陳明 胡安 唐勇 汪波
摘要:建立了電熱耦合和損耗熱場耦合計算模型,采用該模型,獲得了相同外部條件下的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片結溫波動特性及溫度分布特征,完成了使用紅外熱成像實時探測短時脈沖工作方式下IGBT芯片表面溫度波動及分布特性的預測,探測結果表明,在一定散熱奈件和占空比不大的情況時,短時脈沖間歇等非周期瞬態工作方式下芯片表面溫度快速上升之后,進入一個緩慢的上升周期,實驗也表明,在特殊工作場合時可突破器件手冊推薦使用的最大電流值,利用建立的熱分析模型,還可以實現對不同工作方式下器件結殼溫差和結溫波動幅度的預測。
關鍵詞:絕緣柵雙極型晶體管;短時脈沖;結溫特性;溫度分布;電熱耦合