0 引言
隨著超大規模集成電路的制造工藝的進步,在單一芯片上動態隨機存儲器實現了更高密度的比特位,使得計算機系統在計算速度迅猛發展的同時,內存容量極大的擴大。伴隨著集成度的提高,存儲器單元呈現失效的可能性隨之增大,失效的形式和原因也趨于更加復雜化。存儲器測試的目的是確保其每個單元能夠存儲數據并且惟一的尋址、讀、寫。存儲器的測試面臨兩方面的要求:較高失效類型覆蓋率,盡可能檢測出潛在的存儲器故障;較少的存儲器操作,以便縮短檢測時間。因此存儲器測試應能夠在一定的測試時間內得到可能的最佳故障覆蓋率。由于對存儲器進行物理檢測是不可能的,可行的辦法是將待測存儲器的訪存結果與認定無故障的存儲器的訪存結果做比較。