InP納米針和納米管的合成及機制探討

于彥龍，趙奕淞，高麗華，候 莉，高發明,*

(1.燕山大學 河北省應用化學重點實驗室，河北 秦皇島 066004；2.東北石油大學秦皇島分校 石油與化學工程系，河北 秦皇島 066004)

0 引言

功能納米材料是納米材料學中最富有活力的領域之一，它對信息、生物、能源、環境、航天等高科技領域將產生深遠地影響。InP是一種重要的III-Ⅴ族化合物半導體材料，具有閃鋅礦型結構，常溫下禁帶寬度為1.35 eV，屬于直接躍遷型能帶結構。InP的激子波爾半徑較大(B=14 nm)，因而顯示出了很強的量子限域效應，電子遷移率高，且具有很強的抗輻射能力[1-2]。InP半導體材料本身的特點再加上納米材料特有的量子尺寸效應、表面效應和量子隧穿效應等，使得InP半導體納米材料在電子、光電子等領域具有廣闊的應用前景。

目前，InP納米微球、納米線、納米帶、納米管等材料的制備、組裝與應用異常活躍[3-9]。溶劑熱法是在水熱合成法的基礎之上改進和發展起來的一種材料合成方法，它是目前最常用的無機材料合成方法之一。在溶劑熱條件下，溶質和溶劑的性質與通常條件下相差很大，反應物的溶解、分散以及化學反應活性大大地提高，這就使得常規條件下很難發生的反應，能夠在溶劑熱條件下，在較低的溫度下發生[10-11]。趙國英等人[12]采用溶劑熱法成功合成出了InP納米球和納米線，并研究了其光學性能。但是，目前還沒有關于溶劑熱法合成InP納米針和納米管的相關報道。

納米材料的形貌和晶體結構對其性能具有重要的影響，實現對納米材料形貌和晶體結構的合成控制是納米材料能夠得到廣泛應用的前提[13-14]。……