摘 要:EMI濾波器是抑制傳導(dǎo)電磁干擾的重要手段,但分立元件型濾波器由于其自身的缺點(diǎn)性能受到限制,而平面耦合型濾波器能夠很好改善傳統(tǒng)分立元件型EMI濾波器的缺點(diǎn)。在介紹平面耦合型濾波器結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,指出電感和電容參數(shù)是該類濾波器的最重要技術(shù)參數(shù)。通過(guò)對(duì)濾波器元件數(shù)值計(jì)算模型的建立和論證,說(shuō)明共模和差模電容可以通過(guò)解析表達(dá)式計(jì)算;差模電感,即共模模塊形成的漏感也可以采用解析表達(dá)式確定。但是,各線匝的電感由于與頻率密切相關(guān),無(wú)法采用對(duì)應(yīng)的解析表達(dá)式確定。
關(guān)鍵詞:平面EMI濾波器; 有限元法; 差模; 共模
中圖分類號(hào):TN91134 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1004373X(2012)22007605
0 引 言
開(kāi)關(guān)電源頻率和集成度的提高使得電磁干擾(EMI)成為電力電子系統(tǒng)愈來(lái)愈突出的問(wèn)題,嚴(yán)重影響系統(tǒng)內(nèi)外其他設(shè)備的正常運(yùn)行[1]。因此,消除電力電子系統(tǒng)內(nèi)該類電磁干擾對(duì)設(shè)備的“和諧”運(yùn)行具有重要的工程意義。
據(jù)研究,電力電子系統(tǒng)在工作范圍內(nèi),以傳導(dǎo)干擾為主,為此IEC規(guī)程設(shè)定,引起該類干擾的頻率范圍為0.15~30 MHz。消除或削弱傳導(dǎo)電磁干擾最有效的手段是加裝EMI“濾波器”(Filter)[24]。
EMI濾波器一般采用無(wú)源元件結(jié)構(gòu),即以電感、電容為基本組成單元,通過(guò)一定的電路組合能夠使得噪聲通過(guò)濾波器得以有效衰減。傳統(tǒng)EMI濾波器的電感和電容采用分立元件,占據(jù)了設(shè)備的較大體積,不符合開(kāi)關(guān)電源小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)。如何壓縮體積,并更加有效阻斷EMI路徑,成為發(fā)展新型EMI濾波器的重要方向。目前,具有代表性的發(fā)展方向是具有耦合磁集成特征的平面型EMI濾波器[5]。該類濾波器的核心是采用高介電常數(shù)的材料,將“電感”和“電容”進(jìn)行二合一的集成,從而將整個(gè)濾波器的差、共模模塊進(jìn)行“集成化”,為電力電磁系統(tǒng)的小型化提供了一條途徑。由此可見(jiàn),平面型EMI的核心仍然是“電容”和“電感”。因此,對(duì)該類濾波器電感和電容具體數(shù)值的確定具有重要的意義。目前,因?yàn)槠矫嫘虴MI研究機(jī)構(gòu)較少,只有美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)展開(kāi)類似的研究[6],所以對(duì)該類濾波器模塊電感和電容的確定參考資料甚少。鑒于以上原因,本文擬結(jié)合環(huán)形平面EMI濾波器,探索模塊電感、電容計(jì)算的基本方法,并與實(shí)驗(yàn)對(duì)比,探索一些合適的解析表達(dá)式,為設(shè)計(jì)平面型濾波器探索一些經(jīng)驗(yàn)。
1 平面型濾波器電容和電感確定原理
1.1 平面型EMI濾波器結(jié)構(gòu)
整個(gè)集成EMI濾波器的結(jié)構(gòu)如圖1所示,由銅箔線圈(2,3,7,8)、集成LC單元(4,6)、漏感層(5)、集成差模電容(1,9)及罐形磁芯構(gòu)成,各部分以適當(dāng)?shù)姆绞竭B接在一起。為降低整個(gè)集成EMI濾波器的高度,減小體積,罐形磁芯的一部分打磨成平板結(jié)構(gòu)。
圖1 平面EMI濾波器集成結(jié)構(gòu)LC單元和集成差模電容均為基本的“感容”集成模塊,其中前者集成了共模電感和共模電容,后者僅為“1匝”,用來(lái)實(shí)現(xiàn)集成差模電容,銅箔線圈用以增大共模電感。整個(gè)濾波器以差模電容1的一個(gè)端口作為輸入端口,另外一個(gè)差模電容器的端口9作為輸出端口。
1.2 電容計(jì)算原理
平面耦合EMI濾波器工作原理和分立元件型濾波器類似,均由共模和差模濾波模塊組成。對(duì)于平面環(huán)形結(jié)構(gòu)(見(jiàn)圖1),共模集成模塊(見(jiàn)圖2)由PCB板和緊密附著在板上的導(dǎo)線電感線圈組成,“耦合電容”指的是分布在上下PCB板上的電感線匝之間的電容,當(dāng)然非正對(duì)線匝之間也存在電容效應(yīng),這些電容均屬于“部分電容”。
圖2 共模集成模塊事實(shí)上,該類濾波器模塊中的線匝可以看作一個(gè)無(wú)接觸的導(dǎo)體,其間的電容為“部分電容”[7]。理論上,任意兩導(dǎo)體之間均存在電容效應(yīng),但是畢竟有強(qiáng)弱之分。所以,如能通過(guò)一定的數(shù)值計(jì)算能夠提取到占主導(dǎo)地位的“部分電容”,則為濾波器設(shè)計(jì)其間有關(guān)電容的計(jì)算帶來(lái)方便。顯然,尋找這些電容效應(yīng),采用數(shù)值計(jì)算的方法可以獲得較好的效果。
1.2.1 傳輸線耦合電容提取的原理
計(jì)算圖2中的耦合電容需要建立其靜電場(chǎng)模型(見(jiàn)圖3),“耦合電容”也就是“部分電容”,表示的是各帶電線匝電位與電荷之間的一種關(guān)系,即:q1=C11U10+C12U12+…+C1kU1k+…+
C1,2n-1U1,2n-1
qk=Ck1Uk1+Ck2Uk2+…+CkkUk0+…+
Ck,2n-1Uk,2n-1
q2n-1=C2n-1,1U2n-1,1+…+C2n-1,kU2n-1,k+…+
C2n-1,2n-1U2n-1,0
(1)式中“電容”Cij即為“部分電容”。
由模塊的結(jié)構(gòu)可見(jiàn)圖1、圖2,平面型共模模塊的耦合電容求解是軸對(duì)稱問(wèn)題,其泛定方程為L(zhǎng)aplace方程,即:2φ=0
(2) 結(jié)合給定的邊界條件,可求得部分電容:C11=q1/U10
C22=q2/U20
C2n-1,2n-1=q2n-1/U2n-1,0
(3)反復(fù)加載不同的邊界條件,可以求得所有的部分電容。
圖3 LC單元時(shí)諧場(chǎng)模型1.2.2 忽略邊緣效應(yīng)時(shí)——解析法求解耦合電容
若忽略共模模塊邊緣效應(yīng),可以通過(guò)解析表達(dá)式求得電容。
假設(shè)僅關(guān)注正對(duì)兩匝之間的電容,近似認(rèn)為“非正對(duì)”線匝間無(wú)電容耦合效應(yīng)。
對(duì)于平面型LC共模單元導(dǎo)線每單位面積帶有電荷τ,導(dǎo)線正對(duì)面積為S,距離為d,不難求得圖3介質(zhì)基板上下兩側(cè)導(dǎo)線圈間電壓是:U=τd/ε
(4) 則電容:C=εS/d
(5)1.2.3 計(jì)及邊緣效應(yīng)時(shí)——數(shù)值解法求解耦合電容
采用ANSYS軟件可以通過(guò)數(shù)值計(jì)算的方法獲得更加精確的結(jié)果。其中的CMatrix宏命令可以通過(guò)自動(dòng)加載不同的邊界條件求出所有的部分電容。這種方法考慮到了邊緣效應(yīng),但是建模和剖分求解的過(guò)程比較繁瑣,不利于工程應(yīng)用。
1.3 電感計(jì)算原理
平面型EMI濾波器共模集成模塊(見(jiàn)圖4)中“電感”是指上、下對(duì)稱線匝間的互感和線匝各自的自感。
圖4 共模集成模塊電感1.3.1 空心電感線圈電感
若忽略導(dǎo)線截面的影響,可以通過(guò)解析公式求得自感與互感。對(duì)于平面型LC共模正對(duì)面圓環(huán)型導(dǎo)線半徑分別為R1和R2,導(dǎo)線間距離為h,由文獻(xiàn)[8]可得圖4介質(zhì)基板上下兩側(cè)導(dǎo)線圈間互感:M=μ0R1R2f(k)
(6)式中:k=2R1R2h2+(R1+R2)2
(7)
f(k)=2k-kK(k)-2kE(k)
(8)
K(k)=∫π20dα1-k2sin2α
E(k)=∫π201-k2sin2αdα
(9) 對(duì)于自感,如圖5所示,根據(jù)文獻(xiàn)[9],求得自感:L=μ0R(ln8Rw+t-0.5)
(10)
圖5 單匝線圈自感求解1.3.2 有限元數(shù)值計(jì)算模型及其對(duì)應(yīng)的邊值問(wèn)題
對(duì)于時(shí)諧磁場(chǎng),如果欲考慮導(dǎo)線的集膚效應(yīng)或者系統(tǒng)中具有渦流效應(yīng)的導(dǎo)體,則文獻(xiàn)[89]的公式誤差極大。此時(shí),可以采用數(shù)值模型的計(jì)算方法。對(duì)于圖4的耦合電感可以建立其軸對(duì)稱時(shí)諧磁場(chǎng)模型(見(jiàn)圖3),鐵芯對(duì)計(jì)算結(jié)果有重要影響。在非渦流域,可選擇矢量磁位=α(r,z)eα為DOF(α簡(jiǎn)記作為),滿足:2=0
(11) 對(duì)計(jì)及渦流效應(yīng)的導(dǎo)體區(qū)域,滿足:2=-μT
(12)式中T為導(dǎo)體中總的電流面密度。對(duì)于有注入“凈”電流為S的截面:∫STdS=S
(13) 對(duì)無(wú)“凈”電流截面(如未載流導(dǎo)體S=0。直接求解T較難,一般分為兩項(xiàng):T=S+e=S+/ρ
(14)式中:S是一個(gè)虛擬“源”電流密度;e是渦流密度;ρ為導(dǎo)體的電阻率;為因渦流在導(dǎo)體中產(chǎn)生的感應(yīng)電場(chǎng)強(qiáng)度。=-(jω+)
(15)式中稱作“時(shí)間積分電勢(shì)”。
綜上式(11)~式(15),導(dǎo)體區(qū)域的泛定方程為:2-jωμ/ρ=-μS+μ/ρ
∫S[S-(jω+)/ρ]dS=S
(16) 在僅有一個(gè)導(dǎo)體i加載電流的條件下,則可以通過(guò)求解整個(gè)系統(tǒng)的磁場(chǎng)能量Wm而獲得導(dǎo)體i的自感:Lii=2Wm/I2i
(17) 其余導(dǎo)體的自感可以通過(guò)對(duì)自身電流的加載而獲得。
同時(shí)在導(dǎo)體i和導(dǎo)體j中加載電流有效值Ii和Ij,則磁場(chǎng)能量Wm可求得,又:Wm=LiiI2i/2+LjjI2j/2+LijIiIj
(18)結(jié)合所求得的自感Lii和Ljj可以求得互感Lij。
2 原型濾波器電感和電容計(jì)算
2.1 耦合電容提取
忽略邊緣效應(yīng),設(shè)平面型LC單元圓環(huán)形導(dǎo)線內(nèi)徑為R1,外徑為R2,介質(zhì)基板厚度為d,用表達(dá)式可求得介質(zhì)基板上下兩層導(dǎo)線之間電容為:C = επ(R22-R21)d
(19) 與有限元數(shù)值計(jì)算軟件結(jié)果對(duì)比可以得到解析表達(dá)式的誤差(以6匝線圈為例并對(duì)導(dǎo)體重新編號(hào),見(jiàn)圖6)。
2.2 基準(zhǔn)導(dǎo)體組的選擇
同一LC結(jié)構(gòu)線匝對(duì)數(shù)較多,不便于比較分析,必須選定基準(zhǔn)導(dǎo)體組計(jì)算誤差。通過(guò)比較同一LC單元誤差分布,可以選擇以誤差最大的“線匝對(duì)”為研究對(duì)象,其他“線匝對(duì)”誤差要求也將自動(dòng)滿足。
圖6 平面型LC單元解析表達(dá)式誤差改變平面型LC單元介質(zhì)倍數(shù),可得“線匝對(duì)”分布誤差(見(jiàn)圖7)。可以得出,當(dāng)LC單元介質(zhì)厚度在1.5 cm時(shí),最內(nèi)側(cè)“線匝對(duì)”誤差最大。改變導(dǎo)體“線匝對(duì)”數(shù)目(見(jiàn)圖8),證明結(jié)論成立。因此選擇“線匝對(duì)”數(shù)目為6、介質(zhì)厚度為1 cm、導(dǎo)線寬為1 cm、空氣隙寬為0.5 cm的平面型LC單元作為標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)體。
圖7 平面型不同介質(zhì)厚度時(shí)誤差分布2.3 影響誤差因素探索
2.3.1 介質(zhì)厚度
對(duì)平面型LC單元,在小于1.5 cm的范圍內(nèi)不斷增加介質(zhì)厚度,解析表達(dá)式誤差逐步增大(見(jiàn)圖9)。
2.3.2 導(dǎo)體寬度
不斷減小空氣隙寬度,平面型LC單元導(dǎo)體電容誤差不斷減小(見(jiàn)圖10)。
2.3.3 空氣隙寬度
不斷減小空氣隙寬度,平面型LC單元導(dǎo)體電容誤差不斷減小(見(jiàn)圖11)。
圖8 平面型不同匝數(shù)時(shí)誤差分布
圖9 平面型不同厚度時(shí)誤差分布
圖10 平面型不同導(dǎo)體寬度時(shí)誤差分布2.4 平面型EMI濾波器線匝電感計(jì)算
選擇3,4,5匝共模LC單元進(jìn)行電感計(jì)算,各LC元件的結(jié)構(gòu)參數(shù)如表1所示。
2.5 自感計(jì)算
在如上建立模型正確性和準(zhǔn)確性的基礎(chǔ)上,以典型模塊結(jié)構(gòu)為代表,以3匝集成LC單元為例計(jì)算自感和互感,如圖12所示。計(jì)算顯示,無(wú)磁芯LC單元電感基本不隨頻率改變而變化,只取決于其結(jié)構(gòu)的各項(xiàng)參數(shù)。這是因?yàn)镻CB導(dǎo)線截面積較小,集膚效應(yīng)尚未得到充分體現(xiàn),為使用解析表達(dá)式來(lái)計(jì)算無(wú)磁芯LC單元的電感提供了前提條件。
為方便說(shuō)明,對(duì)圖3中的上下導(dǎo)體進(jìn)行編號(hào),從左至右依次為1,2,3…,如圖13所示(以3匝為例)。對(duì)表1的結(jié)構(gòu)參數(shù)分別運(yùn)用有限元法和解析表達(dá)式進(jìn)行計(jì)算,并比較兩者的值(見(jiàn)圖14)。可以看出,解析表達(dá)式的相對(duì)誤差最大的不超過(guò)4%,屬于正常范圍內(nèi),因?yàn)槭剑?)和式(7)本身存在一定的誤差,所以對(duì)于無(wú)磁芯集成LC單元的電感在提取時(shí),可以使用解析表達(dá)式來(lái)提取,大大簡(jiǎn)化了計(jì)算量,方便了研究與設(shè)計(jì)。
圖12 無(wú)磁芯LC單元電感在實(shí)際應(yīng)用中,有磁芯的集成LC單元才是需要重點(diǎn)關(guān)注的。遺憾地是,并沒(méi)有檢索到含有磁芯環(huán)狀導(dǎo)體的電感計(jì)算解析表達(dá)式。因此,只能采取有限元法來(lái)進(jìn)行計(jì)算,計(jì)算結(jié)果如圖15所示。
由圖15可以看出,高頻時(shí)LC單元各匝自感基本相等,且匝間互感與各自的自感也基本相等,這是因?yàn)樵诰哂需F芯的濾波器中,各線匝之間耦合程度較好。所以,在近似計(jì)算時(shí),可以以某一匝的自感等效替代所有自感和互感,為計(jì)算帶來(lái)方便。
本文以平面集成EMI濾波器為研究對(duì)象,對(duì)其電感和電容的確定展開(kāi)研究,得到如下一些結(jié)論:
(1) 所有“線匝對(duì)”中耦合電容以正對(duì)線匝為主,非正對(duì)線匝間的耦合電容在一定程度上可以忽略不計(jì)。
(2) 以LC單元“正對(duì)線匝”間耦合電容為基準(zhǔn),分析了近似解析法與有限元之間的誤差:該誤差與導(dǎo)體寬度、介質(zhì)厚度、空氣隙厚度有關(guān)。
(3) 無(wú)磁芯集成LC單元的電感并不隨著頻率的變化而改變,只取決于其結(jié)構(gòu)的各項(xiàng)參數(shù)。因此,可以使用解析表達(dá)式來(lái)計(jì)算,且與數(shù)值計(jì)算法相比,誤差在允許的范圍內(nèi)。
(4) 帶磁芯的LC單元的電感只能采取數(shù)值計(jì)算法來(lái)提取,且各匝自感基本相等,匝間互感與各自的自感也基本相等,可以考慮用一個(gè)數(shù)值代替。