美國研究人員開發(fā)出芯片制造新技術(shù)

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美國研究人員開發(fā)出芯片制造新技術(shù)

美國麻省理工學院（MIT）的研究人員開發(fā)出一種全新的芯片制造技術(shù)，可將兩種晶格大小大不相同的材料——二硫化鉬和石墨烯集成在一層上，制造出通用計算機所需的電路元件芯片。

在實驗中，研究人員先將一層石墨烯鋪在硅基座上，再將希望平鋪二硫化鉬處的石墨烯蝕刻掉，在基座的一端放置一根由PTAS材料制成的固體條，接著，加熱PTAS并讓氣體流經(jīng)其穿過基座。氣體會攜帶PTAS分子并附著到暴露的硅上，但不會附著在石墨烯上。當PTAS分子附著時，會催化與其它氣體的反應，形成一層二硫化鉬。

新芯片內(nèi)的材料層僅1～3個原子厚，有助于制備出超低能耗的隧穿晶體管處理器，進而制造出功能更強大的計算機，也有助于將光學元件整合到計算機芯片內(nèi)。

(劉 霞)