郭志敏,郝彥忠,,裴 娟,孫 寶,李英品
(1.河北科技大學化學與制藥工程學院,河北石家莊 050018;2.河北科技大學理學院,河北石家莊 050018)
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SbS納米粒子敏化ZnO微納分級結構的光電化學性能
郭志敏1,郝彥忠1,2,裴娟2,孫寶2,李英品2
(1.河北科技大學化學與制藥工程學院,河北石家莊050018;2.河北科技大學理學院,河北石家莊050018)
摘要:采用電化學沉積方法,選擇聚乙二醇(PEG-400)和乙二胺(EDA)為添加劑,直接在ITO導電玻璃上制備了有序陣列的ZnO納米棒,以及ZnO納米棒上生長納米棒微納分級結構。采用化學浴沉積法均勻沉積Sb2S3納米粒子,制備了Sb2S3/ZnO納米棒殼核結構和Sb2S3/ZnO納米棒上生長納米棒分級殼核結構。利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、紫外-可見吸收光譜(UV-vis)、瞬態光電流等分析手段對其形貌、結構和光電化學性能進行了表征和測試。研究表明,Sb2S3/ZnO納米棒上生長納米棒分級殼核結構陣列膜的光電流明顯高于Sb2S3/ZnO納米棒殼核結構陣列。
關鍵詞:光電化學;Sb2S3納米粒子;ZnO納米棒;微納分級結構;殼核結構
郭志敏,郝彥忠,裴娟,等.Sb2S3納米粒子敏化ZnO微納分級結構的光電化學性能[J].河北科技大學學報,2016,37(1):26-32.
一維ZnO納米半導體材料提供了直接有序的電荷傳輸通道,提高了光生電荷的分離效率,在太陽電池電極材料方面得到了廣泛應用[1-8]。近年來,人們通過電化學沉積法[9-11]、水熱/溶劑熱法等[12-13]相繼合成了ZnO納米棒,ZnO納米棒的微納分級結構[14-16]因高的比表面積和多電子傳輸通道等優點吸引了很多研究者的關注。XU等[17]利用兩步電化學沉積方法制備了ZnO納米棒分級結構,產品展現出優良的光電性能。……