賽默飛發(fā)布三款用于半導體領(lǐng)域的新品

賽默飛發(fā)布三款用于半導體領(lǐng)域的新品

近日，科學服務領(lǐng)域的世界領(lǐng)導者賽默飛世爾科技(以下簡稱： 賽默飛)亮相成都第 24 屆國際集成電路物理與失效分析研討會(IPFA 2017)，并發(fā)布三款用于半導體失效分析工作流程的全新產(chǎn)品，旨在幫助半導體故障分析實驗室提升處理試樣和獲取數(shù)據(jù)的效率，為尋求快速、高質(zhì)量的電性和物理失效分析的半導體制造商提供創(chuàng)新解決方案。

新型 Helios G4 等離子聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)可對各類半導體器件進行逆向剝層處理，并提供超高分辨率掃描電子顯微鏡(SEM)分析。新型 flexProber 納米探針量測系統(tǒng)可用于快速電性失效分析的應用。它能對半導體晶片在互連導線和晶體管級別上的故障位置，做出準確的定位。新型 Themis S 透射電子顯微鏡(TEM)用在最具挑戰(zhàn)性的半導體器件上，可提供原子級分辨率的成像和高產(chǎn)率的元素分析。

Helios G4 等離子聚焦離子束系統(tǒng)是賽默飛最新一代的雙束顯微鏡。它具有從快速剝層、掃描電子顯微鏡截面成像到透射電子顯微鏡樣品制備在內(nèi)的多種功能。半導體剝層技術(shù)在 14 nm 以下技術(shù)節(jié)點器件上的缺陷定位應用變得越來越重要。等離子聚焦離子束搭配Dx 化學氣體可用于均勻展露金屬層，使賽默飛的納米探針測量系統(tǒng)能夠進行電性故障的定位與分析。

Helios G4 等離子聚焦離子束系統(tǒng)可支持 7 nm 技術(shù)節(jié)點以下器件的逆向剝層處理并提供自動終點檢測，以在指定的金屬層或通過層顯露時自動停止蝕刻。它提供比傳統(tǒng)(Ga+)聚焦離子束系統(tǒng)快10～20倍的蝕刻速率，使客戶能夠為納米探針測量系統(tǒng)、透射電子顯微鏡以及掃描電子顯微鏡制備更大面積的試樣，并可廣泛地應用于先進(2.5D)封裝、發(fā)光二極管(LED)、顯示屏以及微電子機械系統(tǒng)(MEMS)。

新型 flexProber 系統(tǒng)旨在幫助客戶對電性失效做出快速定位，并利用低電壓掃描電子顯微鏡來引導精密機械探針到故障電路元件上。準確定位有助于提高后續(xù)分析的效率和成本的效益，確保由此定位而制取的透射電鏡試樣包含了故障區(qū)域。專為探針設計的flexProber 系統(tǒng)的掃描電鏡，與其前代產(chǎn)品 nProber II 相比分辨率提升了 2 倍。它融入了賽默飛高端納米探針量測系統(tǒng)的許多功能，適用于廣泛的半導體器件類型和不同的制程技術(shù)；提供了入門級配置，同時保留了未來升級到完整納米探針測量系統(tǒng)的可能性。

Themis S 系統(tǒng)是賽默飛行業(yè)標準 Themis 系列透射電鏡的最新成員。以為20 nm 技術(shù)節(jié)點以下的半導體器件失效分析為目的，Themis S 系統(tǒng)旨在提供大規(guī)模的半導體圖像和分析數(shù)據(jù)，同時Themis S還包括了集成的隔振護罩和完整的遠程操作功能。球差矯正器、80～200 kV 鏡筒、自動對中、XFEG 電子槍和 DualX X 射線能譜儀提供了強大的亞埃級成像能力和快速、準確的元素和應力分析功能。(賽默飛世爾科技(中國)有限公司)