Diodes優(yōu)化互補(bǔ)式MOSFET提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度

Diodes公司（Diodes Incorporated）推出互補(bǔ)式雙MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設(shè)計(jì)針對負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器，為專用集成電路提供從3.3 V下降到1 V的核心電壓。目標(biāo)應(yīng)用包括以太網(wǎng)絡(luò)控制器、路由器、網(wǎng)絡(luò)接口控制器、交換機(jī)、數(shù)字用戶線路適配器、以及服務(wù)器和機(jī)頂盒等設(shè)備的處理器。

降壓轉(zhuǎn)換器可利用獨(dú)立的脈沖寬度調(diào)制控制器及外部MOSFET來提升設(shè)計(jì)靈活性，同時(shí)從開關(guān)元件提供分布式熱耗散。DMC1028UFDB MOSFET組合優(yōu)化了性能，可盡量提高3.3 V到1 V降壓轉(zhuǎn)換器的效率，并驅(qū)動高達(dá)3 A的負(fù)載。這些優(yōu)化性能包括針對在三分之二的開關(guān)周期都處于導(dǎo)通狀態(tài)的低側(cè)N通道MOSFET，Vgs=3.3 V下的19 mΩ低導(dǎo)通電阻，還有為P通道MOSFET而設(shè)，Vgs=3.3 V下的5nc低柵極電荷，從而把開關(guān)損耗減到最低。

DMC1028UFDB利用P通道MOSFET部署高側(cè)開關(guān)元件，相比需要充電泵的N通道MOSFET，能夠簡化設(shè)計(jì)及減少元件數(shù)量。與采用了相同尺寸封裝的獨(dú)立MOSFET相比，這種把P通道和N通道器件集成到單一DFN2020封裝的互補(bǔ)式雙MOSFET組合可使整體功率密度翻倍。