唐 炬 裘吟君 曾福平 袁靜帆 張曉星
(1.重慶大學輸配電裝備及系統安全與新技術國家重點實驗室 重慶 400044 2.海南電力公司 海口 570100)
由于六氟化硫(SF6)氣體具有優良的絕緣特性和電負特性,被廣泛應用于氣體絕緣組合電器(Gas Insulated Switchgear,GIS)等電氣設備中[1-3]。正常情況下,SF6氣體是一種化學性質十分穩定的無色、無味、不可燃氣體,但在GIS內部出現局部放電(Partial Discharge,PD)時,SF6會發生不同程度的分解,生成如SF5、SF4和SF3等低氟化物,對于純凈的SF6氣體,絕大部分的低氟化物會復合還原成SF6[4];但是由于SF6氣體不純或GIS設備密封不嚴等原因,使得SF6氣體中不可避免地會含有微量水分(H2O),它會與這些低氟化物反應,使得這種分解-復合平衡被打破,同時生成更多更復雜的組分,如SOF2、SO2F2、SOF4、SO2、HF、H2S等,其中一些生成物水解后形成的酸性物質,對GIS設備內部固件有腐蝕作用,嚴重時會損壞設備內部固體絕緣,從而降低設備的整體絕緣性能,對設備的安全穩定運行造成威脅[5]。另外,SF6氣體中的微水通常以水蒸氣的形式存在,當溫度降低時,可能在設備內部結露,與內部的各種污染物混合后,附著在固體絕緣子的表面,容易引起沿面放電甚至閃絡。因此,在GIS設備中應嚴格控制水分,GB/T18867—2002[6]和DL/T596—1996[7]對運行中的GIS設備SF6氣體含水量允許值做了嚴格規定,如下表所示。

表 SF6氣體含水量體積分數允許值(20℃時)Tab.Standards of H2O contents in GIS(20℃)
國內外的初步研究結果表明,H2O對PD作用下SF6最終分解組分的種類、含量及其變化規律等均有顯著影響[8,9]。因此,在利用PD作用下SF6氣體的分解特性來評判GIS設備內部PD類型和總體PD程度時[10],會因H2O含量的不同帶來誤差,甚至出現誤判。但是目前關于微量H2O對PD下SF6分解組分最終生成物形成機理及影響規律的研究還不夠深入,因此,本文利用研制的SF6氣體PD分解試驗平臺,以針-板電極模擬GIS設備中常見的高壓導體突出物絕緣缺陷,通過產生相同強度的PD使SF6氣體發生分解,研究不同H2O含量、不同PD時段下各特征分解組分形成機理和含量變化,為利用SF6氣體分解特性對GIS進行在線監測及故障診斷奠定理論基礎。
GIS設備中出現的PD一般屬于低能放電,且設備的溫度不會很快升高,此時引起SF6的分解主要是PD下的電效應。在GIS設備氣室內,各種絕緣缺陷引起的穩定PD都可分為輝光區、離子漂流區和常態氣室區三個區域[11],如圖1所示。SF6分解機理、生成組分以及穩定含量除與各區域的能量分布、絕緣缺陷有極大關系外,還與H2O等雜質含量有關。

圖1 局部放電下SF6氣體分解機理Fig.1 Decomposition mechanism of SF6 under PD
在PD產生的輝光放電區,由于電場強度較大,呈現出高電場能致使SF6氣體發生分解,生成各種離子團或原子團[12]。輝光放電區的分解反應主要因高能電子的碰撞所致,其表現形式為

在微量H2O存在的情況下,SF6分解生成的低氟化物還原成SF6的平衡將被打破[13],由H2O產生的OH和O與由反應式(1)和式(2)生成的多種低氟硫化物將進一步發生反應式(3)~式(10),可生成SO2F2、SOF2等特征分解產物[14]。

在主氣室中少量低氟硫化物及以上所產生的生成物與H2O還可發生如下水解反應[15-18]


HF是非常活潑且極不穩定的強酸性物質,容易與GIS設備內部金屬、有機絕緣材料等反應生成穩定的氟化物,其含量會隨著PD時間的增長而減少,因此HF不適合作為SF6分解組分的特征氣體。另外,當PD涉及有機絕緣和金屬材料時,激發出的C還可與F和O發生反應生成CF4和CO2

初步研究發現,SOF2和SO2F2是SF6氣體在PD下生成的主要特征氣體。同時,SOF4主要形成于PD中,且極易水解并生成SO2F2。因此,本文主要選擇化學性質相對穩定,且能反映GIS絕緣狀況的CF4、CO2、SO2F2和SOF2作為PD下SF6氣體特征分解組分進行分析研究,其中CF4和CO2可作為反映固體絕緣材料性能的指標,SO2F2和SOF2可反映SF6氣體絕緣劣化的程度。
試驗在已研制的SF6氣體放電分解實驗裝置上進行[19],試驗接線如圖2所示,用針-板電極(距離為1.0cm)模擬GIS設備中常見的高壓導體金屬突出物絕緣缺陷。外施試驗電壓控制在能使缺陷模型產生穩定的PD,但不超過設備固有起始PD電壓Ug。對PD使SF6氣體發生分解生成的組分混合樣氣選用Varian CP—3800氣相色譜分析儀進行定量測定。色譜分析儀采用99.999%以上的高純He作為載氣,使用填充柱(Porapak QS)和特制毛細柱(CP-Sil5CB 60mtr×0.32mm)并聯工作方式(其工作條件為流速2ml/min、柱溫恒溫40℃、進樣量1mL和分流比10∶1),并配備雙脈沖式He離子檢測器(PDHID,檢測精度可達0.01×10-6),能夠有效分離并檢測PD作用下SF6氣體的主要分解組分CF4、CO2、SO2F2、SOF2等。

圖2 SF6放電分解實驗接線圖Fig.2 Test wiring diagram
在GIS氣室中,H2O不僅僅存在于SF6氣體中,其內部固體表面也會吸附微量的H2O,這部分H2O會逐步慢速釋放,很難通過短時間抽真空完全排除,因此,GIS設備內部總體水分應包括氣相和固相兩種水分,固相水分釋放到氣相中是一個放熱過程,氣相水分吸附到固相中是一個吸熱過程[20],由此可見氣室溫度會直接影響微水的測量。所以,DL/T596—1996[7]中規定對SF6氣體的水分測量需采用20℃時的體積比分數來表示。
由于GIS設備內部氣體的H2O含量要達到平衡需要一定穩定時間,為了獲取該時間值以便實驗的開展,首先對PD分解實驗裝置中H2O含量穩定平衡時間開展試驗研究,在相同條件下做了兩種試驗:一種是用SF6新氣在真空下對放電室沖洗3次以除去各種雜質氣體,再向氣室充入0.2MPa的SF6新氣;另一種是在氣室內壁涂少量水膜(不形成水滴)后,同樣用SF6新氣在真空下沖洗3次后向氣室充入0.2MPa的SF6新氣。使用DMP-10精密露點儀測量混合氣體的微水體積分數,記錄下兩種情況氣室中H2O含量變化,并將記錄數據換算至20℃時體積比分數,實驗結果如圖3所示。可以看出兩種情況下氣室里的H2O含量均在0~24h增長較快,之后飽和趨勢明顯,且充氣48h后SF6氣體中H2O含量基本達到穩定,24h后H2O含量可以達到穩定值的93%以上。為此,在進行微水含量測定的試驗時,無論放電氣室內壁是否經過處理,都需放置24h以上,且按照IEEE所給的標準[21]將測試數據換算至20℃時體積比分數。

圖3 GIS內部氣體的水分含量隨時間變化Fig.3 Gas moisture vs time in GIS
為了模擬GIS設備內部在H2O正常和超標情況下SF6的分解情況,本文共對520×10-6、1 550×10-6、3 280×10-6、4 940×10-6、8 000×10-6、10 200×10-6、11 540×10-6(體積分數)7種H2O含量的SF6氣體進行了PD分解試驗。
試驗按照以下步驟進行:
(1)測試裝置固有PD起始電壓Ug和缺陷PD起始電壓Ud。經測試,當放電室充入0.2MPa高純SF6時,實驗裝置的Ug為45kV,放置人工模擬缺陷(針-板電極,間距d=10mm)后PD起始電壓為15kV,本文在有人工模擬缺陷時外施電壓為24kV。
(2)試驗前用乙醇清洗氣室內壁和人工缺陷模型,之后將人工缺陷放入氣室中,用SF6新氣在真空下對放電室沖洗3次以除去各種雜質氣體,在氣室內壁涂上不同量的純凈水,以達到模擬GIS中不同微水含量,在真空下注入SF6新氣直至氣室內氣壓為0.2MPa,并靜置24h使氣室中的H2O達到平衡。
(3)用HY-YF氧氣分析儀進行測定,使放電氣室中的空氣含量滿足IEC60480—2004標準要求;用DMP-10精密露點儀測量水分含量,以保證在不同H2O含量下進行試驗。
(4)對人工缺陷模型施加試驗電壓,使缺陷模型產生持續穩定的PD,PD下的脈沖電流信號通過檢測阻抗和數字存儲示波器(模擬頻帶1GHz,采集率20GHz,存儲深度48MB)進行監測和記錄,并保持每次試驗條件相同。
(5)每隔8h采集一次SF6放電分解組分樣氣,進行色譜含量分析,共進行48h氣體分解試驗。
當H2O含量不同時,SF6在PD作用下均有CF4生成,但總體含量較少,如圖4所示。在一定PD時間下,隨著H2O含量的增加,CF4組分含量不斷減少,說明H2O的增加阻礙了CF4的生成。分析其原因:CF4中C主要來源于PD區域附近固體有機絕緣材料的釋放,與PD強度有一定關系,當PD強度一定且位置固定時,C的含量變化不大;F由SF6在電子的撞擊下分解產生,其化學性質活潑,可以與金屬等反應生成穩定的化合物;C和F在高能放電區才易結合,而本氣室的固體有機絕緣材料沒有位于PD高能區,因此,CF4總生成量較少。當有H2O存在時,化學性質活潑的F更容易與H2O相結合發生復雜的化學反應,使得F漂移出PD高能區與C發生反應的概率減少,所以H2O的增加會阻礙CF4的生成。

圖4 不同H2O含量下CF4含量變化情況Fig.4 CF4 in comparison after different H2O contents
在一定PD試驗時間下,CO2組分含量的變化隨H2O含量的關系如圖5所示。可以看出無論H2O含量的高低,CO2的生成量都較CF4高,且CO2組分含量隨著H2O含量的增加總體呈現增大趨勢,且有一定分散性,即H2O濃度對CO2的生成規律有一定的影響,原因是固體絕緣材料釋放出的C與H2O分解得到的O結合生成CO2,固體絕緣材料釋放出的C有限,并要參與生成CF4等其他含C氣體,且O主要是在PD高能區通過反應式(3)和式(4)產生,而該區域中由于反應式(1)的大量進行,含有豐富的F,所以此時所生成的O更容易與化學性質活潑的F相結合,生成含氧的硫氟化物的組分,而不易漂移出PD高能區與C結合。因此,H2O對CO2的生成有一定的影響,但影響不大。在不同H2O含量下,SO2F2和SOF2的生成對比情況分別如圖6和圖7所示,可以看出,在一定PD時間下,SO2F2和SOF2的產氣量隨H2O含量的增長呈倒U型曲線,即H2O含量的增加對SO2F2和SOF2的生成有先促進后抑制的作用。當H2O含量小于8 000×10-6時,在相同PD時間和H2O含量下,SOF2的產氣量均高于SO2F2的產氣量,且SOF2和SO2F2的產氣量都隨H2O含量的增加而增加;當H2O含量大于8 000×10-6時,其產氣量都隨H2O含量的增加而減少。

圖5 不同H2O含量下CO2含量變化情況Fig.5 CO2 in comparison after different H2O contents

圖6 不同H2O含量下SO2F2含量變化情況Fig.6 SO2F2 in comparison after different H2O contents

圖7 不同H2O含量下SOF2含量變化情況Fig.7 SOF2 in comparison after different H2O contents
在不同H2O含量下,將同一PD時間的SO2F2濃度與SOF2濃度相比,得到φ(SO2F2)/φ(SOF2)與H2O含量的變化情況,如圖8所示。可以看出,在同一個PD時間下,隨著H2O濃度的增加,φ(SO2F2)/φ(SOF2)先減小后增大,呈U型曲線規律,即H2O對SOF2的促進和抑制作用均強于SO2F2。
由于輝光放電區SF6主要的分解產物是容易復合的SF5,而SF2、SF4占未復合分解產物的絕大部分,比較穩定,SOF2主要由SF2、SF3和SF4在放電輝光區與O和OH反應生成,如反應式(7)~式(10);SO2F2主要由SF5與O和OH反應生成的SOF4及之后的水解反應生成,如反應式(5)、式(6)和式(12)。少量SF4等分子團向主氣室游離,在PD區域外發生式(11)的反應,生成少量SOF2。因此當H2O含量為520×10-6時,SOF2的產氣量高于SO2F2,此時φ(SO2F2)/φ(SOF2)小于1。

圖8 φ(SO2F2)/φ(SOF2)隨不同H2O含量的變化情況Fig.8 φ(SO2F2)/φ(SOF2)in comparison under different H2O contents
當SF6中H2O含量逐漸增多時,SF6電負性能下降,放電氣室內絕緣強度降低,PD頻率變大,使SF6分解加劇生成更多的低氟化物參與反應,此時H2O對SO2F2和SOF2的生成有促進作用,且當H2O含量升高時,SF2、SF3和SF4更容易捕捉到O和OH,而SO2F2增長速率不如SOF2,隨著H2O含量增加,φ(SO2F2)/φ(SOF2)逐漸減小。
當H2O含量大量增加達到8 000×10-6時,由于SOF2容易水解,氣室里開始大量發生如式(13)的水解反應使SOF2產氣量開始減少;而SO2F2相對較穩定,且H2O增加使生成SO2F2的反應加強,SO2F2繼續增加,φ(SO2F2)/φ(SOF2)曲線開始上翹。
當H2O進一步增大時,SOF2水解加劇,其產氣量大大減少。此時H2O含量很大,由于氣體硫化物都具有一定的溶水性,SO2F2氣體開始被吸收,且隨著H2O含量的增加,吸收作用增強,因此SO2F2的產量也開始降低。但其減少速度遠小于SOF2的減少速度,φ(SO2F2)/φ(SOF2)逐漸增加。
為了比較同一H2O含量下φ(SO2F2)/φ(SOF2)隨PD時間的變化特性,在同一H2O含量下,將對應PD時間時的SO2F2和SOF2濃度相比,得到φ(SO2F2)/φ(SOF2)與PD時間的變化情況,如圖9所示。可以看出,當H2O含量小于等于8 000×10-6時,隨著PD時間的增長,該比值逐漸減小;當H2O含量大于8 000×10-6時,該比值則隨著PD時間的增加而增加。

圖9 φ(SO2F2)/ φ(SOF2)隨不同PD時間的變化情況Fig.9 φ(SO2F2)/ φ(SOF2)in comparison under different discharge time
當H2O含量小于等于8 000×10-6時,隨著PD時間的增加,生成SOF2的化學方程式(7)~式(10)反應速率增加,即使有水解存在,其增加量大于水解量,且增幅大于SO2F2,所以φ(SO2F2)/φ(SOF2)隨PD時間的增加而增加;當H2O含量大于8 000×10-6后,SOF2的水解大大加強,隨著PD時間的增加,增加量逐漸減少,而SO2F2盡管有一部分被H2O吸收,但是相對更加穩定,沒有大量減少,相比SOF2的減少量要少得多,即φ(SO2F2)/φ(SOF2)隨PD時間的增加而增加。因此隨著H2O的加入使得特征比值C(SO2F2)/C(SOF2)發生了變化,進而影響了利用比值法診斷故障的準確性,甚至造成誤診。
(1)由于溫度對SF6氣體的微水測量有較大影響,測試時要進行溫度校正。同時,為提高工作效率,測量剛注入SF6新氣的GIS設備微水含量時,需要至少靜置24h,才能使測量值達到穩定值的93%以上。
(2)如果固體有機絕緣材料與PD高能區域的位置一定,因電離釋放出的C與F和O結合生成CF4和CO2是有限的。在一定PD時間下,CO2總的含量高于CF4,且隨H2O含量的增加,CF4含量迅速減少并趨于穩定,而CO2含量有所增大,但總含量變化不大,且有一定分散性。
(3)在一定PD時間下,SO2F2和SOF2的產氣量隨H2O含量的增長呈現倒U型曲線,即H2O對SO2F2和SOF2的生成有先促進后抑制的作用,且H2O對SOF2的促進和抑制作用強于對SO2F2。當H2O含量較低時,隨著PD時間的延長,φ(SO2F2)/φ(SOF2)逐漸減小并趨于飽和,當H2O含量較高時,該比值逐漸增加。
(4)由于H2O對SF6在PD下分解生成的各特征組分含量均有一定的影響,且變化規律各不相同,在利用SF6分解組分含量及其比值的變化規律來診斷GIS絕緣故障時,必須同時測定SF6中H2O的含量并對其影響加以校正才能得到正確的判斷。
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