Diodes優化互補式MOSFET提升降壓轉換器功率密度

Diodes公司（Diodes Incorporated）推出互補式雙MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉換器的功率密度。新產品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設計針對負載點轉換器，為專用集成電路提供從3.3 V下降到1 V的核心電壓。目標應用包括以太網絡控制器、路由器、網絡接口控制器、交換機、數字用戶線路適配器、以及服務器和機頂盒等設備的處理器。

降壓轉換器可利用獨立的脈沖寬度調制控制器及外部MOSFET來提升設計靈活性，同時從開關元件提供分布式熱耗散。DMC1028UFDB MOSFET組合優化了性能，可盡量提高3.3 V到1 V降壓轉換器的效率，并驅動高達3 A的負載。這些優化性能包括針對在三分之二的開關周期都處于導通狀態的低側N通道MOSFET，Vgs=3.3 V下的19 mΩ低導通電阻，還有為P通道MOSFET而設，Vgs=3.3 V下的5nc低柵極電荷，從而把開關損耗減到最低。

DMC1028UFDB利用P通道MOSFET部署高側開關元件，相比需要充電泵的N通道MOSFET，能夠簡化設計及減少元件數量。與采用了相同尺寸封裝的獨立MOSFET相比，這種把P通道和N通道器件集成到單一DFN2020封裝的互補式雙MOSFET組合可使整體功率密度翻倍。