多層陰影掩膜結構及其制造和使用方法
2016-05-30 18:49:07
科技資訊 2016年21期
授權公告號：CN101065827B
授權公告日：2016.08.31
專利權人：阿德文泰克全球有限公司
地址：英屬維爾京群島托托拉島
發明人：杰弗里·W·康拉德
Int.Cl.：H01L21/00（2006.01）I；H01L21/44（2006.01）I
優先權：10/996，142 2004.11.23 US
PCT進入國家階段日：2007.05.23
PCT申請數據：PCT/US2005/042468 2005.11.22
PCT公布數據：WO2006/058081 EN 2006.06.01
對比文件：US 2004232109 A1，2004.11.25，
摘 要：該發明提供了一種多層陰影掩膜及其使用方法。所述多層陰影掩膜包括與沉積掩膜結合的犧牲掩膜。所述犧牲掩膜對沉積掩膜上蒸發物的累積提供保護以防止沉積掩膜變形。
