趙 陽,張永明,苗宗成
(西京學院 應用統計與理學系,陜西省西安市 710123)
基于硅烷偶聯劑表面改性PF/CCTO 介電復合材料的制備
趙 陽,張永明,苗宗成*
(西京學院 應用統計與理學系,陜西省西安市 710123)
采用γ-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷偶聯劑KH560對鈦酸銅鈣(CCTO)進行表面處理,制備KH560改性的CCTO(Si@CCTO),然后將Si@CCTO與酚醛樹脂(PF)復合制備PF/Si@CCTO復合材料。采用傅里葉變換紅外光譜儀、X射線衍射儀對復合材料的結構進行表征,并研究了CCTO表面改性對復合材料介電性能的影響。結果表明:經過表面改性的CCTO提高了復合材料的介電性能,當w(KH560)為1%時,PF/Si@CCTO復合材料在100 Hz時的介電常數達到了28,比未改性的PF/CCTO復合材料的介電常數增加了16.0%;同時,在25~75 ℃,PF/Si@CCTO復合材料保持了較好的溫度穩定性。
酚醛樹脂 復合材料 表面改性 介電性能
高介電常數的聚合物/陶瓷介電復合材料結合了陶瓷和聚合物兩方面的優點,加工性能良好、成本低,同時具有相對較優的介電性能[1-3]。因此,聚合物/陶瓷介電復合材料有著較為廣闊的應用前景,既可用作高儲能密度電容器的介質材料,也可用作高電容的嵌入式微電容器等方面[4]。目前,制備新型的具有較高介電常數的聚合物/陶瓷介電復合材料已經成為工程類研究的一大課題,不論在其性能研究還是應用開發方面都取得了令人矚目的進展[5-6]。
聚合物/陶瓷復合材料采用具有較高介電常數的鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鍶鋇、鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛等陶瓷材料作為無機填料,從而提高復合材料的介電性能[7-12]。……