電阻率測(cè)深法在遼東某鉛鋅礦勘探上的應(yīng)用

摘 要：利用電阻率測(cè)深法進(jìn)行勘探，所測(cè)數(shù)據(jù)經(jīng)反演后，進(jìn)而根據(jù)電阻率劃分地層和構(gòu)造，結(jié)果清晰顯示了成礦的有利部位以及斷裂構(gòu)造的分布情況。

關(guān)鍵詞：電阻率測(cè)深法；鉛鋅礦勘探；應(yīng)用

1 電阻率測(cè)深法法概述

電阻率測(cè)深法（resistivity sounding）簡(jiǎn)稱電測(cè)深法。它是在地面的一個(gè)測(cè)深點(diǎn)上（即MN極的中點(diǎn)），通過(guò)逐次加大供電電極，AB極距的大小，測(cè)量同一點(diǎn)的、不同AB極距的視電阻率ρS值，研究這個(gè)測(cè)深點(diǎn)下不同深度的地質(zhì)斷面情況。

2 地質(zhì)概況

工作區(qū)位于華北地臺(tái)北緣東部，營(yíng)口～寬甸臺(tái)拱西側(cè)虎皮峪～紅石砬子巨型復(fù)背斜的西部北翼恒山里扇形背斜西延部位南北兩翼。出露的出露地層有下元古界遼河群高家峪組二段和大石橋組及第四系。高家峪組二段：主要巖性為含墨透閃變粒巖、含墨透閃巖、綠簾透閃變粒巖、透閃變粒巖、含墨黑云透閃變粒巖、斜長(zhǎng)角閃巖等；大石橋組：地層走向近東西，傾向不一，傾角一般為45°～75°，根據(jù)巖石組合特征，可分為三個(gè)巖性段。大石橋組一段：主要巖性為薄層含墨條紋狀大理巖，局部夾有含透閃白云石大理巖、黑云變粒巖等；大石橋組二段：主要巖性為矽線黑云片巖，局部夾有黑云斜長(zhǎng)變粒巖、鈉長(zhǎng)淺粒巖等；大石橋組三段：巖性主要由薄層含透閃大理巖、含透閃白云石大理巖、厚層含透閃白云石大理巖、條帶狀透閃白云石大理巖組成；第四系：為殘坡積、沖～洪積形態(tài)，主為分布于低洼山坡及溝谷中，巖性為粉質(zhì)粘土、粉土、礫石及巖石碎屑。鉛鋅礦賦存于大石橋組三段地層中，圍巖為大理巖。礦（化）體附近，巖石破碎，各種蝕變強(qiáng)烈，黃鐵礦化普遍。

3 地球物理特征

根據(jù)統(tǒng)計(jì)資料和前人在區(qū)內(nèi)及鄰區(qū)開(kāi)展的工作成果資料，區(qū)內(nèi)主要巖（礦）石介質(zhì)的電性參數(shù)變化見(jiàn)表1。

從表1中可以看出，石墨礦（化）體、各種硫化物礦化巖石（其中包括鉛鋅礦（化）巖石）及各種含墨巖石等的電阻率的變化情況，石墨礦（化）體、各種含墨巖石等電阻率就相對(duì)較低，一般情況下<

500Ω.m，為低阻特征；各種硫化物礦化巖石（其中包括鉛鋅礦（化）巖石）的電阻率為200～2000Ω.m，為中高阻特征；其它巖石的電阻均較高，一般情況下>2000Ω.m，為高阻特征；蝕變帶、破碎帶及巖石風(fēng)化帶可引起很低的電阻率異常，這些電性上的差異，是開(kāi)展電法工作的物理前提。中高電阻是本區(qū)尋找各種硫化物礦化巖石（其中包括鉛鋅礦（化）巖石）的地球物理標(biāo)志，石墨化巖石構(gòu)成找礦干擾。

4 電阻率測(cè)深施工技術(shù)與數(shù)據(jù)處理

4.1 野外施工技術(shù)

采用對(duì)稱四極測(cè)深裝置來(lái)確定極化體的埋藏深度，了解斷面中極化體的分布和產(chǎn)狀。最小供電極距AB/2=1.5m、最大供電極距AB/2=750m，最小測(cè)量極距MN/2=0.5m、最大供電極距MN/2=12m，點(diǎn)距20米，最大供電電壓1200V、供電電流≥1A、供電時(shí)間5S。

4.2 數(shù)據(jù)處理方法

數(shù)據(jù)解釋分三步：定性解釋、定量解釋和綜合地質(zhì)解釋。數(shù)據(jù)處理、定性解釋、定量解釋和綜合地質(zhì)解釋在實(shí)際資料解釋過(guò)程中是交叉或反復(fù)進(jìn)行的，從而使數(shù)據(jù)解釋工作逐步深化，及時(shí)指導(dǎo)下一步野外工作。野外的數(shù)據(jù)采集完成后就轉(zhuǎn)入室內(nèi)的數(shù)據(jù)處理和資料整理，并用相關(guān)軟件作二維反演后繪制視電阻率等值線擬斷面圖。

5 成果解釋

12電阻率測(cè)深剖面反演電阻率普遍在50～10000Ω.m之間，剖面大體反映了地層、傾入巖體及構(gòu)造的分布情況。（如圖1所示）

剖面淺部總體表現(xiàn)為低阻，推測(cè)為第四系所致；104點(diǎn)到128點(diǎn)的中深部電阻率在1000～8000Ω.m之間，推測(cè)為大石橋組三段大理巖所引起；128點(diǎn)到138點(diǎn)總體反映位低阻異常，電阻率在100～2000Ω.m，推測(cè)為高家峪組二段含墨地層所引起；138點(diǎn)到142點(diǎn)電阻率在2000～10000Ω.m，局部為高阻，推測(cè)淺部為大石橋組三段（Pt11hd 3）大理巖所引起。

剖面128號(hào)點(diǎn)為高電阻率向低電阻率變化梯度帶，推測(cè)為構(gòu)造F所致。構(gòu)造略向大號(hào)點(diǎn)傾斜。剖面120點(diǎn)標(biāo)高400m處表現(xiàn)中高電阻率的不連貫，是有利的成礦。

6 結(jié)束語(yǔ)

（1）電阻率測(cè)深法反演電阻率能較好的劃分地層巖性界面，但受反演軟件等限制，結(jié)果存在一定的偏差。（2）電阻率測(cè)深法低阻異常對(duì)礦體的賦存部位，構(gòu)造斷裂的位置、規(guī)模、延深、產(chǎn)狀都有較好的顯示。

參考文獻(xiàn)

[1]傅良魁.應(yīng)用地球物理教程[M].北京：地質(zhì)出版社，1991.

[2]遼寧省地質(zhì)礦產(chǎn)局.遼寧省區(qū)域地質(zhì)志[M].北京：地質(zhì)出版社，1989.