王征宇,趙 樺
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第58研究所,江蘇無(wú)錫214035)
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NOR型FLASH存儲(chǔ)器測(cè)試技術(shù)
王征宇,趙樺
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第58研究所,江蘇無(wú)錫214035)
摘要:NOR型FLASH存儲(chǔ)器因其能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù)的非易失性(Non-Volatile)特點(diǎn),被廣泛用作各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì),但由于此類器件的編程及擦寫(xiě)均需寫(xiě)入特定指令,以啟動(dòng)內(nèi)置編程/擦除算法,從而使得采用自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)對(duì)其進(jìn)行測(cè)試也具有較高難度。因此,研究NOR型FLASH存儲(chǔ)器的測(cè)試技術(shù),并開(kāi)發(fā)此類器件的測(cè)試平臺(tái)具有十分重要的意義。首先以AMD公司的AM29LV160DT為例,介紹了NOR型FLASH存儲(chǔ)器的基本工作原理,接著詳細(xì)闡述了一種采用J750EX系統(tǒng)的DSIO模塊動(dòng)態(tài)生成測(cè)試矢量的方法,從而能夠更為簡(jiǎn)便、高效地對(duì)NOR型FLASH存儲(chǔ)器的功能進(jìn)行評(píng)價(jià)。
關(guān)鍵詞:NOR型FLASH;DSIO
FLASH閃存(Flash Memory)是一種非易失性(Non-Volatile)閃存,與各類DDR、SDRAM或者RDRAM等存儲(chǔ)器不同,它在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù),因此被廣泛用作各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì),特別是移動(dòng)存儲(chǔ)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備。目前市場(chǎng)上有兩種主要的非易失性閃存:NOR型和NAND型。根據(jù)其自身的技術(shù)特點(diǎn),均在市場(chǎng)中占有舉足輕重的地位。其中,NOR型為芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place),即應(yīng)用程序可直接在閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中,因此傳輸效率較高,但同時(shí)也使其無(wú)法像SRAM、SDRAM等存儲(chǔ)器那樣可以直接對(duì)地址單元進(jìn)行讀寫(xiě)操作,隨寫(xiě)隨讀。這使得對(duì)于此類器件的測(cè)試具有一定難度。本文以AMD公司的AM29LV160DT為例,介紹了一種基于Teradyne公司J750EX測(cè)試系統(tǒng)的DSIO模塊,來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)此類FLASH存儲(chǔ)器功能進(jìn)行評(píng)價(jià)的測(cè)試方案。……