摘 要:提出了一種降壓型電流模DC-DC芯片的反向大電流檢測電路。該電路檢測開關管之間的電壓,與基準電壓比較后輸出邏輯信號控制開關管,將DC-DC芯片的反向電感電流門限設定為900mA,提高了芯片輕負載工作下的效率。
關鍵詞:DC-DC芯片;輕負載;反向大電流
引言
DC-DC變換器芯片具有效率高、穩定性好、PCB板占用面積小等優點,在現在電子設計中應用特別廣泛。不斷提高DC-DC變換器的效率一直是此類芯片設計中的難點[1]。
為了提高工作效率,目前的市場上的DC-DC變化器芯片多采用峰值電流模PWM控制方式[2-3]。大多數情況下,芯片會工作在輕負載模式,因此尤其應該提高輕負載模式下的效率[4]。本文基于降壓型DC-DC芯片,提出了一種新穎的片上反向大電流檢測保護電路,在輕負載的情況下,當電感中的反向電流超過900mA時,輸出信號IR2_OUT將同步開關管關斷,防止了流過電感的反向電流過大而造成能量的浪費,提高了變換器輕負載工作下的效率。
1 反向大續流檢測電路的設計思想
DC-DC芯片主開關管和同步開關管連接處SW點的電壓可以反映電感電流的大小。在續流階段,對SW點的電壓進行采樣得到IR_SW信號,將該信號與基準電壓通過比較器進行比較。當反向電感電流超過900mA時,IR_SW的電壓大于基準電壓,此時比較器的輸出IR2_OUT變為邏輯“1”將同步開關管關斷,使續流階段結束。
2 具體電路實現
圖1是反向大電流檢測模塊的實際電路圖,圖中BJH1是芯片內部基準電流模塊為本模塊比較器正常工作提供的電流偏置;IR_GND是基準電壓信號,它由基準電流流入電阻R1產生;IR_SW是續流階段SW點電壓的采樣信號;SHUT和IR2CTL是本模塊的邏輯使能信號;IR2_OUT是本模塊的輸出,它可以控制同步開關管的關斷。
由圖1可知,本模塊中的比較器采用了的典型兩級結構[5]。電路第一級使用二極管接法的MOS管作負載,第二級采用推挽式的輸出結構。第二級中的M15和M18接成共源共柵的結構,提高了電路的電源抑制比。在設計當中,M20N的寬長比遠大于M20P的寬長比,并且M21P的寬長比遠大于M21N的寬長比,這樣由M20N和M20P構成的整形非門上升沿翻轉較快,由M21N和M21P構成的整形非門下降沿翻轉較快,從而有利于輸出信號IR2_OUT在由邏輯“0”變為邏輯“1”過程中的快速翻轉。
為了保證變換器在絕大部分情況工作在連續導通模式下,電路的設計應該保證電感中可以流過一定的反向電流。然而在反向續流階段,輸出電容上儲存的能量經電感和同步開關管流到地端,造成了能量的浪費,因此為了提高變換器輕負載下的效率,反向電感電流又不宜過大。經過折衷考慮,本設計中的反向續流門限設定為900mA。
在芯片正常工作的情況下,在任意工作周期當中,當主開關管關斷后,邏輯控制同步開關管打開,變換器進入續流階段,此時全局關斷信號SHUT為邏輯“0”,使能信號IR2CTL為邏輯“1”,反向續流檢測模塊可以正常工作。在續流階段,同步開關管、電感、負載和輸出電容構成回路,電感中的儲能通過回路釋放。在這一過程中,IR_SW通過檢測SW點的電壓來檢測同步開關管中的電流。在續流的開始階段,電流由地流向電感,此時SW點的電壓小于零,IR_SW的電壓小于零。差分對管中的M2導通,M3截止,偏置電流全部流經M5,M6上幾乎沒有電流流過,這導致了M18截止,M19導通并處于線性工作區,M19的漏端電壓與源端電壓幾乎相等,接近于地電位,IR2_OUT為邏輯“0”。當電感中的能量耗盡之后,由于電感電流不能突變,輸出電容通過電感和同步開關管對地放電,電感中開始流過反向電流,此時SW和IR_SW的電壓大于零且它們隨著電感電流的增大而增大。當電感中的反向電流超過900mA時,IR_SW電壓將超過基準電壓IR_GND,IR2_OUT變為邏輯“1”,控制同步開關管關斷,結束變換器的續流過程。
3 仿真結果
本文提出的電路應用于一款降壓型單片DC-DC變換器中,芯片已經采用Hspice和Candence完成了電路前仿真設計。圖2是在溫度為25℃、電源電壓VI為5V、全典型模型的情況下,IR2_OUT隨反向電感電流變化的直流仿真曲線。由該圖可知,使IR2_OUT由邏輯“0”變為邏輯“1”的反向電感電流門限約為900mA,這一結果滿足設計要求。
參考文獻
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作者簡介:曼茂立(1982-),男,碩士研究生,工程師,主要研究方向:模擬集成電路設計,汽車電子。