霍尼韋爾推出新型半導體銅錳濺射靶材

霍尼韋爾推出新型半導體銅錳濺射靶材

霍尼韋爾宣布推出新型銅錳濺射靶材，其采用的專利技術能為半導體生產商帶來更高的靶材硬度、更長的使用壽命以及更卓越的性能表現。

新型靶材采用霍尼韋爾等徑角塑型(ECAE)專利技術，它是霍尼韋爾最初為鋁和鋁合金靶所研發的先進生產工藝。

采用ECAE工藝生產的靶材擁有超細晶粒尺寸，確保高度均勻的材料結構，更高的材質硬度，更少的雜質顆粒。普通標準靶材的晶粒尺寸一般在50至80微米之間，而新型ECAE銅錳合金靶則屬于亞微米尺寸。采用ECAE技術生產的超細晶粒尺寸能夠有效避免半導體生產商在采用普通帶背板設計靶材時會碰到的濺射電壓突然降低問題；該問題將造成尖端放電，形成雜質粒子，影響晶圓質量，最終導致晶圓報廢和替換新的靶材，從而引起不必要的高額成本。

增強的硬度允許靶材能夠采用一塊金屬進行一體化設計，從而使靶材使用壽命延長了一倍，從原先的1800千瓦小時提升至3600千瓦小時。延長的使用壽命意味著生產商可以降低靶材的需求量，節省靶材更換以及機臺維護所需的時間和精力，所有這一切都有助于幫助半導體生產商降低整體生產成本。

霍尼韋爾電子材料隸屬于霍尼韋爾特性材料和技術集團，主要生產微電子聚合物、電子化學品和其他先進材料。同時，霍尼韋爾電子材料金屬業務還包括一系列廣泛產品，例如物理真空沉積靶材（PVD）和線圈組、貴金屬熱電偶以及半導體后端封裝中熱管理和電子互聯相關的低α粒子放射電鍍陽極、先進散熱材料等等。

咨詢編號：2014071001