集成電路中MOS管導通電阻測量方法

韓新峰，顧衛民

（中國電子科技集團公司第58研究所，江蘇無錫 214035）

集成電路中MOS管導通電阻測量方法

韓新峰，顧衛民

（中國電子科技集團公司第58研究所，江蘇無錫 214035）

MOS管是一種常見的半導體功率器件，隨著半導體產業的不斷發展和進步，MOS管的各方面性能也得到大幅度的提高，被廣泛應用于開關電源、節能燈、電源轉換和電源控制等領域。在功率電路中，MOS作為一種多子功率開關器件，其導通電阻是至關重要的參數之一，會影響到應用電路的穩定性和功耗。因此在集成電路測試中對于MOS管導通電阻的精確測量顯得尤為重要。對于MOS管導通電阻的測量做了詳細分析，并介紹了兩種可以準確測量MOS管導通電阻的方法。

MOS管；導通電阻；測試

1　引言

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是金屬-氧化層-半導體場效晶體管的簡稱，中文簡稱MOS管，是一種常見的半導體功率器件[1]。由于其具有開關速度快、驅動功率小、安全工作區寬、溫度穩定性好、沒有少子存儲效應、具有負電流溫度系數等優點，被廣泛應用于開關電源、汽車電子、不間斷電源、電力轉換電路、逆變器等各個領域[2]。在MOS管的應用中其功耗大小是使用者考慮的一個重要因素，而其導通電阻的大小對其功耗有著至關重要的影響。所以，MOS管在作為功率器件的集成電路應用中，導通電阻是其最為關鍵的參數之一。為保證MOS管在應用電路中得到穩定應用，在其出廠時需要測試公司對其進行準確的測量。

2　MOS管簡介

MOS管按照柵極的功能可分為增強型和耗盡型，按照溝道的材料類型可分為P溝道或N溝道，兩種組合起來就有4種類型，一般主要應用的是增強型NMOS管和增強型PMOS管。……