基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

趙櫸云，張敬帥

（中北大學(xué) 儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測(cè)試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，太原 030051）

趙櫸云（碩士研究生），主要從事信號(hào)與信息處理方面的研究。

引 言

傳統(tǒng)的存儲(chǔ)設(shè)備雖然具有價(jià)格低廉的優(yōu)勢(shì)，但是在高溫、高速、高沖擊的測(cè)試環(huán)境中，往往存在設(shè)備存放空間有限、測(cè)試參數(shù)較多、采集速率高、環(huán)境復(fù)雜等因素。為了得到準(zhǔn)確的測(cè)試數(shù)據(jù)，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的性能也提出了較高的要求，如高存儲(chǔ)速度、大存儲(chǔ)容量、小巧輕便、抗沖擊等。此時(shí)傳統(tǒng)的存儲(chǔ)設(shè)備便無法完成復(fù)雜環(huán)境測(cè)試數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)任務(wù)［1］。為解決這個(gè)問題，本文設(shè)計(jì)了基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，該系統(tǒng)采用Xilinx公司提出的靈活、高效、低成本的解決方案SOPC，把通用的RISC處理器Micro Blaze與用戶設(shè)計(jì)的特定功能邏輯電路集成到FPGA上，在FPGA的控制下將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到NAND Flash存儲(chǔ)設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)了一個(gè)基于SOPC方案的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。

NAND Flash存儲(chǔ)設(shè)備是Flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND Flash存儲(chǔ)器具有體積小、功耗低、讀寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，被廣泛應(yīng)用到數(shù)碼相機(jī)、MP3、U盤等嵌入式產(chǎn)品中［2］。

1 系統(tǒng)整體設(shè)計(jì)方案

基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。

圖1 基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖

本文采用Samsung公司的NAND Flash芯片K9F4GOSUOA作為主要存儲(chǔ)器件，控制器件使用Atmel公司的 ATmega162和Xi1inx公司Spartan－3E系列的XC3S500E，結(jié)合對(duì)NAND Flash的讀、寫、擦除等操作進(jìn)行時(shí)序配置。A／D轉(zhuǎn)換芯片使用 Maxim公司的MAX1308。另外，為實(shí)現(xiàn)通過USB總線將數(shù)據(jù)從采集設(shè)備傳送至PC，采用FTDI公司的FT245R芯片作為USB2.0接口控制器；并以LabVIEW為平臺(tái)設(shè)計(jì)開發(fā)了專用“多通道數(shù)據(jù)分析軟件”，用于對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)中數(shù)據(jù)后期的分析與處理。

2 NAND Flash陣列式存儲(chǔ)原理

Flash存儲(chǔ)器編程是以頁為單位，單片NAND Flash的單頁編程操作時(shí)，命令鎖存信號(hào)CLE向端口寫入編程操作命令，地址鎖存信號(hào)ALE寫入操作塊地址，并傳輸2KB數(shù)據(jù)到數(shù)據(jù)寄存器后，F(xiàn)lash進(jìn)入編程階段。此時(shí)其端口R／B信號(hào)被拉低，顯示Flash正處于忙工作狀態(tài)，直到編程結(jié)束，這段時(shí)間系統(tǒng)不能對(duì)該Flash再進(jìn)行任何操作，一般該階段典型的時(shí)間為200μs［3］。如果使用單片F(xiàn)lash存儲(chǔ)器進(jìn)行存儲(chǔ)，則需等待編程結(jié)束后才能再寫入數(shù)據(jù)。這樣大量的時(shí)間耗費(fèi)在編程過程中，極大限制了系統(tǒng)存儲(chǔ)速度的提高。

為提高系統(tǒng)的存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)速度，系統(tǒng)使用8片NAND Flash存儲(chǔ)器，每4片為一組構(gòu)成一個(gè)總線寬度為8位的存儲(chǔ)陣列。控制信號(hào)中除設(shè)置獨(dú)立的片選信號(hào)CE外，其他的控制信號(hào)為8片共用；兩組Flash共用數(shù)據(jù)總線，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)先對(duì)第一組Flash進(jìn)行存儲(chǔ)操作，待第一組存儲(chǔ)完畢后再對(duì)第二組進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)操作。Flash陣列式存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)圖如圖2所示。

圖2 Flash陣列式存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)圖

由以上分析可以看出，F(xiàn)lash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過程由寫地址命令、數(shù)據(jù)傳輸以及Flash編程階段組成。為提高系統(tǒng)整體的存儲(chǔ)速度，減少系統(tǒng)等待時(shí)間，根據(jù)NAND Flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)，借鑒時(shí)分多路復(fù)用技術(shù)，設(shè)計(jì)了Flash存儲(chǔ)陣列，即利用上一片F(xiàn)lash的編程時(shí)間對(duì)下一片F(xiàn)lash進(jìn)行操作，將數(shù)據(jù)加載到該片數(shù)據(jù)寄存器中，以此類推實(shí)現(xiàn)四級(jí)的流水線。這樣整個(gè)系統(tǒng)每個(gè)時(shí)刻都能對(duì)Flash加載數(shù)據(jù)，保證了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的連續(xù)性［4］。

時(shí)分多路復(fù)用（Time Division Multiplexing，TDM）是按傳輸信號(hào)的時(shí)間進(jìn)行分割的，它使不同的信號(hào)在不同的時(shí)間內(nèi)傳送，將整個(gè)傳輸時(shí)間分為許多時(shí)間間隔，每個(gè)時(shí)間片被一路信號(hào)占用，這樣既可以保證各傳輸信號(hào)的相互獨(dú)立，又提高了系統(tǒng)的傳輸效率。借鑒該原理，可以將Flash的編程時(shí)間看成一個(gè)固定的時(shí)間段，將這個(gè)時(shí)間段分成4個(gè)時(shí)間片，在這4個(gè)時(shí)間片上分別對(duì)Flash陣列的一個(gè)模塊中的4個(gè)Flash加載數(shù)據(jù)，輸入存儲(chǔ)系統(tǒng)的高速數(shù)據(jù)流看作是以傳輸一組數(shù)據(jù)所需時(shí)間的一個(gè)時(shí)間片。

具體的操作如下：首先加載數(shù)據(jù)到第1片F(xiàn)lash存儲(chǔ)器中，該Flash進(jìn)入編程狀態(tài)；在第1片F(xiàn)lash的編程時(shí)段內(nèi)，對(duì)第2片F(xiàn)lash進(jìn)行數(shù)據(jù)加載操作；當(dāng)?shù)?片進(jìn)入編程狀態(tài)時(shí)，再對(duì)第3片進(jìn)行數(shù)據(jù)加載操作；依次執(zhí)行下去，待一次整體操作完成后4片F(xiàn)lash都已加載完數(shù)據(jù)。此時(shí)，第1片F(xiàn)lash的編程已經(jīng)完成，處于準(zhǔn)備就緒狀態(tài)，可以寫入新的數(shù)據(jù)，由此可以等效為Flash存儲(chǔ)器的編程時(shí)間為0。這樣就可以實(shí)現(xiàn)Flash陣列的連續(xù)傳輸數(shù)據(jù)，提高系統(tǒng)的整體速度［5］。

多片F(xiàn)lash時(shí)分多路復(fù)用式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理如圖3所示。

圖3 時(shí)分多路復(fù)用式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理圖

3 系統(tǒng)硬件實(shí)現(xiàn)

系統(tǒng)采用了Xilinx公司的FPGA進(jìn)行SOPC開發(fā)，處理器選用了Micro Blaze軟核，并配置相應(yīng)的參數(shù)使標(biāo)準(zhǔn)IP核適應(yīng)用戶所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)，結(jié)合外圍電源電路、USB接口電路、程序配置電路，構(gòu)成了一套穩(wěn)定的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。

3.1 FPGA片上系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)

FPGA程序主要的功能是：軟件控制啟動(dòng)存儲(chǔ)，在控制邏輯的作用下將前端A／D轉(zhuǎn)換之后的數(shù)據(jù)先存入內(nèi)部FIFO緩存中，同時(shí)啟動(dòng)DMA將緩存中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到外部NAND Flash存儲(chǔ)陣列中。本文利用VHDL語言編寫程序，在FPGA芯片上實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)的高速存儲(chǔ)和傳輸控制［6］。

3.2 USB接口電路模塊

USB器件主要用于實(shí)現(xiàn)SOPC系統(tǒng)在聯(lián)機(jī)模式下與主機(jī)通信以及數(shù)據(jù)的傳輸。USB芯片使用由FTDI公司推出的FT245R，該接口能夠?qū)SB接口信號(hào)轉(zhuǎn)換為8位并行信號(hào)，上傳至?xí)r鐘頻率為150MHz的Micro Blaze處理器進(jìn)行分析處理；并將處理器發(fā)送的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成標(biāo)準(zhǔn)的USB接口數(shù)據(jù)傳向PC機(jī)，完成SOPC系統(tǒng)與PC機(jī)之間的通信。USB接口電路如圖4所示。

圖4 USB接口電路圖

3.3 FPGA配置電路模塊

本系統(tǒng)在FPGA配置電路中采用了主串配置模式。外部的配置芯片選用了XCF04S系列的PROM串行配置芯片。當(dāng)系統(tǒng)上電時(shí)，芯片以主動(dòng)配置方式來實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)中FPGA的硬件配置。通過高速的串行接口，整個(gè)芯片的配置工作可以在很短的時(shí)間內(nèi)完成。

3.4 電源模塊

電源模塊不僅能夠?yàn)橄到y(tǒng)各器件提供各種高性能的功率輸出，還能夠選擇合適的旁路、去耦電容來濾除各種干擾信號(hào)，保證系統(tǒng)的穩(wěn)定工作。本系統(tǒng)電源模塊采用了TI公司的TPS75003芯片配置相應(yīng)的外圍電路，實(shí)現(xiàn)了由5V輸入電壓到3.3V、2.5V和1.2V輸出電壓的精確轉(zhuǎn)換。

4 系統(tǒng)驗(yàn)證與分析

在系統(tǒng)的軟硬件程序設(shè)計(jì)完成并生成BIT流文件后，下載到FPGA電路板上，結(jié)合PC機(jī)中的專用軟件對(duì)系統(tǒng)功能進(jìn)行驗(yàn)證測(cè)試。

4.1 對(duì)NAND Flash的操作驗(yàn)證

在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)過程中，用戶IP核設(shè)計(jì)得好壞決定著整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成敗。系統(tǒng)IP核設(shè)計(jì)中集成了Flash控制器、DMA控制器以及數(shù)據(jù)和地址FIFO，為驗(yàn)證該IP核是否能正常工作，對(duì)其進(jìn)行了Flash操作驗(yàn)證。示波器捕獲的讀Flash存儲(chǔ)器ID號(hào)時(shí)序圖如圖5所示。其中通道0～4分別代表Flash的CE（片選）、ALE（地址鎖存）、CLE（命令鎖存）、RE（讀）、WE（寫）信號(hào)。圖中Flash陣列的4片F(xiàn)lash的ID號(hào)都為EC DC 10 95 54，這與實(shí)際Flash ID相符。實(shí)驗(yàn)證明，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的ID號(hào)是準(zhǔn)確的。

圖5 Flash ID號(hào)及其時(shí)序圖

4.2 文件登記表驗(yàn)證

實(shí)驗(yàn)中在Flash存儲(chǔ)器的特定位置存有標(biāo)記數(shù)據(jù)特征的文件登記表，應(yīng)用程序讀取文件登記表中的信息并將相應(yīng)數(shù)據(jù)傳輸?shù)絇C機(jī)上進(jìn)行后期分析。文件登記表的存儲(chǔ)內(nèi)容有：文件名、實(shí)驗(yàn)的次數(shù)、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的長度、本次存儲(chǔ)的首尾地址以及下次存儲(chǔ)的首地址等。

圖6為某次存儲(chǔ)實(shí)驗(yàn)的文件登記表信息，圖中前8個(gè)字節(jié)為文件名，往后依次為實(shí)驗(yàn)次數(shù)和數(shù)據(jù)通道數(shù)。本次實(shí)驗(yàn)中存儲(chǔ)的長度為50MB，存儲(chǔ)首地址和存儲(chǔ)尾地址分別為0x0115、0x0178。由于所用的存儲(chǔ)策略為4片流水線式存儲(chǔ)，每片F(xiàn)lash每塊為128KB，4片組成的模塊中每個(gè)大塊為512KB（128KB×4），所以可以計(jì)算出存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)為512KB×（0x0178－0x0115＋1）＝50MB。這與所指定的本次存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的長度吻合，表明存儲(chǔ)系統(tǒng)正確可靠。

圖6 Flash存儲(chǔ)系統(tǒng)的文件登記表信息

4.3 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)驗(yàn)證

系統(tǒng)構(gòu)建完成后，在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中，對(duì)信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生的正弦波信號(hào)進(jìn)行采集存儲(chǔ)，通過USB接口將存儲(chǔ)在NAND Flash芯片中的數(shù)據(jù)上傳到PC機(jī)中，利用以Lab－VIEW為平臺(tái)設(shè)計(jì)開發(fā)的“多通道數(shù)據(jù)分析軟件”進(jìn)行分析處理，得到的模擬信號(hào)及系統(tǒng)開關(guān)量數(shù)字信號(hào)波形如圖7、圖8所示。

對(duì)比原始信號(hào)發(fā)現(xiàn)，系統(tǒng)能夠快速、無失真地采集并存儲(chǔ)信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生的波形數(shù)據(jù)，并且能夠利用不同的采樣速率來記錄系統(tǒng)開關(guān)量數(shù)字信號(hào)信息，具有較高的可靠性。

圖7 模擬信號(hào)波形圖

圖8 系統(tǒng)開關(guān)量數(shù)字信號(hào)波形圖

結(jié) 語

本文設(shè)計(jì)了基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，通過時(shí)分多路復(fù)用式流水線操作，極大地提高了Flash芯片的存儲(chǔ)速度。實(shí)驗(yàn)表明，該系統(tǒng)能夠快速、準(zhǔn)確地記錄信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生的波形數(shù)據(jù)，且具有性能穩(wěn)定可靠、操作簡單、抗過載能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。

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