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高速大容量NAND FLASH存儲系統

2016-05-14 22:40:28丁萬霞
數字技術與應用 2016年7期
關鍵詞:設計

丁萬霞

摘要:隨著電子技術快速發展,對信號處理系統綜合性能也提出更高的要求。從以往信號處理系統運行現狀看,很難做到數據實時、快速存儲等要求,無法保證存儲系統的高效運行。在此背景下,NAND FLASH系統便被引入其中,其對于現行系統存儲大容量、大帶寬等要求極為適用。本文將對NAND FLASH相關技術及其存儲系統的具體設計思路進行探析。

關鍵詞:NAND FLASH 大容量 高速 設計

中圖分類號: TP316.2 文獻標識碼:A 文章編號:1007-9416(2016)07-0158-01

盡管現行雷達領域中逐步將高速磁盤陣列存儲等技術引入其中,但技術應用下仍存在系統功耗過大等問題,難以滿足存儲數據穩定性要求。這就要求將固態存儲引入其中,這種存儲器無論在功耗控制,還是抗震性能等方面都具有明顯的優勢。但如何使這些優勢實現,要求將NAND FLASH固態硬盤引入,有利于存儲系統綜合性能的提升。因此,本文對存儲系統設計相關研究,具有十分重要的意義。

1 NAND FLASH存儲相關概述

關于NAND FLASH,其本身是一種的存儲介質,將其融入到存儲系統中,對于寫入后數據的維持無需通過額外電池便可實現。從其數據存儲的主要方式看,集中表現在SLC與MLC兩方面,前者又被稱為單層存儲,具有寫入速度快的優勢,但其涉及的成本較高且不具備較大的單位容量。而后者可被叫做多層式存儲,其相比SLC,具有容量大且存儲密度優勢較為明顯等特征,但寫入速度優勢并不突出。實際引入MLC過程中,一般會將相應的控制算法應用于控制器中,包括均衡技術、ECC等,這樣可使MLC寫入速度慢等弊病得以解決。現行數據傳輸傳輸、存儲中本身需考慮到大容量、高速等問題,所以需做好優化調整存儲系統工作。具體優化調整中主要考慮利用多通道形式取代以往單通道形式,滿足數據并行輸入輸出要求。且注意為使數據的存儲更為正確、可靠,要求系統中的控制器能夠對NAND FLASH數據進行檢測,若存在數據錯誤問題可直接進行糾正,有利于數據塊丟失問題的控制。除此之外,系統設計中還需將相應的文件管理算法引入,盡可能使數據得以保護[1]。

2 NAND FLASH存儲系統的具體設計思路

2.1 NAND FLASH存儲系統設計需求分析

現代存儲系統設計中多會考慮到是否適應雷達系統問題,應保證存儲系統既能控制數據輸出輸入,也具備記錄與回放存儲數據、協助分析與處理雷達信號等功能。所以本文在設計中主要考慮在網絡監控通道上以1000M Erhternet為主,指令控制與數據轉存通道分別為PCI Express與SRIO,這樣系統運行中便可實現多種工作模式。其中的工作模式集中表現在實時采集、重演回放、快速轉存以及快速回讀等功能上。為使這些工作模式得以實現,要求存儲模塊設計中,保證所有互連設計得以實現,如客戶端PC與FPGA間、PCI Express與FPGA間等。保證互連設計合理的基礎上,才可使各種工作模式的應用更為靈活,滿足雷達系統運行要求。

2.2 系統總體架構設計

NAND FLASH存儲系統設計中,主要考慮在高速總線橋梁、存儲目標介質上以FPGA為主,確保數據處理與存儲順利完成。當數據編碼結束后,會經過相應的處理在NAND FLASH芯片中進行存儲。若需進行數據讀取,僅需做好解碼與數據輸出既可,可滿足數據回放與轉存要求。從該過程可發現,整個存儲系統在架構上涉及的主要以PC客戶端計算機、NAND FLASH存儲陣列、PFGA控制器等為主。其中的核心部分在于存儲陣列模塊方面,所以設計的重點應集中在陣列模塊上[2]。

2.3 陣列模塊設計思路

對于陣列模塊設計,主要可采取并行流水與管理設計兩種方法。其中在并行流水設計中,可細化為擦除操作與讀寫操作等內容,前者強調對NAND FLASH中芯片采取整體擦除措施,或在對空間已用容量或空間需求計算的基礎上,采取部分擦除措施。盡管擦除中會耗費較多的時間,但不會對系統整體系統產生影響。而對于讀寫操作,要求利用并行流水設計,使芯片在處理時間上得以控制,進而達到系統帶寬性能提高的目標。另外,在管理設計過程中,主要考慮到芯片本身應用中很可能存在壞塊增加、存儲混亂、數據比特翻轉等問題,所以考慮將相應的存儲技術引入其中,包括文件系統、均衡損耗、壞塊管理以及ECC算法引入,以此使存儲數據可靠性得以提高,為后期數據處理工作提供便利。

2.4 數據傳輸通路的設計

數據傳輸通路是影響陣列模塊作用發揮的關鍵。實際設計過程中,主要考慮到存儲系統是否滿足監測信息、控制信息以及數據信息等互連傳輸等問題,可考慮將1000M Ethernet信號傳輸、PCIE信號傳輸以及SRIO信號傳輸等形式引入,這些問題可得到有效解決。同時,在這些傳輸通路合理設計情況下,存儲系統輸入輸出接口要求也可得以滿足[3]。

3 結語

NAND FLASH存儲系統的應用是提升現代雷達系統綜合性能的關鍵所在。實際對該存儲系統設計中,應正確認識NAND FLASH的主要特征與優勢,在此基礎上結合系統設計需求,明確系統設計的總體架構,保證其中的陣列模塊設計更為合理,并做好傳輸通路設計,這樣才可使存儲系統綜合性能得以提高。

參考文獻

[1]李晴.高速大容量NAND FLASH存儲系統的設計與實現[D].北京理工大學,2015.

[2]周之麗.基于Nand Flash的大容量存儲裝置的設計與研究[D].中北大學,2015.

[3]朱知博.基于NAND FLASH的高速大容量存儲系統設計[J].現代電子技術,2011,08:170-173.

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