GaN基LED高能電子束流輻照效應研究

劉 超 于莉媛 王志剛 錢 森 夏經鎧,4 朱 納 高 峰,4 安廣朋 馬毅超 黨宏社 吳英蕾 楊 潔（天津工業大學 天津 300387）

2（核探測與核電子學國家重點實驗室 北京 100049）

3（中國科學院高能物理研究所 北京 100049）

4（中國科學院大學 北京 100049）

5（陜西科技大學 西安 710021）

GaN基LED高能電子束流輻照效應研究

劉 超1于莉媛1王志剛2,3錢 森2,3夏經鎧2,3,4朱 納5高 峰2,3,4安廣朋2,3馬毅超5黨宏社5吳英蕾1楊 潔11（天津工業大學 天津 300387）

2（核探測與核電子學國家重點實驗室 北京 100049）

3（中國科學院高能物理研究所 北京 100049）

4（中國科學院大學 北京 100049）

5（陜西科技大學 西安 710021）

使用高能電子輻照對GaN基藍光發光二極管(Light Emitting Diode, LED)光電學性能的影響進行研究。高能電子束流分別對不同組別的LED樣品進行輻照實驗，并通過自動測控系統對輻照過程中LED的電流、光強、光譜峰值波長進行全程測控。隨后，在室溫無輻照環境下對上述不同組別的LED樣品進行跟蹤對比測試研究。實驗結果表明，高能輻照對LED的改性有明顯效果，具體表現在工作電流和發光功率變化時受輻照影響的穩定性有所改善，光譜峰值波長出現藍移。同時，GaN基LED在輻照過程中是否通電對LED的光電學性能有顯著影響。

高能電子輻照，GaN，發光二極管，光電學性能

GaN作為一種寬禁帶半導體材料，在室溫下其直接帶隙寬度為3.39eV，具有熱導率高、耐高溫、耐酸堿、高硬度等特性，是第三代半導體的代表。基于以上特性，作為發光二極管(Light Emitting Diode, LED)重要的發光材料的GaN，一直是國內外關于LED輻照實驗研究的熱點，并在GaN外延材料以及發光器件的電子束輻照效應研究中取得了一定成果。……