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同價位SSD該選哪種閃存

2016-04-28 20:41:32老蓋
電腦愛好者 2016年8期
關鍵詞:產品

老蓋

得益于超快的速度和越來越低廉的閃存價格,SSD大有成為PC標配之勢。不過受制于先前TLC閃存在使用壽命、讀寫速度等方面的劣勢(圖1),使得TLC閃存SSD雖然在價格方面比MLC閃存產品有很大優勢,但許多朋友仍在拼命糾結中。如在價格相近的情況下,240GB TLC和120GB MLC這兩種SSD究竟該選誰呢?

壽命沒必要糾結

MLC和TLC這樣不同閃存顆粒間存在著壽命差異是眾所周知的事(圖2),其中MLC的擦寫壽命(P/E)約為3000次~10000次,TLC理論上約為500次~1000次,P/E次數僅達到MLC的零頭。我們不能只看數據,從整體來看,由于SSD的主控會自動平衡每個扇區的寫入次數,即只有當所有顆粒整體寫完一次后才會進行下一輪復寫,所以SSD的壽命實際上最終取決于硬盤的實際容量和每日的數據寫入量(圖3)。

以120GB SSD為例,假設TLC的擦寫壽命為500次,那么其允許寫入的總數據量為120GB×500=60000GB=60TB。就算是重度電腦用戶經常使用電腦進行辦公、游戲娛樂等,平均每天的數據寫入量也很少會超過20GB,那么一年下來其整體寫入量約為20GB×360=7200GB=7.2TB。以此可以得出一款128GB TLC SSD的實際使用年限約為8年,如果SSD的容量為240GB則使用年限為17年,足以滿足所有用戶的需求了。

上面我們只講了TLC SSD的壽命理論值,實際上近幾年隨著各大硬盤廠商在TLC閃存顆粒上的不斷發力,SSD的主控技術得到很大改進,信號處理、更強的ECC算法、擴大備用區域的容量增加預留空間等技術的廣泛應用,都在一定程度上提高了TLC SSD的可靠性和壽命(圖4)。目前TLC的壽命已從原先的500次~1000次P/E提高到了1000次~2000次P/E,這就意味著對于普通用戶來說其實并無必要糾結TLC和MLC產品誰使用的年限能更長一些。

性能TLC SSD并不差

盡管單純的跑分并不能真實、客觀地反映出SSD的真實性能,但它至少能給我們一個參考。以使用TLC閃存的英睿達BX200 240GB SSD為例(圖5),從AS SSD Benchmark、CrystalDiskMark測試來看該SSD在性能方面的表現,證明其并不比使用MLC閃存的英睿達BX100和MX200遜色多少。

TLC SSD與MLC SSD的唯一差異表現在隨機讀取方面,和BX100、MX200相比,BX的隨機讀取速度相差24K~34K IOPS,雖然從數值上來看這一差異并不能算小,但對于普通用戶來說,這一差異所能帶來的速度體驗其實很少。對于大多數普通用戶來說,在價格相近的情況下選擇240GB的TLC SSD,顯然要比選擇120GB的MLC產品經濟、實用得多。

相同價位選購

在240GB容量的SSD中,有不少價格在300元到500元的優秀產品,除了上面提到的京東售價為369元的英睿達BX200外,還有以下幾款產品都值得我們購買。在這個價格區間內暫時推薦三款TLC閃存產品,如果用戶希望使用MLC閃存產品,推薦不要降低容量標準而是增加一些預算去購買600元左右240GB以上容量的MLC產品。

威剛SP550 240GB

威剛SP550采用了SMI的SM2256主控,和16nm制造工藝的SK Hynix原廠TLC閃存芯片。SM2256是SMI最新一代主控,傳輸界面為SATA6Gb/s規格,緩存配備三星DDR3 1333高速緩存。持續讀寫方面SP550系列的性能大約為500MB/s,而在高隊列深度下QD64的隨機讀寫測試中,其IOPS基本可達到72K和78K左右,整體表現可以接受。

OCZ Trion 150 240GB

自被東芝收購后,OCZ的全線產品已全部更換為東芝原廠顆粒,這款OCZ Trion 150定位于入門級市場,而其主控采用了東芝TC58NC1000GBSB-00,緩存是南亞的DDR3L-1600 256MB。閃存是東芝15nm TLC,型號為TC58TEG7THLTA00,單顆容量16GB,雙面16顆組成256GB的總容量,實際可用容量240GB。從CrystalDiskMark測試看,OCZ Trion 150讀取寫入速度分別達到了563MB/S和536MB/S,在入門級SSD中遙遙領先。而在高隊列深度下QD64的隨機讀寫速度中,Trion 150的IOPS分別達到了76K和88K,甚至比眾多中端和高端頂級產品的速度還要快。

三星750 EVO 250GB

三星EVO系列產品的特點就是高速的TLC產品,主控采用三星自家MGX控制器,搭配三星自家TLC閃存顆粒,使得EVO系列產品無論是在穩定性方面還是可靠性方面都有不錯的表現。讀寫速度方面,750 EVO 250GB分別可達到540MB/s和520MB/s,高隊列深度下QD64隨機讀寫速度則均可達到90K IOPS左右。雖然和上兩款產品相比推出時間早了一年多,但全套三星主控閃存的整體表現,三星750 EVO系列依然值得用戶選擇。

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