HVNMOS 管的工藝參數分析

2016-10-29 02:17:00賀雪群

現代工業經濟和信息化 2016年11期

關鍵詞：工藝

賀雪群

（廈門理摯半導體科技有限公司，福建　廈門　361008）

工程技術

HVNMOS 管的工藝參數分析

賀雪群

（廈門理摯半導體科技有限公司，福建廈門361008）

以測試數據分析了CMOS工藝下影響高壓N管HVNMOS耐壓值的幾個參數。

高壓N管；工藝參數；耐壓值

在電路設計中，即使是低壓的設計，也難免要應用到高壓部分，但又不能改變工藝，在這種情況下，高壓管應用而生。下面我們以HVNMOS為例子來具體分析。

在高壓管中，我們就是要保證D端所加的高壓經過場釋放到大G端下面后小于柵穿電壓。圖1是一個CMOS工藝下HVNMOS的剖面圖［1］，也就是在A點時，要保證VD-VG＜V柵穿。D端是一個低攙雜的N-區，與G端有一定的交疊量?？偟腄、S電壓VDS等于兩個三角形的面積之和：

圖1　HVNMOS晶體管剖面圖及漏端橫向電場示意圖

D端N-與G端交疊量，即a的大小，不可太小，也不可太大。既要考慮在有套版偏差的情況下管子能正常工作，又要盡量提高管子的工作電壓。VD=VDS-V陰影，從上面兩個圖可以看出，如果適當縮小a的值，D端在A點的電壓會降低。

影響耐壓值的參數有：1）poly1gate覆蓋在場氧FOX即場板的值fp；2）fp到D端高濃接觸區的space，即HVNMOS剖面圖上的fsd（fpspacedrain）；3）溝道長度L。

在測試中，以某工藝為例，做了一系列的圖形，在其他參數不便的情況下，分別改變以上三個參數，然后測試擊穿電壓。具體的測試方法為：S、B、G短接并接-20V電壓，D端電壓從-20V到40V、步進0.2 V的加壓，檢測D端電流Id、b端電流Ib，s端電流Is，若出現擊穿使Id、Ib任意一個突然增大的情況，停止掃描。

1）fp的改變對擊穿電壓的影響：W/L=40/4，m=2，fsd=3.0 um，fp分別取0.8um、1.2um、1.6um，得到的擊穿圖分別如圖2—圖4。

總結：從擊穿曲線看，所有的擊穿都屬于次表面擊穿，且擊穿發生后直至測試所加的最高電壓60V，柵極都沒有電流，可見場板起到了兩個作用：將擊穿壓在次表面并保護柵氧不被擊穿。三個圖形的耐壓值分別為46.6V、48.2V、48.9V，有上升的趨勢，可見擊穿部位的深度在逐漸的增加。從測試數據看，擊穿都是發生在n-/p-之間。

圖2　Fp=08u m的擊穿圖

圖3　Fp=1.2μm的擊穿圖

圖4　Fp=1.6μm的擊穿圖

2）fsd對耐壓值的影響：W/L=40/4，m=2，fp= 2.0u，fsd分別取0.4μm、0.8μm、1.2μm、1.6μm、2.0μm、3.0μm，得到的擊穿圖分別如圖5—10。

圖5　fsd=0.4μm的擊穿圖

圖6　fsd=0.8μm的擊穿圖

圖7　fsd=1.2μm的擊穿圖

圖8　fsd=1.6μm的擊穿圖

圖9　Fsd=2.0μm的擊穿圖

圖10　Fsd=3.0μm的擊穿圖

總結：從理論上分析，如果fsd太小的話，管子則會因d與fp之間的電場太大而造成擊穿。從測試得到的擊穿曲線來看，fsd的改變對耐壓值的影響并不大。從電壓的角度來看，除fsd=1.6μm之外的5個圖形，耐壓值在51V和52V兩個點上徘徊，管子達到限流值時的電壓值也基本相同；從得到的擊穿曲線來看，除第4組外，其余5個曲線基本上相似。4組的擊穿曲線很漂亮，d端加到一定的電壓后管子立即就被擊穿了。

3）L值對耐壓值的影響：W/L=10，m=2，fsp=3.0，fp=2.0，L分別取1.5μm、2.0μm、2.5μm，得到的擊穿圖分別如圖11～13。