EVG集團為工程襯底和電源器件生產應用推出室溫共價鍵合技術

EVG 580ComBond 集成先進的表面處理工藝，確保在無氧條件下鍵合并提高效率

EVG 集團，微機電系統（MEMS）、納米技術和半導體市場上領先的晶圓鍵合和光刻設備供應商，日前宣布推出EVG 580 ComBond - 一款高真空應用的晶圓鍵合系統，使得室溫下的導電和無氧化共價鍵合成為可能。這一全新的系統以模塊化平臺為基礎，可以支持大批量制造（HVM）的要求，非常適合不同襯底材料的鍵合工藝，從而使得高性能器件和新應用的出現成為可能，包括：

●多結太陽能電池

●硅光子學

●高真空MEMS 封裝

●電源器件

●化合物半導體以及其他用于“后CMOS”應用的先進工程襯底，比如高電子遷移率晶體管、高性能/低功耗邏輯和射頻（RF）器件

多套EVG580 ComBond 系統已成功運到器件廠商和研發中心。

法國研究機構CEA-Leti 硅技術部門副總裁Fabrice Geiger 表示：“在最近的安裝和驗收測試階段，我們全新的EVG580 ComBond 系統在室溫下展示了卓越的共價鍵合能力。CEA-Leti 實驗室正在尋求與EVG 在公共實驗室內的合作，在幾個關鍵領域內部署EVG580 ComBond 系統，推動研發活動的進展。”

EVG 集團執行技術總監Paul Lindner 表示：“EVG580 ComBond 系統掌握了室溫下無污染、無氧化鍵合所需要的關鍵表面預處理步驟。憑借這項突破性的技術，我們幾乎可以將任何材料鍵合在一起——開創出多種不同材料在晶圓形式下的組合。這不僅支持了我們客戶的研發力量，而且為大規模生產引入了全新的設備，使得各種快速發展的新興應用成為可能- 從下一代電信技術硅光子學的發展到更為先進的電源器件等。這使得我們客戶的新器件從研發階段到大批量生產更快捷，新器件指的是各種新興的、快速發展的應用。”

化合物半導體和鍵合的挑戰

將不同性能的材料鍵合在一起，用以生產電子器件，例如硅襯底同氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）等III-V 化合物半導體材料的融合，可以產生更高的載流子遷移率進而提高器件性能，并且開拓出全新的功能，比如支持光纖互連和路由器功能的晶硅透光發射技術。然而，通過傳統的外延生長工藝融合這些材料時，由于晶格常數和熱膨脹系數（CTE）之間的差異，將會導致晶體的位錯缺陷，反而會降低性能。

晶圓鍵合的優勢

在優化后的生長襯底上讓各個半導體材料單獨生長，之后再通過晶圓鍵合將他們融合在一起，可以減緩這些制造問題。值得一提的是，室溫共價鍵合，將是一種理想的選擇，因為這一工藝無需退火處理，退火過程產生的高溫將增加熱膨脹系數差異引發的額外應力。但是，室溫共價鍵合的一個關鍵局限因素在于這一工藝無法保持對接合界面層厚度和均勻性的嚴格限制，包括有效去除顆粒污染物和原生氧化層（為了鍵合材料之間的鍵合界面同時保有足夠的鍵合強度和導電性，這一點至關重要）。EVG580 ComBond 系統則克服了限制因素。

EVG580 ComBond 系統主要特色

●專用的ComBond 激活模塊（CAM）無縫集成到這一平臺中，不同于濕法化學蝕刻工藝，它通過引導帶電粒子附著在襯底表面之上，提供先進的表面處理工藝，從而實現無污染、無氧化的鍵合界面

●可在高真空工藝環境運行，從而防止加工后的晶片在進入融合階段之間出現再氧化。

●最多可配置5 個并行鍵合腔，同時滿足研發和HVM 應用需求

●加工的晶圓尺寸可達200 mm（8 英寸）