Li/Nb變化對(duì)Mg：H0：LiNbO3晶體光學(xué)性能的影響
2015-01-04 13:36:53代麗等
哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2014年4期
關(guān)鍵詞：實(shí)驗(yàn)能力
代麗等
摘要：采用提拉法生長(zhǎng)了不同晶體的雙折射梯度和抗光損傷能力。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明晶體有較好的光學(xué)均勻性，隨著Li/Nb比的增加，晶體抗光損傷能力增強(qiáng)，并分析了其抗光損傷能力增強(qiáng)的機(jī)理。結(jié)合LiNbO3晶體的鋰空位缺陷模型和占位機(jī)制解釋了相關(guān)實(shí)驗(yàn)結(jié)果。endprint
摘要：采用提拉法生長(zhǎng)了不同晶體的雙折射梯度和抗光損傷能力。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明晶體有較好的光學(xué)均勻性，隨著Li/Nb比的增加，晶體抗光損傷能力增強(qiáng)，并分析了其抗光損傷能力增強(qiáng)的機(jī)理。結(jié)合LiNbO3晶體的鋰空位缺陷模型和占位機(jī)制解釋了相關(guān)實(shí)驗(yàn)結(jié)果。endprint
摘要：采用提拉法生長(zhǎng)了不同晶體的雙折射梯度和抗光損傷能力。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明晶體有較好的光學(xué)均勻性，隨著Li/Nb比的增加，晶體抗光損傷能力增強(qiáng)，并分析了其抗光損傷能力增強(qiáng)的機(jī)理。結(jié)合LiNbO3晶體的鋰空位缺陷模型和占位機(jī)制解釋了相關(guān)實(shí)驗(yàn)結(jié)果。endprint
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