Vishay推出用于直接IGBT安裝的鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器

日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器——Vishay Roederstein MKP386M，該器件可直接安裝在絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊上，容量從0.047μF到10μF，可在+105℃高溫下工作，有700 VDC～2 500 VDC和420 VAC～800 VAC共7個電壓等級。

MKP386M可承受2 500 V/μs的高能脈沖和1 850 A的峰值電流，壽命超過30萬小時，可減少由切換IGBT引起的電壓和電流尖峰，這種尖峰是電磁干擾（EMI）的重要來源。典型應(yīng)用包括功率轉(zhuǎn)換器、頻率轉(zhuǎn)換器，以及風(fēng)力機(jī)逆變器、中功率和高功率太陽能逆變器、汽車動力總成中的電機(jī)驅(qū)動。Vishay還提供結(jié)構(gòu)長度58 mm的器件，用于高功率IGBT模塊。

緩沖電容器的ESR低至1.5 mΩ，容量公差±5%，引線間隔的每毫米自感為0.7 nH，RMS電流高達(dá)20 A。器件采用阻燃塑料外殼和環(huán)氧樹脂密封，無鉛、無鹵素，符合RoHS指令。