電針對短暫性腦缺血發作大鼠神經元形態學及細胞凋亡的影響

王 威,唐 偉,張 軍,遲海濤

(1.大連大學附屬中山醫院，遼寧 大連 116001;2.大連大學附屬新華醫院,遼寧 大連 116021)

電針對短暫性腦缺血發作大鼠神經元形態學及細胞凋亡的影響

王 威1,唐 偉2△,張 軍2,遲海濤2

(1.大連大學附屬中山醫院，遼寧 大連 116001;2.大連大學附屬新華醫院,遼寧 大連 116021)

目的：探討電針對短暫性腦缺血發作大鼠神經元形態學及細胞凋亡的影響。方法：Wistar雄性大鼠32只隨機分為正常對照組、假手術組、模型組、針刺組，每組8只。采用四血管阻斷法建立短暫性腦缺血發作大鼠模型。正常對照組、假手術組、模型組不給予任何治療。針刺組造模后給予電針治療，術后1周取材。尼氏染色觀察神經元損傷情況，透射電鏡觀察神經元超微結構；原位末端標記法檢測(TUNEL染色)大腦皮質、海馬CA1區神經元凋亡。結果：神經元尼氏染色結果:模型組染色較淺，神經元尼氏染色陽性細胞數較少。而電針組較模型組神經元尼氏染色陽性細胞數增多(P<0.05)。電鏡觀察結果:模型組大腦皮層、海馬CA1區見神經細胞腫脹，核周間隙擴張或消失,染色質凝集成塊或溶解，線粒體嵴斷裂;電針組電鏡下觀察線粒體腫脹輕微，毛細血管水腫少見,胞漿內細胞器豐富，結構完整。細胞凋亡檢測結果:正常對照組大腦皮層、海馬CA1區假手術組凋亡陽性細胞較少見，模型組大腦皮層、海馬CA1區可見較多凋亡細胞，針刺組與模型組比較，凋亡細胞明顯減少，具有顯著性差異(P<0.05)。結論：電針可以減輕短暫性腦缺血發作大鼠大腦皮層及海馬CA1區神經元損傷，抑制神經元凋亡。

電針；短暫性腦缺血發作；細胞凋亡；超微結構

短暫性腦缺血發作(TIA)是腦血管病變引起的短暫性、發作性腦功能障礙，主要表現肢體功能障礙、語言障礙等，發作可持續數分鐘至1 h，多在24 h內恢復，不遺留神經功能缺損癥狀和體征，是急性腦梗死最主要的危險因素之一，具有可逆性、反復性特點。發作越頻繁，進展腦梗死可能性越大[1]。短暫性腦缺血發作具有一定腦損傷，能夠引起短暫的認知障礙，核磁彌散加權成像的研究發現，超過30%的TIA患者腦內存在細胞毒性水腫[2]。……