半導體激光治療急性冠周炎的療效評價

北京民航總醫院（100123）張志宏 賀淑貞

附表 兩組急性冠周炎療效比較

阻生智齒及智齒萌出過程中，牙冠可部分或全部為齦瓣覆蓋，形成較深的盲袋，食物及細菌極易嵌塞于盲袋內；加之冠部牙齦常因咀嚼食物而損傷，形成潰瘍。當全身抵抗力下降、局部細菌毒力增強時，可引起冠周炎的急性發作，多見于下頜第三磨牙，主要發生于18～30歲智齒萌出期的青年人和伴有萌出不全阻生智齒的患者。臨床癥狀以局部脹痛不適，咀嚼，吞咽，開口活動時癥狀加重，伴有不同程度的張口困難為主。如不及時治療，極易發生間隙感染。尋找簡便易行，高效的治療手段是值得探討的問題。

半導體激光在口腔科的照射應用較廣，對于急性冠周炎、急性根尖炎、糜爛性扁平苔蘚、顳頜關節功能紊亂等口腔疾病都有應用[1]，弱激光的刺激效應可以加強局部血液循環、提高免疫功能、調整機能、促進細胞生長、組織修復等作用，與Er激光、CO2激光、Ho激光等激光相比，半導體激光對人組織穿透較深，可引起較深層組織的生物效應[2][3]。用其照射患部可改善局部血液循環，增加局部營養物質和氧的交換，增強代謝作用，促進血管再生、受損神經組織的恢復，對于口腔科常見急慢性疾病有較好的療效[2][3]。

我科采用半導體激光輔助治療急性冠周炎取得了良好的效果。本文旨在明確半導體激光治療急性冠周炎的臨床療效和可靠性，為臨床醫師提供參考。現報告如下。

1 資料與方法

1.1 研究對象 選擇2010年1月～2011年8月于我科就診的急性冠周炎患者146例，其中男68例，女78例，年齡18～42歲，平均30歲。納入標準：患者無系統疾病史與藥物過敏史，均為單側發作3天以內，不伴有間隙感染，無顳頜關節病，無患牙齲壞、根尖炎。

1.2 分組方法 采用隨機分組法將患者分為治療組76例，對照組70例。

1.3 治療方法與步驟 兩組均以1%～3%的過氧化氫和生理鹽水交替沖洗盲袋，袋內注入碘甘油。口服頭孢呋辛酯片0.25g Bid，替硝唑片1.0g Qd。治療組輔以半導體激光口外局部照射。儀器采用北京龍慧珩醫療科技發展有限公司生產的LHH-500IVB半導體激光治療儀，波長810nm/980nm，總功率2780MW，于患側下頜角及附近下頜體部照射10分鐘，1次/天，3天為一個療程。

1.4 療效標準 分為治愈，顯效，有效，無效4級。于治療第4日評價疼痛及張口度。疼痛采用視覺評分法（VAS），0為無痛，1～3為輕度疼痛，4～7為中度疼痛，8～10為重度疼痛。評價張口度以上下頜切牙的切緣距離為標準[4]，2.0～2.5cm為輕度，1.0～2.0cm為中度，1.0cm以內為重度張口受限。評價標準：好轉：6分≥疼痛度下降≥3分，張口度增加≥1cm；顯效：疼痛度下降≥6分，張口增加≥1cm；治愈：疼痛消失，張口度增加＞2.5cm腫脹消退；無效：無變化。

2 結果

治療組中72例治愈，4例顯效；對照組中56例治愈，10例顯效，4例有效。治療組的治愈率高于對照組（χ2=7.321，P＜0.01）（見附表）。

3 討論

近年來的研究表明，半導體激光照射組織后，組織內會有嗎啡樣物質釋放，5-羥色胺含量降低，末梢神經興奮性降低，從而減輕疼痛；其消炎抗感染作用主要是通過降低血管通透性，減輕炎癥滲出，減輕充血和水腫，通過激活巨噬細胞系統的功能，提高人體局部及全身免疫力，起到消炎抗感染作用[5][6][7]。

本研究采用的LHH-500IVB型半導體激光治療儀，具有生物刺激作用，可以促進肉芽組織生長，起到消炎、止痛、提高非特異性免疫功能。本研究通過使用該型半導體激光治療儀行口外局部照射后，疼痛及張口受限癥狀明顯緩解，未出現任何不良反應，值得臨床推廣。