盧建彪, 朱天琪, 吳盼盼, 江 莉, 余云丹, 衛國英, 葛洪良
(中國計量學院 材料科學與工程學院,浙江 杭州310018)
磁性薄膜研究的快速發展,已成為當今磁學和磁性材料發展的一大特征。Co-Pt磁性薄膜由于具有單向磁晶各向異性、較高的矯頑力、良好的化學穩定性以及較強的耐蝕性,有可能成為超高密度磁記錄介質而受到廣泛關注[1-2]。傳統的制備方法有反應濺射法、化學沉積法、電沉積法等。其中電沉積法不僅操作簡單,而且制備的磁性薄膜具有較好的性能,能嚴格控制膜的厚度、均勻性、沉積速率等,是未來研究Co-Pt磁性薄膜的一大趨勢[3]。
本文采用電沉積技術制備了Co-Pt-P磁性薄膜,著重研究了沉積電流對薄膜表面形貌及耐蝕性的影響。
采用2.0cm×1.3cm的黃銅片作為基底,前處理工藝在室溫下進行。先將黃銅片放入堿液中除油0.5min,去離子水清洗后,放入質量分數為3%的稀鹽酸中酸洗活化0.5min;再次用去離子水清洗后,放入V乙醇∶V丙酮=1∶1的溶液中并超聲波清洗5min;最后用去離子水沖洗黃銅片,烘干后放入配制好的100mL鍍液中電鍍25min。
實驗采用配位物鍍液。溶液配制需按照以下步驟完成:(1)將Co(NH2SO3)2,(NH4)2C6H6O7,NH2CH2COOH溶解,混合液置于水浴鍋中進行水浴加熱;(2)將Pt(NH3)2(NO2)2溶于純水中,在磁力攪拌機上邊攪拌邊加熱至全部溶解;(3)將NaH2PO2·H2O溶解;(4)將上述三種溶液混合在一起,用NaOH調節溶液的pH值至8.0,體積定容為100mL。
鍍液配方及工藝條件為:NaH2PO2·H2O 0.06 mol/L,Pt(NH3)2(NO2)20.01mol/L,(NH4)2C6H6O70.2mol/L,Co(NH2SO3)20.1 mol/L,NH2CH2COOH 0.1mol/L,pH值8.0,60℃。
1.3.1 耐蝕性測試
采用電化學方法對Co-Pt-P薄膜進行耐蝕性測試。采用三電極體系,研究電極為Co-Pt-P薄膜,輔助電極為鉑電極,參比電極為飽和甘汞電極。進行電位、極化曲線和交流阻抗測試,測試儀器為PARSTAT 2273型電化學工作站。極化曲線的測試范圍為-300~300mV(相對于開路電位),掃描速率為0.5mV/s,采用塔菲爾直線外推法計算出自腐蝕電流密度Jcorr。交流阻抗測試由PowerSuite軟件控制,測試頻率范圍為10mHz~100kHz,交流激勵信號幅值為5mV。采用ZSimpWin軟件對測量的阻抗結果進行分析。
1.3.2 表面形貌
采用Hitachi S-4700型掃描電子顯微鏡表征不同沉積電流下制備的薄膜樣品的表面形貌。
在合金電鍍中,沉積電流對合金組成及鍍層質量有明顯的影響。一般來說,隨著沉積電流的增大,陰極電勢負移,合金中電勢較負的金屬的質量分數增加。另外,根據擴散理論,金屬的沉積速率有一個上限,電勢較正的金屬的沉積速率比電勢較負的金屬的更容易接近極限值,增大沉積電流有助于提高電勢較負的金屬的沉積速率[4]。圖1為不同沉積電流下制備的Co-Pt-P薄膜在質量分數為3.5%的NaCl溶液中的極化曲線。由圖1可知:Co-Pt-P薄膜在質量分數為3.5%的NaCl溶液中的腐蝕屬陰極過程控制。采用塔菲爾直線外推法計算各極化曲線的自腐蝕電流密度,結果見表1。通過比較可知:隨著沉積電流的增大,所得薄膜的自腐蝕電位先正移后負移,自腐蝕電流密度先減小后增大。自腐蝕電位主要反映鍍層材料的熱力學穩定性。當沉積電流為0.08A時,薄膜在質量分數為3.5%的NaCl溶液中的自腐蝕電位最正,自腐蝕電流密度最小,耐蝕性較好。

圖1 不同沉積電流下制備的Co-Pt-P薄膜的極化曲線

表1 極化曲線的腐蝕參數分析
圖2為不同沉積電流下制備的Co-Pt-P薄膜在質量分數為3.5%的NaCl溶液中的交流阻抗譜。圖3為對應的等效電路,其中Rs為溶液電阻,Cf和Rf分別為表面鍍膜電容和電阻,Rt為電荷傳遞電阻,Cd為雙電層電容,電化學參數見表2。EIS復平面圖由一個高頻容抗弧和一個低頻容抗弧組成。高頻容抗弧可能源于Co-Pt-P薄膜的膜電阻,而低頻容抗弧可能歸因于腐蝕反應的電荷轉移電阻[5]。由表2可知:隨著沉積電流的增大,Rt先增大后減小;當沉積電流為0.08A時,Rt最大,Co-Pt-P薄膜顯示出最強的電容特性,說明此時Co-Pt-P薄膜的耐蝕性最好[6]。

圖2 不同沉積電流下制備的Co-Pt-P薄膜的EIS譜圖

圖3 等效電路

表2 等效電路的電化學參數分析
為了獲得良好的鍍層,任何鍍液都有一定的電流范圍。電流低于下限值,會導致沉積不上金屬或沉積層的性能不佳;電流高于上限值,沉積層會出現“燒焦”或“燒黑”現象[7]。圖4為不同沉積電流下制備的Co-Pt-P薄膜的表面形貌。由圖4可知:當沉積電流為0.06A時,薄膜上晶粒較稀疏,不密實;當沉積電流為0.08A時,薄膜上晶粒大小較為均勻、密集,薄膜厚度和應力都處于最佳狀態,沒有裂紋等現象出現;當沉積電流為0.10A時,由于薄膜表面應力較大,為了釋放應力,薄膜中會形成新的微裂紋或使原來的裂紋擴展,從而導致外層疏松膜逐漸形成。在質量分數為3.5%的NaCl溶液中,Cl-可通過薄膜裂縫滲透到基底進行腐蝕。

圖4 不同沉積電流下制備的Co-Pt-P薄膜的表面形貌
(1)采用電沉積技術在黃銅基體表面制備Co-Pt-P薄膜。當沉積電流為0.08A時,制備的薄膜平整、致密、光亮。
(2)在質量分數為3.5%的NaCl溶液中,沉積電流為0.08A時制備的Co-Pt-P薄膜的自腐蝕電位為-0.156V,自腐蝕電流密度為1.259μA/cm2,具有較好的耐蝕性。
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