中微交付韓國(guó)領(lǐng)先存儲(chǔ)器制造商用于3D VNAND閃存工藝的先進(jìn)刻蝕機(jī)

Primo SSCAD-RIETM將在客戶最先進(jìn)的試生產(chǎn)線上投入運(yùn)行

上海和舊金山2015年7月9日電/--中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（簡(jiǎn)稱“中微”）宣布 Primo SSC AD-RIE?（中微單反應(yīng)臺(tái)等離子體刻蝕設(shè)備）已交付韓國(guó)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器制造商。Primo SSC ADRIE?是中微公司目前最先進(jìn)的介質(zhì)刻蝕設(shè)備，可用于1X納米關(guān)鍵刻蝕工藝芯片加工。在此之前，中微的Primo SSC AD-RIE?已在南韓的16納米最關(guān)鍵的刻蝕步驟上實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。這臺(tái)交付的設(shè)備將在客戶最先進(jìn)工藝的3D VNAND試生產(chǎn)線上投入運(yùn)行。

移動(dòng)電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展、以及大數(shù)據(jù)、社交傳媒的廣泛應(yīng)用，使得人們對(duì)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量和讀取速度提出了更高的要求。當(dāng)前一代的2D NAND工藝很快將無法滿足不斷升級(jí)的需求。3D VNAND代表了下一代前沿工藝，中微的客戶正是技術(shù)進(jìn)步的領(lǐng)跑者。像存儲(chǔ)故障、光刻圖案技術(shù)的局限性等問題使在2D NAND工藝層面很難繼續(xù)向下一代工藝節(jié)點(diǎn)過渡，3D VNAND則能解決這一難題。3D VNAND帶來的好處還包括提高存儲(chǔ)容量和讀取速度，提升功率效能和可靠性，并降低生產(chǎn)成本。

“認(rèn)識(shí)到3D VNAND閃存技術(shù)是存儲(chǔ)工藝的未來，我們?cè)谘邪l(fā)上投入了大量的人力和物力，與客戶緊密合作，開發(fā)用于這種高端制程工藝所必需的刻蝕技術(shù)。”中微副總裁兼存儲(chǔ)及邏輯產(chǎn)品關(guān)鍵客戶大區(qū)總經(jīng)理KI Yoon說道，“能夠在這家領(lǐng)先客戶的3D VNAND試生產(chǎn)線上占有一席之地是對(duì)我們長(zhǎng)期努力的肯定。另外，在這個(gè)只有少數(shù)一線刻蝕設(shè)備供應(yīng)商高度競(jìng)爭(zhēng)的領(lǐng)域，我們相信，我們的工藝質(zhì)量和面對(duì)嚴(yán)峻技術(shù)挑戰(zhàn)的快速反應(yīng)能力使我們贏得了訂單。我們很高興也很自豪，能夠?yàn)檫@一重要客戶開發(fā)這項(xiàng)工藝。”

Primo SSC AD-RIE是采用高抽速，低壓，高能脈沖等離子體的手段為高深寬比刻蝕而開發(fā)的產(chǎn)品。這是中微Primo刻蝕產(chǎn)品家族中的最新一代產(chǎn)品。像中微其他所有刻蝕設(shè)備一樣，Primo SSC AD-RIE具備先進(jìn)的技術(shù)水平、超高的生產(chǎn)效率和較低的生產(chǎn)成本。