CPU進(jìn)入22納米時(shí)代

22納米的晶體管有多大？一個(gè)針頭可以容納超過(guò)1億個(gè)22納米晶體管；印刷體小四號(hào)字體句號(hào)可以容納超過(guò)600萬(wàn)個(gè)22納米晶體管；人類頭發(fā)的橫截面可以容超過(guò)4000個(gè)22納米的晶體管。

在英特爾最新發(fā)布的第三代智能酷睿處理器上，有近14億個(gè)這樣的晶體管，而且這些晶體管也非普通的晶體管，而是采用了3D三柵極技術(shù)的晶體管。

兩“好”促一“好”

在發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，英特爾公司全球副總裁兼中國(guó)區(qū)總裁楊敘宣布說(shuō)：“第三代智能酷睿處理器是業(yè)界第一個(gè)實(shí)現(xiàn)了22納米工藝的量產(chǎn)處理器，也是業(yè)界第一個(gè)采用3D三柵極晶體管技術(shù)的處理器。”

事實(shí)上，在不同的場(chǎng)合，包括楊敘在內(nèi)的多位英特爾高層人士屢次強(qiáng)調(diào)，3D三柵極晶體管是晶體管技術(shù)發(fā)展道路上的一次變革。3D三柵極晶體管技術(shù)加上22納米制造工藝為何能給處理器性能帶來(lái)飛躍？

與傳統(tǒng)的平面晶體管不同，英特爾的3D三柵極晶體管使得晶體管通道增加到三個(gè)維度，電流可以從通道的頂部和兩個(gè)側(cè)面來(lái)控制，一改傳統(tǒng)平面晶體管只從頂部控制電流。正是這項(xiàng)技術(shù)使進(jìn)一步提高晶體管密度成為可能，其結(jié)果就是能更好地控制晶體管的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，最大程度地利用晶體管開(kāi)啟狀態(tài)時(shí)的電流，并在關(guān)閉狀態(tài)時(shí)最大程度地減少電流溢出。

數(shù)據(jù)顯示，與上一代32納米平面晶體管相比，新的22納米3D三柵極晶體管在低電壓下能將性能提高37%，并且只需要消耗不到一半的電量就能達(dá)到與前者一樣的性能。

楊敘還透露，22納米的處理器將是英特爾通用處理器的絕唱。未來(lái)英特爾處理器將會(huì)朝著SoC方向發(fā)展。“有了制造工藝的保證，針對(duì)不同應(yīng)用，英特爾可以打造各種不同處理器，各種處理器上集成的模塊也會(huì)不盡相同，以滿足用戶各式各樣的個(gè)性化需求。”

“Tick+”提升視覺(jué)體驗(yàn)

近年來(lái)英特爾一直堅(jiān)守著“Tick-Tock”鐘擺式的處理器演進(jìn)規(guī)則，即一年提升晶體管制造工藝（Tick），一年革新處理器微架構(gòu)（Tock）。此次第三代智能酷睿處理器的“鐘擺”似乎快了1秒，即除了制造工藝從32納米步入22納米，同時(shí)將處理器核芯顯卡的架構(gòu)進(jìn)行了更新。據(jù)悉整個(gè)處理器中14億個(gè)晶體管中有1/3都用在了核芯顯卡上。

“我們稱之為‘Tick+’，之所以能夠在同一時(shí)間內(nèi)更新芯片架構(gòu)和制造工藝，是因?yàn)橛⑻貭柺菢I(yè)界少數(shù)幾個(gè)能夠同時(shí)設(shè)計(jì)和制造芯片的公司之一，英特爾在集成設(shè)備制造方面的能力保證了我們能夠做到兩者同時(shí)更新。”英特爾中國(guó)客戶端平臺(tái)經(jīng)理張健說(shuō)。

“Tick+”帶來(lái)的直接結(jié)果就是，第三代智能酷睿處理器配有英特爾核芯顯卡HD4000，與上一代相比性能得到很大提升，尤其是3D圖形性能更是實(shí)現(xiàn)雙倍提升，而且HD4000支持Microsoft DirectX11、OpenGL 3.1和OpenCL1.1，用戶在視覺(jué)方面的體驗(yàn)進(jìn)一步提升。此外，第三代智能酷睿處理器還具有豐富的連接性，集成USB3.0、支持Thunderbolt（雷電）、PCI-E3.0、同步三屏獨(dú)立顯示。 （計(jì)算機(jī)世界評(píng)測(cè)實(shí)驗(yàn)室將會(huì)在近期推出第三代智能酷睿處理器的全面評(píng)測(cè)，敬請(qǐng)讀者關(guān)注。）