Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創新獎之最佳產品獎

Vishay Intertechnology, Inc.宣布其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創新獎之電源器件和模塊類最佳產品獎。

EDN China創新獎于2005年引入國內，以表彰在中國市場上的IC和相關產品在設計上所取得的成就。今年，共有82家公司的144款產品角逐9個技術門類的獎項。EDN China的在線讀者投票選出73款提名產品，再由技術專家和EDN高級編輯組成的評審團選出最終的獲獎產品。

Si7655DN是業內首款采用3.3 mm x 3.3 mm封裝的-20 V P溝道MOSFET，在4.5 V柵極驅動下的最大導通電阻僅為4.8 mΩ。Si7655DN還是首個采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK?1212封裝的器件，該封裝實現了更低的RDS(on)，同時0.75 mm的標稱高度比前一版本封裝的高度薄28%，并保持相同的PCB布板樣式。

通過使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix業內領先的P溝道TrenchFET?Gen III技術，Si7655DN實現了3.6 mΩ(-10 V)、4.8 mΩ(-4.5 V)和8.5 mΩ(-2.5 V)的最大導通電阻。這些指標比最接近的同檔-20 V器件低17%以上。Si7655DN的低導通電阻使設計者能夠在其電路里實現更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池使用壽命，其小尺寸封裝有助于節省寶貴的空間。