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CARR 輻照生產(chǎn)同位素14C的靶件傳熱安全研究

2015-03-20 08:19:28戴龍文駱貝貝竇勤明王玉林柯國(guó)土
原子能科學(xué)技術(shù) 2015年1期
關(guān)鍵詞:實(shí)驗(yàn)

戴龍文,丁 麗,駱貝貝,竇勤明,王玉林,柯國(guó)土

(中國(guó)原子能科學(xué)研究院 反應(yīng)堆工程研究設(shè)計(jì)所,北京 102413)

14C是一種純?chǔ)路派湫酝凰兀畲竽芰繛?56keV,平均能量為49keV,半衰期為5 730a。14C主要用于制取碳的標(biāo)記化合物,14C 標(biāo)記化合物在農(nóng)業(yè)、工業(yè)、醫(yī)學(xué)、生物學(xué)等方面具有廣泛用途[1],特別是在考古學(xué)、醫(yī)學(xué)領(lǐng)域中有重要意義。中國(guó)先進(jìn)研究堆(CARR)滿功率為60 MW,中子注量率高,放射性核素輻照生產(chǎn)是其主要用途之一。14C 目前主要通過反應(yīng)堆輻照高純AlN 粉末靶材的方式來(lái)進(jìn)行生產(chǎn)。

在輻照過程中,由于核反應(yīng)和核輻射靶件將產(chǎn)生可觀的發(fā)熱量,靶件溫度過高直接影響其安全性,甚至影響到反應(yīng)堆的安全運(yùn)行。本工作對(duì)靶件傳熱進(jìn)行模擬計(jì)算,并通過實(shí)驗(yàn)來(lái)驗(yàn)證理論計(jì)算的準(zhǔn)確性,為14C 在CARR 中 的輻照生產(chǎn)提供相關(guān)重要數(shù)據(jù)支持。

1 輻照靶件及孔道

為確保靶件在堆內(nèi)的輻照安全,根據(jù)靶材(高純AlN 粉末)的物理、化學(xué)特性,對(duì)裝載靶材的輻照罐進(jìn)行了內(nèi)、外雙靶筒的特殊設(shè)計(jì)。外靶筒材料為堆用退火態(tài)6061Al,內(nèi)靶筒為堆用LT21Al,以減少輻照出堆后過高的放射性劑量率,并減少固體放射性廢物。內(nèi)、外靶筒間抽真空充氦氣,采用亞弧焊方法焊封,并用氦質(zhì)譜檢漏法確認(rèn)密封,其靶件結(jié)構(gòu)示意圖示于圖1。

圖1 靶件結(jié)構(gòu)示意圖Fig.1 Schematic diagram of target

CARR 共有20 多個(gè)輻照孔道,分布在堆芯四周,不同孔道距堆芯活性區(qū)的距離不同,孔道獲得的中子注量率也有很大差別。根據(jù)CARR 的實(shí)際情況和特點(diǎn),選擇φ50 mm 孔道進(jìn)行相關(guān)的堆內(nèi)傳熱實(shí)驗(yàn)。

2 核發(fā)熱計(jì)算

靶件核發(fā)熱包括芯體材料發(fā)熱、鋁包殼材料及結(jié)構(gòu)件的發(fā)熱,發(fā)熱率主要與核反應(yīng)堆運(yùn)行功率、材料核特性和輻照位置等因素相關(guān)。堆內(nèi)輻照過程中產(chǎn)生的中子及裂變和中子俘獲過程中產(chǎn)生的γ光子是瞬發(fā)部分熱量的主要來(lái)源。緩發(fā)部分熱量主要來(lái)源于中子活化產(chǎn)物和裂變產(chǎn)物等[2]。根據(jù)能量沉積形式,核發(fā)熱可粗略分為瞬發(fā)n、γ熱量,緩發(fā)n、γ熱量和生成核α、β、γ衰變熱3部分。由于14C是純?chǔ)路派湫酝凰兀?jì)算中,輻照樣品n、γ熱量可由MCNP程序計(jì)算得到,生成核α、β、γ衰變熱中主要考慮了β衰變熱且假設(shè)其全部被樣品吸收。

利用MCNP進(jìn)行核發(fā)熱計(jì)算,建模時(shí)除精確描述CARR 的堆內(nèi)結(jié)構(gòu)外,還對(duì)輻照靶件結(jié)構(gòu)進(jìn)行了精細(xì)化處理,對(duì)內(nèi)外靶筒的結(jié)構(gòu)件、氦氣等均在模型中準(zhǔn)確描敘,并準(zhǔn)確模擬了真實(shí)靶件的輻照環(huán)境。通過MCNP 中的計(jì)數(shù)卡即可計(jì)算出相應(yīng)的核發(fā)熱率。

3 靶件表面溫度計(jì)算

3.1 熱工安全準(zhǔn)則

熱工安全分析考慮的準(zhǔn)則有:1)在正常運(yùn)行狀態(tài)下,冷卻劑溫度不允許超過飽和溫度,靶件表面(外靶筒)不允許發(fā)生冷卻劑泡核沸騰;2)樣品罐外靶筒最高溫度應(yīng)低于200 ℃、靶材料中心最高溫度應(yīng)低于600 ℃;3)在事故狀態(tài)下,可能發(fā)生的靶件破損保持在可接受范圍內(nèi),使靶件保持可冷卻的幾何形狀,能安全導(dǎo)出靶件釋熱。

3.2 熱工計(jì)算模型

靶件表面溫度的熱工計(jì)算采用RELAP5程序。對(duì)φ50mm 同位素孔道,根據(jù)靶件和垂直孔道布置、冷卻劑流程和傳熱過程,對(duì)該系統(tǒng)進(jìn)行節(jié)點(diǎn)化,靶件節(jié)點(diǎn)劃分示意圖如圖2所示。圖2中:100 為堆水池,用以給定孔道入口處的邊界條件;110為孔道內(nèi)無(wú)靶件流體部分;210為垂直孔道與吊籃之間的環(huán)形流道;310為吊籃與外靶筒間的環(huán)形流道,由于在吊籃表面開孔,內(nèi)外環(huán)形流道之間是連通的,因此用接管連接兩個(gè)環(huán)形通道;400為孔道內(nèi)靶件以下的流體區(qū)域;210外連接的熱構(gòu)件為垂直孔道壁,在其之外為重水箱;210 與310 間的熱構(gòu)件為吊籃壁;與310 內(nèi)壁連接的熱構(gòu)件為靶件。

圖2 靶件節(jié)點(diǎn)劃分示意圖Fig.2 Schematic diagram of target node partition

4 堆內(nèi)傳熱實(shí)驗(yàn)

靶件的發(fā)熱量在反應(yīng)堆運(yùn)行過程中不易直接測(cè)量,但可通過測(cè)量靶件的表面溫度,間接反應(yīng)出靶件內(nèi)部靶材的發(fā)熱量,從而判定靶件在堆內(nèi)的發(fā)熱量是否符合相關(guān)要求。靶件的表面溫度通過熱電偶來(lái)測(cè)量。

在孔道內(nèi)放入實(shí)驗(yàn)靶件,其中4號(hào)靶件的中心正對(duì)堆芯的活性區(qū)放置。在不同運(yùn)行功率臺(tái)階(10、30和50MW)下,通過輻照實(shí)驗(yàn)監(jiān)控系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)靶件的外表面溫度及孔道入口溫度。

測(cè)溫實(shí)驗(yàn)組件由吊籃、靶件組成,具體結(jié)構(gòu)如圖3所示。共裝入6個(gè)實(shí)驗(yàn)靶件。每個(gè)靶件表面周向?qū)ΨQ共安裝有兩對(duì)熱電偶,其中第4個(gè)靶件表面周向均勻安裝有3對(duì)熱電偶,另外,在吊籃頂部安裝有1對(duì)用于測(cè)量孔道內(nèi)溫度的熱電偶。

圖3 測(cè)溫實(shí)驗(yàn)組件結(jié)構(gòu)示意圖Fig.3 Schematic diagram of experiment device

5 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析

5.1 理論計(jì)算結(jié)果

1)核發(fā)熱

不同靶件距堆芯活性區(qū)的位置不同,其吸收的中子注量率也不同。通過MCNP 程序計(jì)算各靶件對(duì)應(yīng)的核發(fā)熱率,結(jié)果列于表1。由表1可見:1號(hào)靶件距堆芯活性區(qū)最遠(yuǎn),其吸收的中子相對(duì)較少,產(chǎn)生的核發(fā)熱率最小;4號(hào)靶件距活性區(qū)最近,其核發(fā)熱率最高。

表1 靶件發(fā)熱率Table 1 Heating rate of target

2)外靶筒最高溫度

CARR 的滿功率為60MW,此功率下的靶件發(fā)熱量最大。為研究靶件發(fā)熱,靶件的軸向發(fā)熱功率采用滿功率的計(jì)算結(jié)果。采用RELAP5程序?qū)M功率下系統(tǒng)的熱工水力行為進(jìn)行計(jì)算。計(jì)算中用到的主要輸入?yún)?shù)列于表2。各靶件溫度分布如圖4所示。外靶筒的總發(fā)熱量列于表3。

由圖4和表3可見,4號(hào)靶件的外靶筒、靶芯溫度最高,分別為82.27℃和180.08 ℃,其總發(fā)熱量為262.0 W,均低于安全限值的要求。因此,在滿功率條件下,靶件在堆內(nèi)輻照產(chǎn)生的發(fā)熱量是安全的,不會(huì)影響靶件和反應(yīng)堆的安全。

5.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析

不同功率臺(tái)階時(shí),各靶件外表面熱電偶測(cè)得的靶件外表面溫度示于圖5。由圖5 可見,反應(yīng)堆功率由10 MW 上升到20 MW,靶件外表面溫度反而下降。這是由于實(shí)驗(yàn)在冬季進(jìn)行,室外環(huán)境溫度較低,在低功率階段未通過冷卻塔對(duì)反應(yīng)堆進(jìn)行冷卻,隨著功率的提升,溫度不斷升高,二次水通過冷卻塔后溫度迅速降低,堆水池的水溫也隨之降低,從而導(dǎo)致功率上升、靶件外表面溫度先降后升的現(xiàn)象。

表2 計(jì)算輸入?yún)?shù)Table 2 Input parameters of calculation

圖4 滿功率下靶件的溫度分布Fig.4 Temperature distribution of target under full power

表3 外靶筒的總發(fā)熱量Table 3 Total heat of outer container of target

圖5 靶件外表面溫度隨功率的變化Fig.5 Variation of target temperature with power

在50 MW 功率臺(tái)階下,外靶筒的實(shí)際測(cè)量溫度列于表4。在實(shí)驗(yàn)過程中發(fā)現(xiàn)1號(hào)靶件的正對(duì)核心區(qū)位置熱電偶與6號(hào)靶件背對(duì)核心區(qū)位置熱電偶因損壞而失效,因此,本文僅選用了2~5 號(hào)靶件的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。在50 MW功率臺(tái)階下,溫度理論值和實(shí)測(cè)值的對(duì)比列于表5。由于在計(jì)算過程中使用的是外靶筒與重水的溫差,為更準(zhǔn)確反映計(jì)算情況[2],本文比較的是理論值和實(shí)測(cè)值與重水的溫差。從表5可看出:對(duì)于2~5號(hào)靶件,理論值與實(shí)測(cè)值的相對(duì)偏差的絕對(duì)值不大于7.1%,說(shuō)明理論計(jì)算與實(shí)驗(yàn)測(cè)量結(jié)果符合較好,理論計(jì)算結(jié)果偏于保守。

表4 外靶筒實(shí)測(cè)溫度Table 4 Measured temperature at outer container of target

表5 溫度理論值與實(shí)測(cè)值對(duì)比Table 5 Comparison between calculated and measured temperatures

6 結(jié)論

通過實(shí)驗(yàn)測(cè)量得到實(shí)驗(yàn)靶件的表面溫度及其軸向分布,實(shí)驗(yàn)測(cè)量結(jié)果與理論計(jì)算結(jié)果相吻合,理論計(jì)算結(jié)果偏于保守。實(shí)驗(yàn)測(cè)量的外靶筒溫度、靶芯溫度遠(yuǎn)低于安全準(zhǔn)則要求,因此,輻照靶件是安全的,CARR 具備輻照生產(chǎn)14C的能力。本文結(jié)果為今后輻照靶件的裝載量、冷卻方式提供了重要實(shí)驗(yàn)參數(shù),相關(guān)理論計(jì)算也可推廣到其他孔道和核素的計(jì)算中。

[1] 蔣炳生,翟盛廷,韋會(huì)祥,等.高比活度碳[14C]酸鋇的研制[J].核動(dòng)力工程,1997,18(1):86-90.JIANG Bingsheng,ZHAI Shengting,WEI Huixiang,et al.Preparation of high specific activity[14C]-barium carbonate[J].Nuclear Power Engineering,1997,18(1):86-90(in Chinese).

[2] 沈峰.堆內(nèi)輻照過程中輻照靶件的核發(fā)熱和傳熱研究[J].原子能科學(xué)技術(shù),2003,37(4):345-348.SHEN Feng.Research on nuclear heating and heat transfer of irradiated targets in process of inpile irradiation[J].Atomic Energy Science and Technology,2003,37(4):345-348(in Chinese).

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