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FEL太赫茲源電子束參數(shù)優(yōu)化設(shè)計

2015-03-20 08:18:20萍,熊焜,付強(qiáng)
原子能科學(xué)技術(shù) 2015年2期

譚 萍,熊 焜,付 強(qiáng)

(華中科技大學(xué) 強(qiáng)電磁工程與新技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湖北 武漢 430074)

基于射頻直線加速器的自由電子激光(free-electron laser,F(xiàn)EL)太赫茲源具有大功率、波長可連續(xù)調(diào)諧等特點(diǎn),在通信、雷達(dá)、安檢等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用前景,因而受到了廣泛地關(guān)注[1-4]。華中科技大學(xué)正在研制一臺工作波長為50~100μm 的緊湊型FEL 振蕩器[5]。該系統(tǒng)由獨(dú)立調(diào)諧的熱陰極微波電子槍、等梯度加速腔、平行平面波蕩器和波導(dǎo)約束光學(xué)諧振腔構(gòu)成[5]。

FEL太赫茲源能產(chǎn)生太赫茲輻射輸出的基本條件是單程增益必須大于腔體損耗。因此,對太赫茲源進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計的基本原則就是合理選擇電子束、波蕩器以及光腔參數(shù)使得單程增益最大化,從而優(yōu)化FEL的耦合強(qiáng)度。一旦這些參數(shù)確定后,還需考慮電子束發(fā)散度、能散度以及電子束與光場橫向重疊等因素引起的增益減小[6-7]。由于波長較長,為獲得高功率太赫茲輻射輸出,采用了基于振蕩器類型的自由電子激光結(jié)構(gòu)。本文重點(diǎn)考慮波蕩器真空室的約束影響作用,由于波導(dǎo)約束作用,太赫茲輻射場與電子束縱向耦合以及橫向耦合的變化,一方面波導(dǎo)約束將改善電子束的橫向耦合,另一方面波導(dǎo)效應(yīng)將減慢太赫茲輻射場的傳播速度有利于改善電子束的縱向耦合,在此基礎(chǔ)上分析確定波導(dǎo)約束下FEL 太赫茲源的電子束參數(shù)對增益性能的影響。

1 小信號增益分析

考慮到電子束發(fā)射度、能散度以及電子束與光場橫向重疊等因素引起的增益減小,可得到最大單程增益為:

其中,F(xiàn)=FinhFcFf,F(xiàn)inh為由于發(fā)散度、能散度引起的增益減小所對應(yīng)的非均勻擴(kuò)展因子,F(xiàn)c為由于電子和輻射脈沖相對滑移引起的增益減小所對應(yīng)的非均勻擴(kuò)展因子,F(xiàn)f為反映電子束與光場橫向重疊的填充因子[8-9]。

2 電子束能散度對增益性能的影響

當(dāng)電荷量Q=200pC、束團(tuán)長度為5ps、能散度為0.3%、發(fā)射度為10mm·mrad時,計算不同輻射波長條件下,取不同能散度,可得到相對于無能散情形下的單程小信號增益惡化數(shù)值結(jié)果,如圖1a所示。在相對能散度分別為0.1%、0.2%、0.3%、0.4%和0.5%時,最大增益分別減少到冷電子束情況下的99%、98%、95%、91%和87%左右。能散度越小,所能產(chǎn)生的增益越大,越快達(dá)到飽和。進(jìn)一步考慮現(xiàn)有加速器水平及所需費(fèi)用,選能散度FWHM 為0.3%。若考慮波導(dǎo)影響,則計算結(jié)果如圖1b所示,增益相對于最小值的變化略有減小。

3 電子束發(fā)射度對增益性能的影響

進(jìn)入光腔的電子束團(tuán)的發(fā)射度不同,電子束團(tuán)和光場橫向相互耦合、相互作用的程度顯然也不同,根據(jù)基本設(shè)計參數(shù)(表1),對不同電子束發(fā)射度對輻射增益的影響進(jìn)行分析。

圖1 相對能散度對單程增益的影響Fig.1 Effect of relative energy spread on normalized single pass gain

不考慮波導(dǎo)影響時的計算結(jié)果如圖2a所示。結(jié)果表明,當(dāng)歸一化發(fā)射度εn<15 mm·mrad時,可滿足小信號增益要求。若進(jìn)一步考慮波導(dǎo)影響,計算結(jié)果如圖2b所示,長波長時影響較大,發(fā)射度要求增加,需要滿足εn<10mm·mrad。

4 電子束脈沖長度對增益性能的影響

表1 太赫茲FEL振蕩器基本參數(shù)Table 1 Basic parameter of THz FEL oscillator

圖2 歸一化發(fā)散度對單程增益的影響Fig.2 Effect of normalized emittance on normalized single pass gain

進(jìn)一步修正腔內(nèi)強(qiáng)度增長而引起的飽和效應(yīng),可得[11]:

其中:θ為腔長變化δL 所對應(yīng)的腔長失諧參數(shù);θs=0.456,為對應(yīng)于準(zhǔn)連續(xù)電子束的同步θ值;ˉI=I/Is,為無量綱的光場強(qiáng)度,I為FEL 輸出強(qiáng)度,Is為FEL的飽和強(qiáng)度。

圖3 不同束團(tuán)長度RMS值時歸一化最大脈沖強(qiáng)度隨時間的飽和演化過程Fig.3 Saturation procedure of normalized max.pulse intensity vs.time for different RMS bunch lengths

根據(jù)上述分析,對光腔內(nèi)光場的演化增長過程進(jìn)行分析計算。以波長為150μm 時為例,保持流強(qiáng)為30A,假設(shè)系統(tǒng)損耗為0.3,其他參數(shù)如表1所列。可分析得到不同束團(tuán)長度時,光學(xué)諧振腔內(nèi)的飽和增長演化過程如圖3所示。結(jié)果表明:波導(dǎo)約束下,同樣束團(tuán)長度可在更短時間內(nèi)達(dá)到飽和輸出。當(dāng)不考慮波導(dǎo)效應(yīng)時,上述條件下,束團(tuán)長度小于5ps時,難以實(shí)現(xiàn)飽和增長,需要束團(tuán)長度大于10ps左右,才可在1μs內(nèi)達(dá)到飽和輸出;而考慮10 mm波導(dǎo)約束作用時,束團(tuán)長度3ps時已經(jīng)可以飽和增長,但飽和時間較長,當(dāng)束團(tuán)長度達(dá)到5ps時,已經(jīng)可以在1μs內(nèi)達(dá)到飽和輸出,所需電荷量相對較小。

5 結(jié)論

分析了波導(dǎo)約束結(jié)構(gòu)對單程增益的影響,一方面波導(dǎo)約束可增強(qiáng)光場與電子束的橫向耦合作用,另一方面是波導(dǎo)約束下光場群速度變慢,滑移減小,束團(tuán)長度擴(kuò)展,有利于電子束團(tuán)與光束的縱向耦合。由此,波導(dǎo)約束作用下,F(xiàn)EL太赫茲源實(shí)現(xiàn)高功率飽和輸出也對電子束團(tuán)的品質(zhì)要求有所不同。通過分析可知,長波長時,波導(dǎo)效應(yīng)影響較大,需要更高的束流品質(zhì),特別是對電子束發(fā)射度的要求增強(qiáng)。另一方面,保持束團(tuán)流強(qiáng)不變的條件下,所需的束團(tuán)長度可以減小,相應(yīng)束團(tuán)電荷量減小,有利于系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)。

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