納米點電子記憶體速度奇高
2012-04-29 00:00:00
大眾科學 2012年6期
美國和臺灣的研究人員利用納米點創建的新電子記憶體技術，在寫入和擦除數據方面比當今主流電荷存儲內存產品要快10至100倍，打破了世界紀錄，其獨特的記憶存儲方法保證了穩定與長期性，而材料和工藝也與目前主流的集成電路技術兼容，既能滿足當前的CMOS工藝生產線，也可應用于其他先進設備的結構，
美國和臺灣的研究人員利用納米點創建的新電子記憶體技術，在寫入和擦除數據方面比當今主流電荷存儲內存產品要快10至100倍，打破了世界紀錄，其獨特的記憶存儲方法保證了穩定與長期性，而材料和工藝也與目前主流的集成電路技術兼容，既能滿足當前的CMOS工藝生產線，也可應用于其他先進設備的結構，
