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12位低功耗高精度SAR ADC的研究與設(shè)計

2016-03-10 00:16:38北京理工大學(xué)信息與電子學(xué)院楊晨晨張曉潔
電子世界 2016年24期
關(guān)鍵詞:信號設(shè)計

北京理工大學(xué)信息與電子學(xué)院 洪 祥 楊晨晨 張曉潔

12位低功耗高精度SAR ADC的研究與設(shè)計

北京理工大學(xué)信息與電子學(xué)院 洪 祥 楊晨晨 張曉潔

本文基于0.18um CSMC CMOS 1P6M工藝,設(shè)計了一種12bit高精度低功耗的SAR ADC。該設(shè)計采用全差分結(jié)構(gòu)、柵壓自舉開關(guān)等方法提高精度,使用同步時鐘、傳輸門的觸發(fā)器和“部分單調(diào)開關(guān)”的整體結(jié)構(gòu)降低功耗,并抑制了共模失調(diào)。本設(shè)計中使用Aether軟件,完成了電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計、仿真以及版圖設(shè)計。設(shè)計的后仿結(jié)果能夠在采樣頻率280KHz,輸入53KHz正弦波的情況下,信號SNR為66.891dB,SFDR為77.79dB,有效位數(shù)10.826位。INL為±0.53LSB,DNL為±0.16LSB。總電流為56uA,不考慮reference電流為40uA,芯片核心面積為836.015um X 603.665um。

全差分;柵壓自舉開關(guān);同步時鐘;部分單調(diào)開關(guān)

1. 引言

隨著計算機和微電子技術(shù)的高速發(fā)展,片上系統(tǒng)(SOC)成為當(dāng)前CMOS技術(shù)的主要發(fā)展方向。數(shù)字信號處理技術(shù)憑借成本低、規(guī)模大的優(yōu)勢得到了飛速發(fā)展。但來自于自然界的信號大都是模擬量,在模擬信號和數(shù)字信號之間就必須存在轉(zhuǎn)換接口。

模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)就是將模擬信號按照一定的編碼規(guī)則轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的接口電路,只有通過它,SOC才能對外界模擬信號進(jìn)行采集和處理。因此,隨著高速信號處理應(yīng)用的不斷增加,模數(shù)轉(zhuǎn)換器也向著高速高精度方向發(fā)展,以滿足無線通信、高速信號處理等領(lǐng)域的要求。在多種不同的ADC架構(gòu)中,逐次逼近式模數(shù)轉(zhuǎn)換器(SAR ADC)具有功耗低,面積小,高度數(shù)字化,轉(zhuǎn)化延遲小的優(yōu)點,通常用于低功耗中低速中高精度的應(yīng)用場合,是目前ADC的熱門技術(shù)。本文研究重點是低功耗高精度的SAR ADC。

2. SAR ADC的原理

圖2-1中給出了SAR ADC電路模塊的框圖,包括采樣開關(guān)、比較器、DAC電路和邏輯控制單元,由采樣開關(guān)對輸入信號進(jìn)行采樣,采樣后的電平保持在DAC的上極板,采樣信號被送入比較器,控制邏輯根據(jù)比較結(jié)果控制DAC下極板開關(guān),依據(jù)比較結(jié)果逐位確定模擬信號對應(yīng)的數(shù)字碼,最后使得DAC的輸出在最高精度范圍內(nèi)逼近模擬輸入。

圖2-1 SAR ADC 結(jié)構(gòu)框圖

信號轉(zhuǎn)換過程如圖2-1所示:

圖2-2 SAR ADC信號流程圖

將模擬信號輸入VIN、VIP,被采樣開關(guān)采樣,轉(zhuǎn)換周期開始。采樣信號首先被送至比較器,比較大小后輸出比較結(jié)果,控制邏輯依據(jù)此結(jié)果切換DAC最高位的值,如果VIN>VIP,則N端電壓變?yōu)閂IN-0.5Vref,N端MSB確定為1。轉(zhuǎn)換的第一步完成,接下來重復(fù)上述流程,直到最低位被確定,SAR ADC完成一次逐次逼近轉(zhuǎn)換。

3. SAR ADC的結(jié)構(gòu)與實現(xiàn)

3.1 柵壓自舉開關(guān)

采樣保持電路對模擬輸入信號進(jìn)行瞬時采樣并保持,作為SAR ADC的前端模塊,其性能對整體信噪比、線性度、直流失調(diào)等參數(shù)有重要影響。本文采用柵壓自舉開關(guān)結(jié)構(gòu),導(dǎo)通管的柵極電壓能夠跟隨輸入電壓的變化,即導(dǎo)通電阻不受輸入電壓的影響,有效地提高了開關(guān)的線性度,改善了采樣保持電路的性能。

電路結(jié)構(gòu)如圖3-1所示:

圖3-1 柵壓自舉開關(guān)

工作過程如下:時鐘信號CLK為低電平時,由M3和M4組成的反相器輸出為高電平,M6導(dǎo)通,電容一端接低電平,同時M8、M9也導(dǎo)通,節(jié)點n3接低電平,PMOS管M5導(dǎo)通,電容被充電到VDD,M1導(dǎo)通,M7因柵極接高電平截止,開關(guān)處于斷開狀態(tài)。當(dāng)時鐘信號跳變到高電平時,反相器輸出為低電平,M6、M9截止,M2導(dǎo)通,M7的柵極連接到節(jié)點n2,其柵源電壓為-VDD,管子導(dǎo)通,節(jié)點n3接高電平,M5截止,M10導(dǎo)通,節(jié)點n1、n3的電平被抬升到VDD+Vin,開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài),其柵源電壓為VDD,實現(xiàn)柵壓自舉功能。此結(jié)構(gòu)的信噪比可達(dá)79dB,有效位可達(dá)12.90位。

3.2 預(yù)放大與比較器

預(yù)放大電路是比較器的前級電路,主要作用是提高動態(tài)鎖存比較器的分辨率并減小回踢噪聲。設(shè)計時,需要將輸入共模范圍、輸出擺幅、共模抑制比、電源抑制比和功耗等因素綜合考慮。由于比較器是模擬輸入、數(shù)字輸出的器件,數(shù)字信號會干擾模擬輸入,因此通過共源共柵結(jié)構(gòu)高輸出阻抗的特性,一定程度上屏蔽了放大器輸出端信號對輸入模擬信號的影響。原理圖如圖3-2所示:

圖3-2 預(yù)放大電路原理圖

比較器是SAR ADC系統(tǒng)中最重要的模擬模塊,分辨精度至少為1/2個LSB的電壓,失調(diào)電壓也要控制在1/2個LSB以內(nèi)。本文設(shè)計的ADC具有12位精度,量化量程為1.8V,因此分辨精度為220V。采用預(yù)放大鎖存比較器,將輸入信號經(jīng)一級預(yù)放大,放大后再由鎖存器進(jìn)行比較,以節(jié)省靜態(tài)功耗,并滿足高精度的要求。鎖存器通過正反饋將輸入信號以指數(shù)形式快速放大,原理圖如圖3-3所示:

前級預(yù)放大的輸出通過PMOS管M2、M3輸入,M9、M10構(gòu)成正反饋結(jié)構(gòu),后面通過一級反相器將結(jié)果輸出。時鐘信號CLK為高時,M1截止,M8、M11導(dǎo)通,把電路中相應(yīng)節(jié)點的電壓強制拉至低電平;CLK為低時,M1導(dǎo)通,輸入信號通過正反饋被迅速放大鎖存。

前仿比較器精度可達(dá)到100V,后仿可達(dá)到200V。

圖3-3 比較器原理圖

3.3 DAC電路

DAC的線性度直接影響了整體電路的轉(zhuǎn)換精度,DAC的誤差主要來源于兩個方面,一是寄生電容及干擾,二是電容的匹配精度。

對于DAC而言,較大的單位電容有助于減小寄生和失配帶來的影響,但會導(dǎo)致功耗增加,版圖面積增加,綜合電路的要求以及CSMC的工藝文檔,我們?nèi)挝浑娙軨=400fF,w=20u,l=20u。

由于電容個數(shù)與位數(shù)成指數(shù)關(guān)系,直接利用電容構(gòu)造12位DAC是不可行的,必須引入分段結(jié)構(gòu),分段電容的容值一般是分?jǐn)?shù),在我們的電路中。通過對電容陣的整體仿真,雖然可以利用單位電容的串并準(zhǔn)確的構(gòu)造出分?jǐn)?shù)電容,但走線復(fù)雜、寄生難以控制,由此引起的誤差反而使其得不償失,最終,我們將一個稍大的電容做為分段電容,將其邊長設(shè)置為w=l=20.16u,電路整體結(jié)構(gòu)如下圖所示:

通過將不同的置位信號賦值到DAC下極板,仿真結(jié)果如下圖所示:

圖3-4 DAC電路仿真結(jié)果

可以看到電路完成了DAC的基本功能,完成了數(shù)字到模擬信號的轉(zhuǎn)換。

3.4 邏輯控制單元

邏輯控制單元的主要功能是根據(jù)比較器返回的比較結(jié)果,在相應(yīng)的時鐘沿到來時切換開關(guān),DAC的下極板設(shè)置為VREF或0。切換開關(guān)時需要考慮開關(guān)的切換策略,傳統(tǒng)的切換過程如圖3-5所示,由于差分端信號都需要切換,功耗較大,為了降低功耗,我們采用單調(diào)開關(guān)的切換策略,如圖3-6所示。

圖3-5 傳統(tǒng)開關(guān)切換方式

圖3-6 單調(diào)開關(guān)切換方式

圖3-7 部分單調(diào)開關(guān)切換策略

單調(diào)式開關(guān)在轉(zhuǎn)換過程中差分兩端的信號會逐漸降低,引起比較器的共模失調(diào),影響SAR ADC的SFDR(無雜散動態(tài)范圍),為減小共模偏移的影響,我們采用“部分單調(diào)”的開關(guān)策略,在最高位MSB將較小的一端上拉,其他位下拉,這樣共模電平的偏移最小,轉(zhuǎn)換過程如圖3-7所示。

由于電路中同時存在“上拉”“下拉”兩種不同的操作,需要有兩種不同的邏輯控制單元,電路如圖3-8、3-9所示。

圖3-8 上拉控制單元

圖3-9 下拉控制單元

上拉單元工作原理如下:當(dāng)時鐘為低時,與非門輸出為“1”,置位端C1為模擬地AVSS,當(dāng)比較結(jié)果到來時,由觸發(fā)器將結(jié)果輸送到B1,如果比較結(jié)果“1”,經(jīng)過反相器變?yōu)椤?”,結(jié)果保持不變;若比較結(jié)果為“0”,經(jīng)過反相器變?yōu)椤?”,與非門輸出“0”,置位端C1為VREF,完成上拉動作。下拉單元工作過程和上拉單元相反。

控制單元中還包括整個電路的時序的產(chǎn)生,時鐘信號產(chǎn)生電路主要功能是根據(jù)輸入時鐘信號,產(chǎn)生控制采樣開關(guān)、比較器,以及各個時序開關(guān)的時鐘信號,其原理框圖如圖3-10所示:

圖3-10 時序電路框圖

簡單的時序分析可知,電路將產(chǎn)生如圖3-11時序:

圖3-11 時序邏輯圖

其中,采樣時鐘clks為2個clk周期采樣,12個clk周期保持,比較時鐘clkc也保持兩個周期靜止,其后12個周期依次比較。

4. 仿真結(jié)果與版圖

4.1 仿真結(jié)果

各子模塊搭建完畢后,按框圖將各個子模塊連接起來進(jìn)行仿真,利用頻率103.2KHz,幅度1.8V的正弦波作為測試用例。仿真結(jié)果如圖4-1所示:

圖4-1 SAR ADC瞬態(tài)仿真結(jié)果

將仿真結(jié)果導(dǎo)出,重建波形后分析頻譜,結(jié)果如圖4-2所示:

圖4-2 仿真結(jié)果頻譜分析

軟件分析結(jié)果為SNR=70.913dB,SFDR=80.857dB,有效位數(shù)ENOB=11.438。

4.2 版圖設(shè)計

前仿實現(xiàn)功能后我們開始準(zhǔn)備版圖,首先對版圖進(jìn)行整體規(guī)劃,如圖4-3所示:

圖4-3 整體版圖布局

由于SAR ADC是混合信號電路,同時包含數(shù)字部分和模擬部分,在整體考量時應(yīng)盡量減小數(shù)字部分對模擬部分的干擾,通過上述布局可實現(xiàn)模擬模塊和數(shù)字模塊的隔離,使關(guān)鍵信號線上沒有交疊。整體版圖如圖4-4所示。

圖4-4 SAR ADC整體版圖

5. 結(jié)論

本次設(shè)計采用0.18um CSMC CMOS 1P6M工藝,通過Aether軟件仿真驗證了12位280KS/s的低功耗SAR ADC芯片。本設(shè)計采用了部分單調(diào)的開關(guān)策略,在降低功耗的同時不影響無雜散動態(tài)范圍。設(shè)計的后仿結(jié)果能夠在采樣頻率280KHz,輸入53KHz正弦波的情況下,信號SNR為66.891dB,SFDR為77.79dB,有效位數(shù)10.826位。INL為±0.53LSB,DNL為±0.16LSB。總電流為56uA,不考慮reference電流為40uA,芯片核心面積為836.015um × 603.665um,添加I/O PAD后總面積為1508um × 1508um,達(dá)到了設(shè)計要求。

[1]盧宇瀟.高速低功耗逐次逼近式ADC研究與實現(xiàn)[D].上海:上海交通大學(xué), 2014. 60-75.

[2]Chun-Cheng,Liu.Design of High-Speed Energy-Efficient Successive-Approximation Analog-to Digital Converters[D]. Taiwan,CN:National ChengKung University,2010.22-90.

[3]黃海.低壓、低功耗、高精度的逐次逼近型ADC設(shè)計[D]. 成都:電子科技大學(xué), 2013. 31-67.

[4]郝樂.基于低電壓高精度的12-bit SAR ADC設(shè)計[D]. 北京:北京交通大學(xué), 2008. 27-55.

洪祥(1993—),安徽馬鞍山人,碩士研究生,現(xiàn)就讀于北京理工大學(xué)。

楊晨晨(1994—),陜西咸陽人,碩士研究生,現(xiàn)就讀于北京理工大學(xué)。

張曉潔(1993—),湖北荊州人,碩士研究生,現(xiàn)就讀于北京理工大學(xué)。

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