晶體管，但目前3D晶體管技術的工具和設計都還不成熟。臺積電目前采用28nm技術生產(chǎn)芯片，并計劃在2013年轉用更先進的20nm技術。當公司采用比20納米制程更先進的芯片生產(chǎn)技術，而2D晶體管的容量已達到極限時，才會考慮采用3D晶體管。