“一種高純二氧化碲單晶及制備方法”獲國(guó)家專利優(yōu)秀獎(jiǎng)

?

“一種高純二氧化碲單晶及制備方法”獲國(guó)家專利優(yōu)秀獎(jiǎng)

中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所的研究人員發(fā)明的“一種高純二氧化碲單晶及制備方法”（專利號(hào)：200910048849.5），獲得了第十七屆中國(guó)專利優(yōu)秀獎(jiǎng)。

該項(xiàng)專利利用晶體生長(zhǎng)過(guò)程中生長(zhǎng)基元從無(wú)序變?yōu)橛行蜻M(jìn)而提高純度的原理，首創(chuàng)了兩次生長(zhǎng)制備方法，獲得了鈾、釷等雜質(zhì)含量達(dá)到10-14g/g的高純二氧化碲單晶，推動(dòng)了中微子探測(cè)項(xiàng)目的發(fā)展。采用該項(xiàng)專利技術(shù)制備的二氧化碲單晶優(yōu)越的聲光性能和寬波段透過(guò)性能滿足了我國(guó)探月工程的紅外成像要求，在國(guó)際上首次成功應(yīng)用于月球探測(cè)。

該項(xiàng)專利還通過(guò)國(guó)際PCT（專利合作協(xié)定）申請(qǐng)途徑，先后申請(qǐng)了美國(guó)、歐洲專利，并獲得了專利授權(quán)（歐洲專利號(hào)：EP2415912，美國(guó)專利號(hào)：US8480996）。

(科 苑)