英特爾與美光以創新鞏固NAND閃存技術領導地位

12月6日，英特爾公司和美光科技公司宣布推出全球首款20nm制程128 Gb多層單元（MLC）NAND設備，在NAND閃存技術領域樹立了新的標桿。兩家公司還宣布開始量產其20nm制程64Gb NAND閃存，進一步擴展了雙方在NAND制程工藝技術領域的領導地位。

單片容量達128Gb的全新20nm制程NAND設備是由英特爾與美光的合資企業——IM Flash Technologies（IMFT）開發而成，它也是業內首款通過在指尖大小的封裝中僅集成8塊芯片來實現1Tb數據存儲容量的NAND設備。與英特爾及美光現有的20nm制程64Gb NAND設備相比，新設備在存儲容量和性能方面均提升了一倍。它還符合高速ONFI 3.0（Open NAND Flash Interface 3.0）規范，傳輸速度可達333 MT/s（每秒百萬次傳輸），可為用戶帶來更加經濟高效的固態存儲解決方案，以滿足當今纖薄時尚型產品，包括平板電腦、智能手機和大容量固態硬盤（SSD）的設計需求。

英特爾和美光表示，通過在12月開始量產20nm制程64Gb NAND閃存產品，將有助于在2012年快速轉換到128Gb設備的生產。128Gb設備的樣品將在2012年1月份推出，緊接著在2012年上半年就可實現批量生產。