NOR型FLASH存儲(chǔ)器測(cè)試技術(shù)

王征宇，趙　樺

（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第58研究所，江蘇無(wú)錫214035）

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NOR型FLASH存儲(chǔ)器測(cè)試技術(shù)

王征宇，趙樺

（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第58研究所，江蘇無(wú)錫214035）

摘要：NOR型FLASH存儲(chǔ)器因其能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù)的非易失性（Non-Volatile）特點(diǎn)，被廣泛用作各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)，但由于此類器件的編程及擦寫(xiě)均需寫(xiě)入特定指令，以啟動(dòng)內(nèi)置編程/擦除算法，從而使得采用自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)對(duì)其進(jìn)行測(cè)試也具有較高難度。因此，研究NOR型FLASH存儲(chǔ)器的測(cè)試技術(shù)，并開(kāi)發(fā)此類器件的測(cè)試平臺(tái)具有十分重要的意義。首先以AMD公司的AM29LV160DT為例，介紹了NOR型FLASH存儲(chǔ)器的基本工作原理，接著詳細(xì)闡述了一種采用J750EX系統(tǒng)的DSIO模塊動(dòng)態(tài)生成測(cè)試矢量的方法，從而能夠更為簡(jiǎn)便、高效地對(duì)NOR型FLASH存儲(chǔ)器的功能進(jìn)行評(píng)價(jià)。

關(guān)鍵詞：NOR型FLASH；DSIO

1　概述

FLASH閃存（Flash Memory）是一種非易失性（Non-Volatile）閃存，與各類DDR、SDRAM或者RDRAM等存儲(chǔ)器不同，它在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，因此被廣泛用作各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)，特別是移動(dòng)存儲(chǔ)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備。目前市場(chǎng)上有兩種主要的非易失性閃存：NOR型和NAND型。根據(jù)其自身的技術(shù)特點(diǎn)，均在市場(chǎng)中占有舉足輕重的地位。其中，NOR型為芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP, eXecute In Place），即應(yīng)用程序可直接在閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中，因此傳輸效率較高，但同時(shí)也使其無(wú)法像SRAM、SDRAM等存儲(chǔ)器那樣可以直接對(duì)地址單元進(jìn)行讀寫(xiě)操作，隨寫(xiě)隨讀。這使得對(duì)于此類器件的測(cè)試具有一定難度。本文以AMD公司的AM29LV160DT為例，介紹了一種基于Teradyne公司J750EX測(cè)試系統(tǒng)的DSIO模塊，來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)此類FLASH存儲(chǔ)器功能進(jìn)行評(píng)價(jià)的測(cè)試方案。……