TI：600 V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉換效能——TI公布其制造并提供樣片的首款集成高壓GaN FET和驅動器解決方案可實現2倍的功率密度，同時將功率損耗減半

TI：600 V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉換效能
——TI公布其制造并提供樣片的首款集成高壓GaN FET和驅動器解決方案可實現2倍的功率密度，同時將功率損耗減半

基于數十年的電源管理創新經驗，德州儀器（TI）近日宣布推出一款600 V氮化鎵（GaN）70 mU場效應晶體管（FET）功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優勢在隔離式高壓工業、電信、企業計算和可再生能源應用中都特別重要。

“通過3百萬小時以上的可靠測試，LMG3410使電源設計人員對GaN的無限潛能充滿信心，并且這也使他們用之前認為根本不可行的方法重新思考電源架構和系統，”TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses說，“隨著TI在生產制造能力和大量系統設計專業知識方面的聲譽不斷擴大，全新的功率級成為TI邁向GaN市場的重要一步?！?/p>

借助集成驅動器和零反向恢復電流等特性，LMG3410提供可靠的性能，特別是在硬開關應用中更是如此；在這些應用中，它能夠極大地降低開關損耗，最多能降低80%。與獨立GaN FET不同，易于使用的LMG3410集成了針對溫度、電流和欠壓閉鎖（UVLO）故障保護的內置智能化等功能。

LMG3410是第一款包含了由TI生產的GaN FET的半導體集成電路（IC）?；谠谥圃旌凸に囶I域多年形成的專業技術，TI在其硅技術兼容的工廠內創造出了GaN器件，并且通過不斷的實踐，使這些器件的質量超過了電子元件工業聯合會（JEDEC）標準的要求，以確保GaN在嚴酷的使用環境下的可靠性和穩健耐用性。

（TI供稿）